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公开(公告)号：CN105653790B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201511018113.5
申请日：2015-12-29
Applicant: 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于人工神经网络的乱序处理器Cache访存性能评估方法，访存指令乱序执行，使得利用二进制执行工具提取的堆栈距离分布在预测LRU‑Cache访存行为时精度不高。本发明将红黑树与哈希表结合，设计基于Cache组关联结构的堆栈距离提取算法，并分别计算访存顺序与乱序执行的堆栈距离分布。利用BP神经网络拟合访存顺序执行的堆栈距离分布与访存缺失次数。将基于二进制执行工具提取的堆栈距离分布导入训练好的神经网络中，可高精度地预测Cache访存行为。本发明采用人工神经网络，有效地解决了利用二进制执行工具提取的堆栈距离分布在预测Cache访存行为上精度不高的问题。
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公开(公告)号：CN109041081A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810816727.5
申请日：2018-07-24
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
CPC classification number: H04W24/02 , H04W4/70 , H04W52/0225 , H04W52/0248 , H04W52/0261 , H04W76/28
Abstract: 本发明公开一种提高NB‑IoT终端设备能量利用效率的方法，步骤是：基站与移动终端建立连接后，基站统计移动终端连接建立状态下DL‑DCCH逻辑信道成功发送的数据总量，移动终端则统计连接建立状态下DL‑DCCH逻辑信道成功接收的数据总量；连接断开之后，基站和移动终端分别根据当前的数据总量与之前的各次记录计算出平均值和方差；基站和移动终端分别判断方差是否大于预设阈值，若小于，则分别使用平均值作为预测接收完成参数；基站与移动终端再次建立连接之后，当接收数据量大于等于预测接收完成参数后，缩短进入睡眠状态的时间，并延长休眠时间。此种方法能够通过对物联网设备通信数据量进行预测，在预测不再接收到数据时延长休眠时间，从而达到降低功耗的目的。
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公开(公告)号：CN108880509A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810407732.0
申请日：2018-05-02
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 本发明公开一种抗工艺和温度波动的极低功耗计时电路，包括RC环形振荡器、实时时钟晶体振荡器、采样计数电路和偏差校准电路，其中，RC环形振荡器产生理论频率值为2Hz的低频时钟信号作为计时时钟源，频率为32.768KHz的实时时钟晶体振荡器阶段性采样RC环形振荡器的2Hz时钟信号，通过采样计数电路确定RC环形振荡器的实际频率与理论值的偏差，通过偏差校准电路对计时结果校准。此种计时电路结构可替代传统RTC计时系统，实现低功耗高精度的计时电路设计。本发明还公开一种抗工艺和温度波动的极低功耗计时方法。
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公开(公告)号：CN105653474B
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201511017968.6
申请日：2015-12-29
Applicant: 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: G06F12/0877 , G06F12/0897
Abstract: 本发明公开了一种面向粗粒度动态可重构处理器的配置缓存控制器，由配置缓存控制逻辑、配置缓存分级表、配置缓存存储器、配置缓存查找表、配置缓存接口、配置缓存解析器和配置缓存控制逻辑组成；上述各组成部分协同工作，实现对配置单元的预取与更新，利用本发明可有效减少可重构阵列读取配置信息所需的时间，提升粗粒度动态可重构系统的性能。
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公开(公告)号：CN106021128B
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201610374345.2
申请日：2016-05-31
Applicant: 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: G06F12/0862
Abstract: 本发明公开了一种基于步幅和数据相关性的数据预取器及其预取方法，所述预取器包括步幅预取表、历史数据表、数据队列；所述预取方法通过步幅预取表和历史数据表对二级缓存未命中进行检测，判断是否进入预取状态，相应的在数据队列中添加预取请求，并对向外存访问接口发出预取信号进行预取。所述预取器及其预取方法在步幅预取方案的基础上增加关联性预取的技术特点，减少步幅预取方案的训练过程，从而提高步幅预取方案的预取覆盖率，实现性能提升并且节省了大量存储空间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108647780A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810324770.X
