公开(公告)号：CN108463888A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201680078695.2

申请日：2016-10-06

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 奥田聪志 ,  古川彰彦 ,  川上刚史

IPC: H01L29/739 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L27/04 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 半导体装置具备：p型基极层(7a、7b)，设置于n型漂移层(10)的表面侧；n型发射极层(6)，设置于p型基极层(7a)的表面侧；第1控制电极(1)，具有以从n型发射极层(6)的表层到达n型漂移层(10)的方式埋设的沟槽栅电极(15)；第2控制电极(2)，具有以从p型基极层(7b)到达n型漂移层(10)的方式埋设的沟槽栅电极(15)；p型集电极层(12)，设置于n型漂移层(10)的背面侧；以及二极管(21)，对第1控制电极(1)连接阳极侧，对第2控制电极(2)连接阴极侧。能够提高利用栅极电阻的dV/dt的控制性。