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公开(公告)号:CN102456398A
公开(公告)日:2012-05-16
申请号:CN201110319574.1
申请日:2011-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/56
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/00 , G11C2013/0083 , G11C2213/71 , G11C2213/79
Abstract: 提供一种阻性存储器件和初始化的方法。该阻性存储器件包括连接在位线与第一极板之间的第一组阻性存储单元和连接在位线与第二极板之间的第二组阻性存储单元。在与阻性存储单元的正常操作关联的正常路径之外,分别向第一和第二极板施加第一和第二初始化电压。