申请日：2018-04-12
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: G06N3/063
Abstract: 本发明公开一种面向神经网络的可重构池化操作模块结构，包括动态配置模块和池化计算模块，所述池化计算模块用于完成池化层的计算过程，在动态配置模块的作用下，实现不同的池化方法，并且动态地配置池化操作的计算规模；当前输入队列在上一次计算之后从数据存储器中读取，结果通过输出队列传输到数据存储器。本发明还公开一种面向神经网络的可重构池化操作模块结构的实现方法，通过外部控制信号，动态配置模块的各个单元实现对池化计算模块的控制，根据各单元发出的控制信号，计算模块进行相应的计算操作并给出精确的输出结果。此种技术方案不仅可以降低计算过程的复杂度和时间，同时减少功耗，而且提高了计算的灵活性和单元利用率。
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公开(公告)号：CN108318796A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201711326839.4
申请日：2017-12-12
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种三端口碳化硅基功率器件界面态测试方法，这种方法可以简单快速的提取三端口碳化硅基功率器件结型场效应区与栅氧层界面处的平均界面态密度，通过在三端口碳化硅基功率器件的栅极外接频率和幅值固定而基压V0变化的脉冲电压或频率和基压V0固定而幅值Vp变化的脉冲电压、源极外接反偏电压的负极、漏极外接反偏电压的正极、漏极外接电流表探测电流且电流表串接于漏极、电压源、源极组成的回路中，可以得到一条电流电压曲线，由电流电压曲线的峰值电流通过公式计算即可得到界面态沿结型场效应区上方的平均分布，同时，通过对比应力前后的测试曲线可判断器件结型场效应区与沟道区上方的栅氧层界面在应力作用下的退化情况。
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公开(公告)号：CN108304786A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810043902.1
申请日：2018-01-17
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于二值化卷积神经网络的行人检测方法，属于用于行人检测的电数字数据计算推算的技术领域。本发明将卷积层的输入数据以及卷积核组的权重参数二值化后转换为无符号的整型数组，通过整型数组的XNOR位操作和BITCOUNT操作来实现卷积计算，大幅降低计算量，具有占用内存少、访问内存时间短、卷积速度快的优点，既能够在PC上实现，又能适用于嵌入式系统，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN108269843A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201810038234.3
申请日：2018-01-15
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/06 , H01L21/331 , H01L29/739
Abstract: 一种带有沟槽的横向绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，在P型衬底上设有埋氧，在埋氧上设有N型SOI层和隔离沟槽，N型SOI层上设有N型缓冲区和P型体区，在N型缓冲区内设有P型集电极区，其上连接有集电极金属，在P型体区内设有N型发射极区，其右侧设有P型发射区，在发射极区上连接有发射极金属，在N型SOI层的上方设有场氧层，在N型SOI层内具有位于场氧化层下方的沟槽，沟槽内填充有多晶硅且沟槽下方不与氧化层相连，沟槽长度为1微米～100微米，沟槽数目为2～10个。所述带有沟槽的横向绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，位于绝缘层上硅层内且位于场氧化层下方的沟槽形成步骤依次为反应离子刻蚀，氧化层填充，多晶硅填充。
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公开(公告)号：CN107679469A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201710863757.7
申请日：2017-09-22
Applicant: 东南大学—无锡集成电路技术研究所 , 东南大学
CPC classification number: G06K9/6256 , G06K9/00228 , G06K9/3208
Abstract: 本发明公开了一种基于深度学习的非极大值抑制方法，针对深度学习目标检测算法预测窗口的特点，定义了一种新的置信度指数。提出了改进的窗口筛选准则和依据置信度指数对窗口参数进行加权平均的方法。相比于传统方法有着更高的定位精度，更高的召回率以及更佳的鲁棒性。本方法首先找到每个目标对应的置信度最高的窗口为主窗口，然后在每个窗口附近找到置信度大于阈值且与主窗口的交叠率大于阈值的一批窗口作为子窗口。根据子窗口的位置参数和置信度调整主窗口的位置参数，得到新的窗口。多种情况下的实验表明，在相同的目标检测算法下，本方法得到的窗口更接近于真实窗口。
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