发光元件、发光装置、电子设备及照明装置

    公开(公告)号:CN104168682A

    公开(公告)日:2014-11-26

    申请号:CN201410391765.2

    申请日:2011-03-08

    IPC分类号: H05B33/22 H05B33/14

    摘要: 本发明涉及一种发光元件、发光装置、电子设备及照明装置,其中,所述发光元件包括:阳极与阴极之间的EL层;阴极与EL层之间的第一层,第一层含有具有空穴传输性的物质以及相对于具有空穴传输性的物质的受主物质;阴极与EL层之间的第二层;以及阴极与EL层之间的第三层,第三层含有碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物和稀土金属化合物中的一种,其中,第一层设置在阴极与第二层之间并接触于阴极及第二层,第二层设置在第一层与第三层之间并接触于第一层及第三层,并且,第三层设置在第二层与EL层之间并接触于第二层及EL层,其特征在于,第二层含有酞菁类材料。

    一种有机单晶场效应电路及其制备方法

    公开(公告)号:CN104112819A

    公开(公告)日:2014-10-22

    申请号:CN201410341757.7

    申请日:2014-07-17

    IPC分类号: H01L51/40

    摘要: 本发明公开了一种有机单晶场效应电路及其制备方法。包括如下步骤:制备电路掩膜版;制备带有电路图案的柔性平面内嵌迭片电极:1)在衬底表面连接十八烷基三氯硅烷;2)在经修饰的衬底上分别制备源电极、漏电极和栅电极,并连接巯丙基三甲氧基硅烷;3)在源电极、漏电极和栅电极的金属电极表面分别旋涂聚二甲基硅氧烷;4)将旋涂有聚二甲基硅氧烷的栅电极转移;将栅电极的金属电极表面、源电极和漏电极的聚二甲基硅氧烷表面分别进行氧等离子体处理,形成羟基;5)剪裁源电极和漏电极,将栅电极、源电极和漏电极连接形成整体,即得柔性平面内嵌迭片电极;制备有机单晶场效应电路。本发明使用高精度的光刻法技术制备电极,可以制备精度高,复杂的图案,方便实用。