公开(公告)号：CN1485927A

公开(公告)日：2004-03-31

申请号：CN03138159.6

申请日：2003-05-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 高桥英树 ,  金田充

IPC: H01L29/744 ,  H01L21/332

CPC classification number: H01L29/66333 ,  H01L21/263 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36 ,  H01L29/7395

Abstract: 本发明的课题是，获得能够保持双向耐压，并且可靠性高的半导体器件及其制造方法，以及半导体衬底及其制造方法。N－型硅衬底1具有互相相向的底面和上表面。借助于P型杂质的扩散，在N－型硅衬底1的底面内全面地形成高浓度的P型杂质扩散层3。另外，借助于P型杂质的扩散，在N－型硅衬底1的上表面内局部地形成P型隔离区2。P型隔离区2具有抵达P型杂质扩散层3的上表面的底面。另外，当从N－型硅衬底1的上表面一侧观察时，P型隔离区2包围作为N－型硅衬底1的一部分的N－区1a而形成。然后，被P型隔离区2包围的上述N－区1a被规定为N－型硅衬底1的元件形成区。