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公开(公告)号:CN114281180B
公开(公告)日:2025-01-24
申请号:CN202111572672.6
申请日:2021-12-21
Applicant: 海光信息技术股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种集成电路负荷调整方法及相关装置,其中集成电路负荷调整方法包括:获取集成电路的当前最大允许负荷量;根据所述当前最大允许负荷量,产生所述集成电路的负荷状态调整信号;根据所述负荷状态调整信号,调整所述集成电路的负荷状态。本申请提供的集成电路负荷调整方法及相关装置,可以实现基于集成电路个体,提高在对应DIDT电压降情况下集成电路的性能。
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公开(公告)号:CN119201579A
公开(公告)日:2024-12-27
申请号:CN202411237027.2
申请日:2024-09-04
Applicant: 海光信息技术股份有限公司
Inventor: 庞博
IPC: G06F11/26
Abstract: 本申请实施例提供一种缓存设计的测试方法、测试配置方法及相关装置,其中测试方法包括:获取测试用例的配置信息,所述测试用例的配置信息包括多个缓存环境参数、以及多条测试激励的配置信息;其中,所述测试激励的配置信息对应的地址,覆盖缓存设计在缓存架构对应的性能瓶颈点;根据所述多个缓存环境参数,配置缓存设计的缓存环境;以及,根据多条测试激励的配置信息,生成多条测试激励;将多条测试激励施加给仿真的缓存设计,以对缓存设计进行测试。本申请实施例可以对缓存设计全面的性能瓶颈点进行测试,提升了缓存设计的性能测试的全面性,能够提升缓存设计的性能测试的效果。
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公开(公告)号:CN119201234A
公开(公告)日:2024-12-27
申请号:CN202411266817.3
申请日:2024-09-09
Applicant: 海光信息技术股份有限公司
Inventor: 张克松
IPC: G06F9/38
Abstract: 本公开的至少一个实施例提供了一种指令处理方法、处理器以及电子装置。该指令处理方法包括:根据指令预取请求提取对象指令,将提取的对象指令缓存在指令缓存队列中;响应于来自处理器核的流水线的指令释放信息,将对象指令从指令缓存队列填写到指令缓存单元中,其中,指令缓存单元被配置为由处理器核直接访问。该指令处理方法可以减少基于分支预测预取的指令对于指令缓存单元的污染,提高了处理器的性能。
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公开(公告)号:CN119182827A
公开(公告)日:2024-12-24
申请号:CN202411203496.2
申请日:2024-08-29
Applicant: 海光信息技术股份有限公司
IPC: H04L67/61
Abstract: 一种计算机装置、请求处理方法及电子设备。该计算机装置包括多个请求端、多个响应端、第一路由网络和第二路由网络。第一路由网络被配置为将多个请求端和多个响应端通信连接;第二路由网络被配置为将多个请求端和多个响应端通信连接;多个请求端被配置为将发送的第一类请求通过第一路由网络发送给多个响应端至少之一,且被配置为将第二类请求通过第二路由网络发送给多个响应端至少之一,第一类请求不同于第二类请求。该计算机装置能够降低请求在互联网络中的传输延时,提高请求的传输效率。
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公开(公告)号:CN119153398A
公开(公告)日:2024-12-17
申请号:CN202411249132.8
申请日:2024-09-04
Applicant: 海光信息技术股份有限公司
Inventor: 毛宇
IPC: H01L21/768 , H01L23/48
Abstract: 本申请实施例提供了一种半导体结构、形成方法及相关器件,其中,半导体结构的形成方法,包括:提供第一衬底和第二衬底,所述第一衬底和/或所述第二衬底上形成有阻挡层;键合第一衬底和第二衬底,形成叠层衬底,其中,所述阻挡层位于所述第一衬底和所述第二衬底之间;在所述叠层衬底上形成多个相互间隔的通孔,所述通孔至少贯穿所述第一衬底和所述第二衬底中的一衬底和所述阻挡层,以所述叠层衬底形成通孔的一侧为所述叠层衬底的正面,以远离所述叠层衬底形成通孔的一侧为所述叠层衬底的背面;在所述通孔内形成导电结构;以所述阻挡层为研磨停止层,研磨所述叠层衬底的背面,并以剩余的结构为目标半导体结构。本申请实施例能够提升器件的性能。
