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公开(公告)号：CN112701133A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011135596.8
申请日：2020-10-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种包括分色透镜阵列的图像传感器。该图像传感器包括：传感器衬底，包括被配置为感测光的多个第一感光单元和多个第二感光单元；以及分色透镜阵列，包括多个第一区域和多个第二区域，多个第一区域分别对应于多个第一感光单元并且各自包括第一精细结构，并且多个第二区域分别对应于多个第二感光单元并且包括与第一精细结构不同的第二精细结构，其中，在入射在分色透镜阵列上的入射光中，第一波长的光和第二波长的光分支到不同的方向上并聚焦在第一感光单元和第二感光单元上。
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公开(公告)号：CN112018135A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010242010.1
申请日：2020-03-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
Abstract: 公开了一种组合结构、光学过滤器、图像传感器、相机模块以及包括组合结构、光学过滤器、图像传感器和相机模块的电子装置。该组合结构包括：纳米结构阵列，包括重复地布置的具有比近红外波长小的尺寸的多个纳米结构；以及光吸收部分，与纳米结构阵列相邻并包括配置为吸收近红外波长区域的至少一部分中的光的近红外吸收材料。
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公开(公告)号：CN108695351A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810301464.4
申请日：2018-04-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: G02B5/201 , G01J1/0492 , H01L27/14621 , H01L27/14645 , H01L27/14601
Abstract: 提供一种包括分色元件的图像传感器。该图像传感器包括：像素阵列，包括多个第一像素、多个第二像素和多个第三像素；分色元件，配置为朝向第二像素引导第二波段中的光并且朝向第一像素或第三像素引导第一波段中的光和第三波段中的光的混合物；以及滤色器层，包括第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器，其中第二滤色器的通带宽度大于第一滤色器和第三滤色器的每个的通带宽度。
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公开(公告)号：CN118335758A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202311741209.9
申请日：2023-12-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , B82Y20/00 , H04N23/55
Abstract: 提供一种图像传感器，包括：传感器衬底，包括多个像素；纳米光子透镜阵列，包括多个纳米结构，多个纳米结构被设置为对入射光进行颜色分离并且将颜色分离后的入射光会聚到多个像素上；以及滤色器层，包括多个滤色器，其中，透射第一波段的光的滤色器的总数大于透射第二波段的光的滤色器的数量和透射第三波段的光的滤色器的数量，并且纳米光子透镜阵列的多个纳米结构对第二波段的光和第三波段的光进行颜色分离并且会聚，并且对第一波段的光进行会聚而不进行颜色分离。
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公开(公告)号：CN117995855A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311377376.X
申请日：2023-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , B82Y15/00 , B82Y20/00
Abstract: 图像传感器包括传感器基板和纳米光子微透镜阵列，传感器基板包括用于感测入射光的多个像素，纳米光子微透镜阵列包括分别与多个像素相对应的多个纳米光子微透镜，其中，多个纳米光子微透镜中的每个纳米光子微透镜包括二维布置的多个纳米结构，以将入射光会聚到相应像素上，跨两个相邻的纳米光子微透镜之间的边界彼此直接面对布置的两个纳米结构之间的间隙大于多个纳米光子微透镜中每个纳米光子微透镜中的多个纳米结构的排列周期。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117650150A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311088689.3
申请日：2023-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/148 , G01J3/50 , H04N25/70
Abstract: 一种图像传感器包括：传感器基板，包括分别感测第一波长、第二波长和第三波长的光的第一像素、第二像素和第三像素；分色透镜阵列，改变第一波长、第二波长和第三波长的光的相位，并将相变光分别会聚到第一像素、第二像素和第三像素上。分色透镜阵列包括分别面对第一像素至第三像素的第一像素对应区域至第三像素对应区域。第一像素对应区域包括多个第一纳米柱，第二像素对应区域包括多个第二纳米柱，并且第三像素对应区域包括多个第三纳米柱，第二纳米柱之中具有最大截面宽度的第二中心纳米柱与第二像素的中心重叠，并且第三纳米柱之中具有最大截面宽度的第三中心纳米柱与第三像素的中心不重叠。
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公开(公告)号：CN117352525A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202310761724.7
申请日：2023-06-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , B82Y40/00
Abstract: 一种图像传感器包括：传感器衬底，包括用于感测入射光的多个像素；以及纳米光子微透镜阵列，布置为面对传感器衬底的光入射表面，并且包括用于会聚入射光的多个纳米光子微透镜。多个像素中的每一个包括：多个光敏单元，二维地布置在第一方向和垂直于第一方向的第二方向上，并且被配置为独立地感测入射光；以及隔离部，用于将多个光敏单元电隔离，其中纳米光子微透镜中的每一个包括多个纳米结构，该纳米结构被布置使得透射过纳米光子微透镜中的每一个的光具有凸相位轮廓，并且多个纳米结构以二维阵列的形式布置在第一方向和第二方向之间的对角线方向上。
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公开(公告)号：CN117316965A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202310693803.9
申请日：2023-06-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器可以包括像素阵列，该像素阵列包括二维地布置的多个像素。每个像素可以包括：第一超光电二极管，吸收第一波段的光；第二超光电二极管，吸收第二波段的光；以及第三超光电二极管，吸收第三波段的光，其中，第一超光电二极管、第二超光电二极管和第三超光电二极管可以布置在尺寸小于衍射极限的区域中。布置在像素阵列的中心部分中的多个像素中的第一超光电二极管、第二超光电二极管和第三超光电二极管的布置形式可以与布置在像素阵列的外围中的多个像素中的第一超光电二极管、第二超光电二极管和第三超光电二极管的布置形式相同。
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公开(公告)号：CN116487398A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310041963.5
申请日：2023-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了一种图像传感器，该图像传感器包括传感器衬底，该传感器衬底包括多个感光单元；透明间隔物层，设置在传感器衬底上；以及分色透镜阵列，设置在间隔物层之上并且包括多个纳米柱，该多个纳米柱被配置为根据入射光的入射位置来改变入射光的相位，其中，多个纳米柱布置在多个层中，其中，在多个纳米柱中，宽度小于wc的纳米柱可以仅布置在多个层中的任一层中。此外，wc可以大于或等于80nm并且小于或等于200nm。因此，可以增加设置在分色透镜阵列中的纳米柱的最小宽度，这有利于制造工艺。
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公开(公告)号：CN115966578A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211224033.5
申请日：2022-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器，包括：分色透镜阵列，包括分别与多个第一像素相对应的多个第一像素对应区域和分别与多个第二像素相对应的多个第二像素对应区域，其中，所述多个第一像素对应区域和所述多个第二像素对应区域中的每一个包括多个纳米柱，并且在围绕所述分色透镜阵列的中心部分的外围部分中，所述多个第一像素对应区域的多个纳米柱的形状、宽度和布置中的至少一项根据多个纳米柱的方位角方向改变。
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