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公开(公告)号：CN1705969B
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN200480001238.0
申请日：2004-05-20
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G09G3/3283 , G09G3/20 , G09G3/325 , G09G2310/0248 , G09G2310/027
Abstract: 本发明的把与由数据位(D0～D5)构成的数字信号相应的电流提供给数据线(DL)的电流供给电路(100)包含：电流控制电路(110)、预充电开关(140)、预充电调整电路(150)。电流控制电路(110)与分别反映数据位(D0～D5)的控制信号(Vcnt0～Vcnt5)响应地，控制流过数据线(DL)的电流量。预充电开关(140)在电流供给前以规定电压(Vbf)预充电数据线(DL)。预充电调整电路(150)为了使数据线DL的电压接近与数据位(D0～D5)对应的恒定电压，而在与数据线DL之间进行与控制信号(Vcnt0～Vcnt5)相应的电荷的交换。由此，可以高速地提供与数字数据相应的模拟电流。
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公开(公告)号：CN102612755A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201080051932.9
申请日：2010-04-08
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/035272 , H01L31/0463 , Y02E10/50
Abstract: 一种薄膜太阳能电池(1)，在基板之上包括由透明导电性材料构成的第一电极层、光电转换层以及反射光的包含导电性材料的第二电极层，具有多个通过划线道(2)分割为多个的单位太阳能电池单元(3)，在形成于光电转换层的划线道(2)内，第二电极层与相邻的单位太阳能电池单元(3)的第一电极层相连接，从而多个单位太阳能电池单元(3)电串联连接，至少一个单位太阳能电池单元(3)的两侧的划线道(2)形成为夹在划线道(2)间的单位太阳能电池单元(3)在规定方向上具有固定的宽度来蛇行，并且具有在沿规定方向平行移动的情况下重合的同一形状。
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公开(公告)号：CN102356470A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201080012074.7
申请日：2010-03-16
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0465 , H01L31/02021 , H01L31/02165 , H01L31/043 , H01L31/046 , H01L31/05 , H01L31/0508 , H01L31/056 , H01L2924/0002 , Y02E10/50 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种光电转换装置，将在第一透光性绝缘基板的一面上形成有多个第一光电转换元件的第一光电转换模块、以及在第二透光性绝缘基板的一面上形成有多个第二光电转换元件的第二光电转换模块，以所述第一光电转换元件与所述第二光电转换元件为内侧粘贴，具有多个配置在相对的位置的所述第一光电转换元件与所述第二光电转换元件被电串联连接而构成的光电转换元件对，所有的所述光电转换元件被电串联连接。
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公开(公告)号：CN1218367C
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN01141002.7
申请日：2001-06-12
IPC: H01L21/20 , H01L21/324 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 在形成非晶半导体膜后，在固相状态使其结晶，其后，照射非晶硅中的吸收系数比多晶硅中吸收系数大、其照射能量密度为至少使固相生长半导体膜表面熔化的强度以上、且其波长为370nm～710nm的脉冲激光，使半导体膜的一部分熔化。
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公开(公告)号：CN1573874A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410047588.2
申请日：2004-05-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G09G3/30
CPC classification number: G09G3/3283 , G09G3/2018 , G09G3/2022 , G09G3/2081 , G09G3/325 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2310/027 , G09G2330/028
Abstract: 在本发明的各像素具备了电流驱动型发光元件的图像显示装置中，能够谋求产生基于数字信号的灰度等级电流的电路的小型化。电流供给电路(10)包含根据控制信号(SD)有选择地输出8位图像数据(DIN)的偶数位和奇数位的一方的位选择电路(40)，并向像素(100)供给与从位选择电路(40)输出的位相应的灰度等级电流(Idat)。在像素(100)的1帧期间，向电流驱动型发光元件(110)供给与偶数位相应的电流的时间被设定为供给与奇数位相应的电流的时间的2倍。通过4位的灰度等级电流的设定(16等级)，能够分为8位的256等级控制在1帧期间内流过电流驱动型发光元件(110)的电流的电流×时间的积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1179401C
公开(公告)日：2004-12-08
申请号：CN00800825.6
申请日：2000-03-08
IPC: H01L21/268 , H01L21/20
Abstract: 把由波长350nm以上至800nm以下的脉冲激光光源(101)发生的聚光激光光束(102)成形为具有宽度(WO)和长度(L0)的线状光束(300)，对形成于基板(203)的膜材料(201)照射线状光束(300)，对非晶质或者多结晶的硅膜材料进行激光热处理。
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公开(公告)号：CN1156894C
公开(公告)日：2004-07-07
申请号：CN00800777.2
申请日：2000-01-14
IPC: H01L21/20 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02683 , H01L21/02691 , H01L21/2026 , H01L21/268 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/66757
Abstract: 一种以在基板上被形成的硅作为主体的结晶性半导体膜作为有源层来使用的半导体装置的制造方法，包括：在基板上形成成为基底保护膜的氧化硅膜的基底保护膜形成工序；在该基底保护膜上形成以硅作为主体的半导体膜的第一工序；以及对半导体膜照射脉冲激光的第二工序，脉冲激光的波长定为370nm以上至710nm以下。由此，采用低温工艺可容易地且稳定地制造高性能的薄膜半导体装置。
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公开(公告)号：CN1338770A
公开(公告)日：2002-03-06
申请号：CN01141002.7
申请日：2001-06-12
IPC: H01L21/20 , H01L21/324 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 用比较低的温度制造优良的多晶薄膜半导体器件。在形成非晶半导体膜后,在固相状态使其结晶,其后,照射非晶硅中的吸收系数比多晶硅中吸收系数大的脉冲激光,使半导体膜的一部分熔化。
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公开(公告)号：CN1315720A
公开(公告)日：2001-10-03
申请号：CN00137093.6
申请日：2000-12-29
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G09G3/3659 , G09G3/2074 , G09G2300/0828 , G09G2300/0842 , G09G2330/021
Abstract: 一种液晶显示装置,配置成矩阵状的各个像素20分割为多个副像素。由于对应于副像素的各行以及各列配置水平扫描线60以及垂直扫描线70,因此能够独立地进行各个副像素的导通/断开控制。各个像素20包括设置在副像素之间的副像素连接电路25。副像素连接电路25与垂直扫描线70的激活相同步,响应从数据线65输入的副像素连接信号,把对应的副像素的像素电极之间进行连接。
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公开(公告)号：CN1304547A
公开(公告)日：2001-07-18
申请号：CN00800777.2
申请日：2000-01-14
IPC: H01L21/20 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02683 , H01L21/02691 , H01L21/2026 , H01L21/268 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/66757
Abstract: 一种以在基板上被形成的硅作为主体的结晶性半导体膜作为有源层来使用的半导体装置的制造方法,包括:在基板上形成成为基底保护膜的氧化硅膜的基底保护膜形成工序;在该基底保护膜上形成以硅作为主体的半导体膜的第一工序;以及对半导体膜照射脉冲激光的第二工序,脉冲激光的波长定为370nm以上至710nm以下。由此,采用低温工艺可容易地且稳定地制造高性能的薄膜半导体装置。
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