公开(公告)号：CN1404345A

公开(公告)日：2003-03-19

申请号：CN02141467.X

申请日：2002-08-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 西川龙司 ,  山田努

IPC: H05B33/10 ,  C23C14/04

CPC classification number: C23C14/042 ,  H01L27/3211 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/001 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明公开了一种电激发光显示板的制造方法及蒸镀遮罩，其目的在使电激发光(EL)显示面板的蒸镀图案精密度提高，其是将具有开口部以选择性地使来自蒸发源的蒸发物质通过，而将电激发光元件的蒸镀元件层以所希望的图案形成在玻璃基板上的蒸镀遮罩，配置于蒸发源与玻璃基板之间以进行蒸镀。再者，此蒸镀遮罩的材料，采用热膨胀系数对玻璃基板之膨胀系数为160％以下、30％以上的材料，而能将接近蒸镀源而形成高温的蒸镀遮罩的热变形减低至最小限度，并提高蒸镀图案的精密度。

公开(公告)号：CN1395453A

公开(公告)日：2003-02-05

申请号：CN02125168.1

申请日：2002-06-28

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 山田努 ,  西川龙司 ,  大今进

IPC: H05B33/10 ,  G09F9/30

CPC classification number: C23C14/042 ,  H01L27/32 ,  H01L51/001

Abstract: 本发明提供一种电场发光显示装置的制造方法，其于经由屏蔽形成电场发光组件之际，能更适于进行屏蔽与基板的对准，其中，玻璃基板1是将其蒸镀形成用以构成电场发光组件发光层的面朝垂直下方而插入真空蒸镀室内。该真空蒸镀室内设置有屏蔽30。透过该屏蔽30的开口部而使上述发光层的材料附着形成在玻璃基板1上，即可使发光层附着形成。在进行该玻璃基板1与屏蔽30对准之际，玻璃基板1的该四边由边支持构件50所支持。

公开(公告)号：CN1395450A

公开(公告)日：2003-02-05

申请号：CN02125167.3

申请日：2002-06-28

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 山田努

IPC: H05B33/04 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L51/524 ,  H01L23/10 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3276 ,  H01L51/5246 ,  H01L2251/566 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种可适当地维持显示装置的品质，同时封装形成有EL组件的基板的电场发光显示装置的制造方法。其中，在利用例如真空吸附等从上面吸附支持的玻璃基板1L的下面，设有显示区域DP，而在该显示区域DP上形成有EL组件。另一方面，在载置于由石英玻璃等所构成的支持台50的封装基板30L上，涂布有紫外线硬化性的密封树脂40。在进行该等玻璃基板1L与封装基板30L的对位后，对玻璃基板1L施加作用力，并且透过封装基板30L将紫外线照射在密封树脂40。

公开(公告)号：CN100465722C

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200510072215.5

申请日：2005-05-23

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 小间德夫 ,  三井雅志 ,  井上和弘 ,  前田和之 ,  山田努 ,  青田雅明 ,  龟谷雅之

IPC: G02F1/1335 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/133

Abstract: 提供一种半穿透型液晶显示装置及彩色液晶显示装置，该装置在具备第一电极的第一基板与具备第二电极的第二基板间，封入垂直配向型液晶层；各像素区域具有反射区域及穿透区域；在第一基板侧或第二基板侧具备间隙调整部，该间隙调整部使在反射区域的间隙dr比在穿透区域的间隙dt更小，而该间隙(该液晶层的厚度)d控制朝液晶层的入射光的相位差。而在像素区域内，在一个像素区域内分割液晶配向的配向控制部500被设置在第一基板侧或第二基板侧的其中之一或是两个。并且，以R、G、B变更该间隙，使最优化成为可能。

公开(公告)号：CN100373245C

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200410083715.4

申请日：2002-12-27

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 小田信彦 ,  石田聪 ,  山田努

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/1343 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L51/5271 ,  G02F1/133553 ,  G02F1/133555 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/3244 ,  H01L2251/5315

Abstract: 本发明是以实现高品质化的EL显示装置为目的。其特征为：在基板100上，形成依各像素所设置的TFT110、覆盖此TFT110的绝缘膜34、38、以及在绝缘膜上与TFT110绝缘并将来自阴极86侧的入射光予以反射的反射层44。反射层44是由保护膜46所覆盖，在此保护膜46上形成由具备有与阴极86同样功函数的由ITO等透明导电材料所构成的阴极80，并与TFT110连接。透过覆盖反射层44的保护膜46而可使反射层44的反射面，在处理TFT110与阴极80之间的接触时，受到保护并防止反射特性的恶化。而且，透过特性类似的阴极80、阴极86可以良好对称性地交流驱动有机组件层88。

公开(公告)号：CN100363789C

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200410057033.6

申请日：2002-12-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 井上和弘 ,  小间德夫 ,  小川真司 ,  山下彻 ,  小田信彦 ,  石田聪 ,  山田努

