公开(公告)号：CN1776927A

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN200510131574.3

申请日：2005-11-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 藏本恭介

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/021 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3216 ,  H01S2301/18 ,  H01S2304/12

Abstract: 提供一种不产生向GaN衬底进行光渗出、以及发生n型覆盖层的破裂或位错的问题，且垂直方向的FFP(远场图样)全半高宽较小的半导体发光元件。具有在n型覆盖层(3)和p型覆盖层(10)之间夹持了活性层(6)的结构的半导体发光元件中，使用Al组成比x为0.01≤x＜0.06的AlxGa1－xN层(AlGaN)层作为n型覆盖层。当Al组成比x小于0.06时，由于AlGaN层的折射率变大，所以可以使垂直方向的NFP(近场图样)变宽，使垂直方向的FFP的全半高宽减小。此外，当Al组成比变小时，由于与GaN衬底的晶格不匹配变小，所以可以不产生破裂和位错问题而厚厚地形成AlGaN层，并可以抑制向GaN衬底的光渗出。