公开(公告)号：CN113227214A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN201980086354.3

申请日：2019-12-25

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 柴山亘 ,  仓本悠太郎 ,  武田谕 ,  志垣修平 ,  石桥谦 ,  中岛诚

IPC: C08G77/22 ,  C09D183/06 ,  C09D183/08 ,  C07F7/08 ,  C07F7/10 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供适合作为能够形成兼具良好的EUV抗蚀剂密合性、和由于氟系蚀刻速率也高因此具有的良好的蚀刻加工性的含有Si的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物的膜形成用组合物。解决手段是一种膜形成用组合物，其包含例如式(E1)所示的聚合物、和溶剂。

公开(公告)号：CN108699389B

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN201780012899.0

申请日：2017-02-10

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 志垣修平 ,  谷口博昭 ,  中岛诚

IPC: C09D183/04 ,  G03F7/11 ,  C08G77/06 ,  C08G77/16

Abstract: 本发明提供高低差基板的平坦化用组合物。本发明提供了在有机图案上涂布的高低差基板平坦化用组合物，含有含水解性硅烷的水解缩合物的聚硅氧烷和溶剂，上述聚硅氧烷含有相对于Si原子为20摩尔％以下的硅醇基，上述聚硅氧烷的重均分子量为1000～50000。

公开(公告)号：CN109791376A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201780060916.8

申请日：2017-10-02

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 志垣修平 ,  武田谕 ,  柴山亘 ,  中岛诚 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/40 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供在溶剂显影光刻工艺中用于涂布在经图案化的抗蚀剂膜上而使图案反转的涂布用组合物的制造方法。解决手段是一种涂布于经图案化的抗蚀剂膜的组合物的制造方法，其包含下述工序：将水解性硅烷在非醇系亲水性溶剂中水解并缩合而获得水解缩合物的工序(A)；对该水解缩合物进行溶剂置换，而将该非醇系亲水性溶剂置换成疏水性溶剂的工序(B)。一种半导体装置的制造方法，其包含下述工序：在基板上涂布抗蚀剂组合物而形成抗蚀剂膜的工序(1)；将该抗蚀剂膜曝光和显影的工序(2)；对工序(2)的显影中或显影后获得的经图案化的抗蚀剂膜涂布通过上述制造方法获得的组合物，而在图案间形成涂膜的工序(3)；将经图案化的抗蚀剂膜蚀刻除去而使图案反转的工序(4)。一种制造方法，曝光使用ArF激光(波长193nm)或EUV(波长13.5nm)进行。一种制造方法，显影为采用有机溶剂的负型显影。

公开(公告)号：CN108885997A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780013335.9

申请日：2017-02-10

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 志垣修平 ,  谷口博昭 ,  中岛诚

IPC: H01L21/312 ,  B05D7/24 ,  G03F7/20 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

CPC classification number: B05D7/24 ,  G03F7/20 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供用于将使用了含硅组合物的半导体基板平坦地被覆的方法。本发明提供一种聚硅氧烷被覆基板的制造方法，所述聚硅氧烷被覆基板是经过下述工序制造的：第一工序，将包含第一被覆用聚硅氧烷的第一被覆用聚硅氧烷组合物涂布于高低差基板上并进行烧成，从而制成第一聚硅氧烷被覆膜，以及，第二工序，将包含第二被覆用聚硅氧烷的第二被覆用聚硅氧烷组合物涂布于第一聚硅氧烷被覆膜上并进行烧成，从而制成第二聚硅氧烷被覆膜，所述第二被覆用聚硅氧烷与第一被覆用聚硅氧烷不同，上述第二聚硅氧烷被覆膜的Iso‑dense偏差为50nm以下，上述第一被覆用聚硅氧烷包含下述水解性硅烷原料的水解缩合物，所述水解性硅烷原料以在全部硅烷中成为0～50摩尔％的比例包含每一分子具有4个水解性基团的第一水解性硅烷，上述第二被覆用聚硅氧烷以相对于Si原子为30摩尔％以下的比例包含硅烷醇基，并且重均分子量为1,000～50,000。