IPC: G02F1/133 ,  G02F1/136

CPC classification number: G02F1/133371 ,  G02F1/133555 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/1368 ,  G09G2300/0456 ,  G09G2320/0247

Abstract: 一种液晶显示装置，在具备第1电极的第1基板、与具备第2电极的第2基板之间封入液晶层，而进行各像素的显示，第1基板具备有反射层，其仅形成于部分的一像素区域内，可将透过第2基板及第2电极而入射的光线反射至液晶层，第1电极使用透明导电材料，由该透明导电性材料所形成的第1电极，覆盖一像素区域内的透过区域，并在反射区域中直接覆盖并积层于反射层上，第1电极侧的液晶配向方位；与第2电极侧的液晶配向方位的差值所形成的扭转角设定在80°以下，形成于反射区域中的反射层下方形成有间隔调整层，且该反射层的表面形成有绝缘膜，由一像素区域内的反射区域中的第1电极与第2电极之间的距离所定出的dr间隔与透过区域中的第1电极与第2电极之间的距离所定出的间隔dt二者的差值，大于反射层的厚度。

公开(公告)号：CN101105596A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200710146521.8

申请日：2005-05-23

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 小间德夫 ,  三井雅志 ,  井上和弘 ,  前田和之 ,  山田努 ,  青田雅明 ,  龟谷雅之

IPC: G02F1/1335 ,  G02F1/1337 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/139

Abstract: 提供一种半穿透型液晶显示装置及彩色液晶显示装置，该装置在具备第一电极的第一基板与具备第二电极的第二基板间，封入垂直配向型液晶层；各像素区域具有反射区域及穿透区域；在第一基板侧或第二基板侧具备间隙调整部，该间隙调整部使在反射区域的间隙(dr)比在穿透区域的间隙(dt)更小，而该间隙(该液晶层的厚度，d)控制朝液晶层的入射光的相位差。而在像素区域内，在一个像素区域内分割液晶配向的配向控制部被设置在第一基板侧或第二基板侧的其中之一或是两个。并且，以R、G、B变更该间隙，使最优化成为可能。

公开(公告)号：CN101030003A

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200510080737.X

申请日：2003-03-04

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 小川真司 ,  井上和弘 ,  小间德夫 ,  石田聪 ,  山田努 ,  山下彻 ,  小田信彦

IPC: G02F1/1341 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1339

Abstract: 本发明提供一种具备反射层的显示装置，其在第1基板上形成反射层，该反射层在覆盖于每一像素中设置的开关元件的绝缘膜上与开关元件绝缘，而由第2基板侧将透过由ITO等所形成的第2电极而入射的光予以反射；而在比反射层更靠近液晶层侧之处形成有具备与第2电极相同的功函数且由ITO等透明导电材料所构成的第1电极，并与开关元件相连接。第1电极的膜厚设定在100以下，或是750至1250之间的程度。借此，不但可防止因第1电极所引起的颜色不均或反射率的降低，同时可借由第1、第2电极，在良好的对称性下交流驱动液晶层。此外，亦可使开关元件与反射电极相连接，并使挟持绝缘膜而形成的第1电极与反射电极形成电容结合，再借由该电容，由反射电极驱动第1电极。

公开(公告)号：CN1825629A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610001588.8

申请日：2003-03-11

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 山田努 ,  濑川泰生 ,  青田雅明

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78621

Abstract: 本发明是一种将栅极电极形成于有源层之上层的顶栅型TFT，覆盖TFT有源层(24)以及栅极绝缘膜(30)、栅极电极(36)而形成的层间绝缘膜(40)，采用由有源层侧积层SiNx膜(42)、SiO2膜(44)的积层结构，SiNx膜(42)的厚度，设定为50nm至200nm左右，更优选100nm左右，借助于设定为上述厚度，可对下层的多结晶Si有源层(24)供给充足的终止悬空键用的氢，并维持形成于该层间绝缘膜(40)的接触孔等的形成精度。从而可提高多结晶SiTFT的特性。

公开(公告)号：CN1681361A

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN200510063259.1

申请日：2005-04-07

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 山田努 ,  今尾和博

IPC: H05B33/08 ,  H05B33/12 ,  H05B3/10 ,  G09G3/30 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L27/1233 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种显示装置及其制造方法，可使发光组件的驱动用晶体管的图案尺寸变小，并且可提升显示像素的开口率。驱动用TFT(85)的第二主动层(111)由层积的两层多晶硅层(102P、103P)所构成。上层的多晶硅层(103P)是与构成像素选择用TFT(10)的第一主动层(110)的多晶硅层同时堆积而成的，因此与该多晶硅层具有相同膜厚。因此，第二主动层(111)形成与下层的多晶硅层(102P)的膜厚程度的厚度。第二主动层(111)的平均结晶粒径比第一主动层(110)的平均结晶粒径小。因此，驱动用TFT(85)的载流子迁移率比像素选择用TFT(10)的载流子迁移率小。由此，可实现驱动用TFT(85)的短沟道化。