光传感器
    32.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101308856A

    公开(公告)日:2008-11-19

    申请号:CN200810097125.5

    申请日:2008-05-14

    Abstract: 本发明提供一种光传感器。为了提高在X射线摄像显示装置等中所使用的光传感器的输出性能,需要增加在一个传感器结构要素的面积中光电二极管的面积所占的比例。因此,跨过接触孔的开口边缘形成光电二极管,但是,判明依赖于边缘长度的漏电流增大。由于漏电流使光传感器的灵敏度下降,因此漏电流的控制不可缺少。本发明提供一种具有在漏电极(7)上形成的接触孔(CH1)的开口边缘包含光电二极管(100)的边缘的配置关系的光传感器的阵列衬底。

    移位寄存器电路及具备它的图像显示装置

    公开(公告)号:CN1992086A

    公开(公告)日:2007-07-04

    申请号:CN200610156262.2

    申请日:2006-12-28

    Abstract: 本发明提供一种移位寄存器电路,其目的是为了提高移位寄存器电路的驱动能力。该移位寄存器电路在输出级包括:输出端子OUT和第1时钟端子A之间的晶体管Q1;以及输出端子OUT和第1电源端子s1之间的晶体管Q2。晶体管Q6、Q7构成反相器,将晶体管Q2的栅极的电平进行反转,输出到就晶体管Q1的栅极。在晶体管Q1的栅极和晶体管Q7的栅极之间设置有由晶体管Q8、Q9构成的隔离电路。晶体管Q8为二极管连接,当晶体管Q1的栅极与晶体管Q7的栅极相比变为高电位时,两者之间被电隔离。

    移位寄存器电路及具备它的图像显示装置

    公开(公告)号:CN1841565A

    公开(公告)日:2006-10-04

    申请号:CN200610004613.8

    申请日:2006-01-26

    CPC classification number: G11C19/28 G09G3/3677 G11C19/184

    Abstract: 提供可防止泄漏电流导致的误动作的移位寄存器电路以及搭载它的显示装置。在移位寄存器电路的输出级,具有在输出端子OUT-第1时钟端子A间连接的晶体管T1和在输出端子OUT-地GND间连接的晶体管T2。晶体管T1的栅极(结点N1)-地GND间连接有串联连接的晶体管T4、T7。晶体管T4、T7间的结点N3经由晶体管T8与电源VDM连接。由于晶体管T8的栅极与结点N1连接,若晶体管T4、T7截止,结点N1的电平上升,则晶体管T8导通,对结点N3施加规定的电压。

    分频电路、电源电路及显示装置

    公开(公告)号:CN1835365A

    公开(公告)日:2006-09-20

    申请号:CN200610058828.8

    申请日:2006-03-01

    CPC classification number: H02M3/07 G09G3/3696 G09G2330/028 H03B19/14

    Abstract: 本发明对采用低温多晶硅工艺的驱动电路一体型显示装置,提供工作容限大的分频电路。构成分频电路(50)的级联的单位分频电路FD1~FDn之中,对初级单位分频电路(FD1)附加电平移位器(60)和电荷泵电路(70)。电荷泵电路(70)基于点时钟信号(信号DCLK)将输入电压升压并生成升压电压,并向初级单位分频电路(FD1)供给,初级单位分频电路(FD1)用升压电压来驱动,因此提高了电流驱动能力。通过提高被输入频率较大的点时钟信号的初级单位分频电路(FD1)的驱动能力,能够增大分频电路(50)的工作容限。

    半透射型显示器件的制造方法和半透射型显示器件

    公开(公告)号:CN1229677C

    公开(公告)日:2005-11-30

    申请号:CN03155084.3

    申请日:2003-08-27

    CPC classification number: G02F1/133555 G02F2201/48

    Abstract: 本发明的半透射型显示器件的制造方法包括:在透明基板上的透射显示区20形成遮光膜14的工序;在形成了遮光膜14的透明基板1上形成感光性有机膜7的工序;对感光性有机膜7进行曝光和显影,形成贯穿透射显示区20的感光性有机膜7的通孔7a的工序;在通孔7a形成后去除掉从通孔7a露出的遮光膜14的工序;以及在感光性有机膜7的上方形成反射膜9,从而形成反射区的工序。据此,在用于形成有机平坦化膜的曝光处理时,利用透过了TFT阵列基板的光的平台处的反射光,可防止在有机平坦化膜的膜厚方面产生可看到的不均匀性。

    半透射型显示器件的制造方法和半透射型显示器件

    公开(公告)号:CN1512239A

    公开(公告)日:2004-07-14

    申请号:CN03155084.3

    申请日:2003-08-27

    CPC classification number: G02F1/133555 G02F2201/48

    Abstract: 本发明的半透射型显示器件的制造方法包括:在透明基板上的透射显示区20形成遮光膜14的工序;在形成了遮光膜14的透明基板1上形成感光性有机膜7的工序;对感光性有机膜7进行曝光和显影,形成贯穿透射显示区20的感光性有机膜7的通孔7a的工序;在通孔7a形成后去除掉从通孔7a露出的遮光膜14的工序;以及在感光性有机膜7的上方形成反射膜9,从而形成反射区的工序。据此,在用于形成有机平坦化膜的曝光处理时,利用透过了TFT阵列基板的光的平台处的反射光,可防止在有机平坦化膜的膜厚方面产生可看到的不均匀性。

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