公开(公告)号：CN101764580A

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：CN200910253968.4

申请日：2009-12-11

Applicant: 三星电机株式会社 ,  佐治亚科技研究公司

Inventor： 李洞护 ,  安奎焕 ,  韩正侯 ,  李彰浩 ,  乔伊·拉斯卡尔

IPC: H03F3/20 ,  H03F3/45 ,  H03F1/02

CPC classification number: H03F3/45179 ,  H03F2203/45394 ,  H03F2203/45541

Abstract: 提供了用于差分功率放大器的自适应偏置电路的系统和方法。所述自适应偏置电路可包括差分放大器、低通滤波器、共源放大器或共发射极放大器。自适应偏置电路可根据输入信号功率水平产生自适应偏置输出信号。随着输入功率水平升高，自适应偏置电路可增加自适应偏置输出信号的偏置电压或偏置电流。可根据自适应偏置输出信号来偏置功率放大器(例如，差分放大器)，以降低在低功率操作水平的电流消耗。

公开(公告)号：CN101478294A

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200810190549.6

申请日：2008-12-30

Applicant: 三星电机株式会社 ,  佐治亚科技研究公司

Inventor： 李玉九 ,  韩正侯 ,  安奎焕 ,  金形旭 ,  李洞护 ,  梁起硕 ,  李彰浩 ,  金学善 ,  乔伊·拉斯卡尔

IPC: H03F3/217 ,  H03F1/02

CPC classification number: H03F3/2176 ,  H03F1/223 ,  H03F1/565 ,  H03F3/193 ,  H03F2200/108 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/541

Abstract: 本发明的示例性实施例可提供一种用于共源共栅开关功率放大器的系统和方法。所述系统和方法可包括第一共源极装置，所述第一共源极装置具有第一源极、第一栅极、第一漏极和第一体，其中，第一源极被连接到第一体，第一栅极被连接到输入端口。所述系统和方法还可包括第二共栅极装置，所述第二共栅极装置具有第二源极、第二栅极、第二漏极和第二体，其中，第二源极被连接到第一漏极，第二源极还被连接到第二体，第二漏极被连接到输出端口。

公开(公告)号：CN101242159A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200810001009.9

申请日：2008-01-10

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 李彰浩 ,  安奎焕 ,  梁起硕 ,  张在浚 ,  禹王命 ,  金胤锡 ,  金学善 ,  李鋈九 ,  李东镐 ,  金炯旭 ,  乔伊·拉斯卡尔

IPC: H03F1/56 ,  H03F3/213 ,  H01F27/40 ,  H01F29/02

CPC classification number: H03F3/211 ,  H01F2017/0046 ,  H03F1/3211 ,  H03F3/195 ,  H03F3/45183 ,  H03F3/45475 ,  H03F3/604 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/537 ,  H03F2200/541 ,  H03F2203/21139 ,  H03F2203/21157 ,  H03F2203/45704 ,  H03F2203/45706 ,  H03F2203/45731 ,  Y10T29/49071

Abstract: 提供了用于功率放大器系统的方法和系统。该系统和方法可包括多个功率放大器，其中，每个功率放大器均包括至少一个输出端。该系统和方法还可包括多个初级线圈，其每一个均具有第一匝数，其中，每个初级线圈均连接至多个功率放大器的至少一个输出端；以及单个次级线圈，电感耦合至多个初级线圈，其中，次级线圈包括大于第一匝数的第二匝数。

公开(公告)号：CN101192695A

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200710195477.X

申请日：2007-11-30

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 安敏植 ,  李彰浩 ,  张在浚 ,  禹王命 ,  金学善 ,  乔伊·拉斯卡尔

IPC: H01P1/15 ,  H01P1/10

CPC classification number: H03K17/693 ,  H03K17/102 ,  H03K2217/0018 ,  H04B1/48

Abstract: 本发明的实施例可以用于提供CMOS天线开关，CMOS天线开关可以指CMOS SPDT开关。根据本发明的实施例，CMOS天线开关可以在大约900MHz、1.9GH、以及2.1GHz的多个频率下工作。CMOS天线开关可以包括接收开关和发射开关。接收开关可以通过体浮动技术利用具有体衬底开关和源极与体连接的多堆叠晶体管，以通过防止设备在OFF状态下的沟道形成来阻断来自发射路径的高功率信号，并且保持接收路径的低插入损耗。CMOS天线开关的示例性的实施例可以在两个频带(例如，900MHz和1.9GHz和2.1GHz)提供35dBm P1 dB。另外，根据本发明示例性的实施例可得到对开关的－60dBc的二次谐波和高至28dBm的三次谐波的输入功率。

公开(公告)号：CN101090280A

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200710110603.7

申请日：2007-06-04

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 安敏植 ,  李彰浩 ,  张在浚 ,  禹王命 ,  金学善 ,  乔伊·拉斯卡尔

IPC: H04B1/40 ,  H04B7/00 ,  H03K17/00

Abstract: 本发明涉及提供了一种用于CMOS RF天线开关的系统和方法。该用于CMOS RF天线开关的系统和方法可以包括：天线，其用于在至少一个射频(RF)频带内发送和接收信号；以及发送开关，连接到天线，该发送开关接通时，将相应的第一信号发送到天线，并且在发送开关断开时防止第一信号发送到天线。用于CMOS RF天线开关的系统和方法可以进一步包括接收器开关，连接到天线，当接收器开关接通时形成滤波器，当接收器开关断开时形成谐振电路，其中，滤波器用于接收由天线接收的第二信号，并且谐振电路用于阻止至少第一信号的接收。