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公开(公告)号:CN119150764A
公开(公告)日:2024-12-17
申请号:CN202411068117.3
申请日:2024-08-06
Applicant: 海光信息技术股份有限公司
IPC: G06F30/33
Abstract: 一种用于存储控制器的验证方法及验证装置。该验证方法包括:使用验证组件对存储控制器执行验证操作;在设置的统计时间期间,从验证组件接收验证组件在验证操作中与存储控制器交互生成的多条事务信息;基于多条事务信息,获取存储控制器的至少一个性能指标;在统计时间结束后,输出至少一个性能指标。本公开实施例的方法可以基于事务信息来统计存储控制器的性能指标,因而可以有助于存储控制器的性能分析的性能指标进行统计,从而可以基于性能统计结果更好地优化存储控制器的配置。
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公开(公告)号:CN119135158A
公开(公告)日:2024-12-13
申请号:CN202411241049.6
申请日:2024-09-05
Applicant: 海光信息技术股份有限公司
Inventor: 薛金炜
IPC: H03K19/0185 , H03K17/687 , G06F15/78 , G06F1/14
Abstract: 本申请属于电子电路领域,具体涉及一种时钟监测装置、接口电路、SOC芯片及电子设备。该时钟监测装置包括:第一电容器、第二电容器、充放电模块以及检测模块;充放电模块与所述第一电容器、所述第二电容器连接,所述充放电模块被配置为受时钟信号的控制对所述第一电容器、所述第二电容器进行充放电;其中,所述第一电容器充电时所述第二电容器放电,所述第一电容器放电时所述第二电容器充电;检测模块与所述第一电容器和所述第二电容器连接,所述检测模块被配置为根据所述第一电容器的端电压和所述第二电容器的端电压,检测所述时钟信号是否异常。本申请可以快速准确的检测时钟信号是否异常,且无需借助参考时钟即可完成对时钟信号的检测。
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公开(公告)号:CN119132378A
公开(公告)日:2024-12-13
申请号:CN202411104825.8
申请日:2024-08-12
Applicant: 海光信息技术股份有限公司
Abstract: 本公开的至少一实施例提供了测试方法、测试装置、电子装置以及存储介质。该测试方法包括:经由双倍速率物理层接口与被测试设备进行数据通信以传输目标数据;以及对目标数据进行读写处理,其中,所述目标数据用于执行数据校验以测试所述被测试设备的性能。该测试方法可以摆脱对第三方指示产权(IP)供应商的依赖。
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公开(公告)号:CN119125938A
公开(公告)日:2024-12-13
申请号:CN202411256555.2
申请日:2024-09-05
Applicant: 海光信息技术股份有限公司
IPC: G01R31/40
Abstract: 本申请涉及一种上电顺序检测装置、方法、芯片及电子设备,属于电子电路领域。上电顺序检测装置,用于检测芯片中的N个电压域的上电顺序,N为大于等于2的整数,所述上电顺序检测装置包括:上电顺序侦测单元,每个所述上电顺序侦测单元用于连接两个电压域,以检测自身所连接的两个电压域的上电顺序;其中,每个所述上电顺序侦测单元的检测结果,用于确定所述N个电压域的上电顺序。本申请利用上电顺序侦测单元来连接两个电压域,以检测自身所连接的两个电压域的上电顺序,使得可以根据每个上电顺序侦测单元的检测结果,快速准确确定N个电压域的上电顺序。
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公开(公告)号:CN119088521A
公开(公告)日:2024-12-06
申请号:CN202411196872.X
申请日:2024-08-29
Applicant: 海光信息技术股份有限公司
Abstract: 本公开提供一种用于芯片验证的随机激励生成方法、装置、电子设备及介质。该方法包括:获取待测对象模块;基于用于待测对象模块的接口获取调度器,其中,调度器配置为分别支持与接口对应的协议;基于待测对象模块获取多个路由目的地;基于调度器和多个路由目的地,获取调度器对应的线程;触发调度器的线程,向待测对象模块的多个路由目的地发送数据包,用以获取到达待测对象模块的随机激励。本公开基于调度发包产生复杂激励,可以实现任意接口、任意组合场景的复杂随机激励验证场景。
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