公开(公告)号：CN1734350A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200510098086.7

申请日：2005-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 慎重汉 ,  李泰雨 ,  具本原 ,  李芳璘 ,  李相润

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/027 ,  G03F7/16 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

CPC classification number: H01L51/052 ,  C08L63/00 ,  G03F7/027 ,  G03F7/038 ,  H01L51/0052 ,  C08L2666/02

Abstract: 在此公开了一种用于形成有机绝缘膜的光构图组合物，其中包含：(i)一种含有功能基的单体；(ii)一种在光照下产生酸或自由基的引发剂和(iii)一种有机或无机聚合物。更进一步公开了使用该组合物形成有机绝缘膜图案的方法。根据本发明，由于有机绝缘膜无需任何光致抗蚀剂处理就能简单地构图，故简化了整体的工序，最终能够通过全湿工艺制得具有高电荷迁移率的有机薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN1500715A

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN200310104313.3

申请日：2003-10-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑明燮 ,  朴钟辰 ,  郑盛旭 ,  徐承柱 ,  具本原

IPC: B82B3/00 ,  C01B31/02

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y10/00 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/165 ,  G03F7/168 ,  G03F7/40 ,  Y10S977/842

Abstract: 本发明公开了一种形成碳纳米管图形的方法，它包括用光刻法在表面处理的基质上形成图形，利用化学自组装工艺在其上层压碳纳米管，从而形成单层或多层结构的碳纳米管。根据该方法，可很容易在如玻璃、硅晶片或塑料上形成碳纳米管图形，单层或多层碳纳米管图形。因此，该方法可用于构成具有高导电率的碳纳米管层图形。因此可用于制造能量贮存器的工艺中，例如，太阳能电池和电池组、平板显示屏、晶体管、化学和生物的传感器、半导体装置，等等。