公开(公告)号：CN111128666A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201910825086.4

申请日：2019-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 成正模 ,  宣钟宇 ,  韩济愚 ,  朴赞训 ,  宋承润 ,  明涩荷

IPC: H01J37/32

Abstract: 一种半导体处理装置包括：腔体外壳；设置在腔壳体中的静电卡盘，静电卡盘被配置成保持半导体晶片；围绕静电卡盘的边缘环，边缘环包括设置在边缘环内的环电极；以及环电压源，被配置成向环电极供应环电压，环电压具有非正弦周期波形，其中，非正弦周期波形的每个周期包括在第一时段期间施加的正电压以及在第二时段期间施加的负电压，并且其中，负电压的大小在第二时段期间增大。

公开(公告)号：CN110320183A

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201910160116.4

申请日：2019-03-04

Applicant: 三星电子株式会社 ,  细美事有限公司

Inventor： 文丁一 ,  李衡周 ,  宣钟宇 ,  具滋明 ,  黄载雄 ,  安宗焕

IPC: G01N21/63

Abstract: 提供了一种光学发射光谱仪(OES)的校准器。该OES的校准器可以包括盖、参考光源和控制器。盖可以与等离子体处理设备的等离子体腔室的顶板可拆卸地结合。参考光源可以安装在盖处，以通过等离子体腔室的内部空间向OES照射参考光。控制器可以将入射到OES的参考光的光谱与在等离子体腔室中的等离子体处理期间输入到OES的实际光的光谱进行比较以校准OES。因此，可以在不从等离子体室拆卸OES的情况下校准OES，以减少用于校准OES的时间。

公开(公告)号：CN109659228A

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201811126880.1

申请日：2018-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李恩雨 ,  吴相录 ,  成正模 ,  宣钟宇

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/3065

Abstract: 本申请提供了一种图案形成方法和一种衬底蚀刻方法。一种形成半导体器件图案的方法，包括：在衬底上形成包含第一碳化合物的光刻胶图案；改良所述光刻胶图案的顶表面，以在所述光刻胶图案上形成包含不同于所述第一碳化合物的第二碳化合物的上掩模层；以及使用所述上掩模层和所述光刻胶图案作为蚀刻掩模，蚀刻所述衬底的一部分。