公开(公告)号：CN110582852A

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：CN201880026850.5

申请日：2018-03-27

申请人： 克罗米斯有限公司

发明人： 弗拉基米尔·奥德诺博柳多夫 ,  奥兹古·阿克塔斯

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47

摘要： 一种垂直型肖特基二极管，包括：欧姆接触；第一外延N型氮化镓层，其物理接触所述欧姆接触并且具有第一掺杂浓度，以及第二外延N型氮化镓层，其物理接触所述第一外延N型氮化镓层并且具有比所述第一掺杂浓度低的第二掺杂浓度。该垂直型肖特基二极管还包括：第一边缘终端区域和第二边缘终端区域，其耦合至所述第二外延N型氮化镓层并且由所述第二外延N型氮化镓层的一部分将彼此分离；以及肖特基接触，其耦合至所述第二外延N型氮化镓层的一部分并且耦合至所述第一边缘终端区域和所述第二边缘终端区域。

公开(公告)号：CN110291645A

公开(公告)日：2019-09-27

申请号：CN201780086400.0

申请日：2017-12-20

申请人： 克罗米斯有限公司

发明人： 弗拉基米尔·奥德诺博柳多夫 ,  迪利普·瑞思布德 ,  奥兹古·阿克塔斯

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861

摘要： 一种形成半导体器件的方法，该方法包括：提供工程化衬底。所述工程化衬底包括多晶陶瓷芯、封装所述多晶陶瓷芯的阻挡层、耦合至所述阻挡层的键合层，以及耦合至所述键合层的实质单晶硅层。所述方法还包括：形成耦合至所述工程化衬底的肖特基二极管。所述肖特基二极管具有顶表面和底表面，该底表面耦合至所述实质单晶硅层。所述方法还包括：形成耦合至所述肖特基二极管的所述顶表面的肖特基接触；形成耦合至所述肖特基接触的金属镀层；移除所述工程化衬底，以暴露所述肖特基二极管的底表面；以及在所述肖特基二极管的所述底表面上形成欧姆接触。

公开(公告)号：CN109804456A

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201780062397.9

申请日：2017-08-23

申请人： 克罗米斯有限公司

发明人： 弗拉基米尔·奥德诺博柳多夫 ,  迪利普·瑞思布德 ,  奥兹古·阿克塔斯 ,  杰姆·巴斯切里

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L33/06 ,  H01L29/02 ,  C30B29/00 ,  C30B33/10 ,  C30B33/00

摘要： 一种功率器件，包括衬底，该衬底包括：多晶陶瓷芯、耦合至所述多晶陶瓷芯的第一粘附层、耦合至所述第一粘附层的阻挡层、耦合至所述阻挡层的键合层以及耦合至所述键合层的实质单晶层。所述功率器件还包括：耦合至所述实质单晶层的缓冲层以及耦合至所述缓冲层的沟道区。所述沟道区包括：第一端、第二端以及设置在所述第一端与第二端之间的中心部。所述沟道区还包括耦合至所述缓冲层的沟道区阻挡层。所述功率器件进一步包括：设置在所述沟道区的第一端的源极接触、设置在所述沟道区的第二端的漏极接触、以及耦合至所述沟道区的栅极接触。