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公开(公告)号:CN103733318A
公开(公告)日:2014-04-16
申请号:CN201280040387.2
申请日:2012-08-08
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: B01J3/006 , H01J37/321 , H01J37/32706 , H01J37/32715 , H01L21/6831
Abstract: 提供一种真空处理装置以及真空处理方法,能够在进行等离子处理时强力吸附保持绝缘性基板。真空处理装置(1)具有:接地的真空槽(11),与真空槽(11)相连的真空排气装置(19),配置在真空槽(11)内部的吸附装置(40),对设在吸附装置(40)上的单极(3)外加输出电压的吸附用电源(16),向真空槽(11)内导入等离子生成气体的等离子生成气体导入装置(21),以及使等离子生成气体为等离子的等离子生成部(20),将处理对象物(6)配置在吸附装置(40)上,当通过吸附用电源(16)对单极(3)外加输出电圧时,在真空槽内(11)内生成等离子,并且当将处理对象物(6)吸附在吸附装置上时,通过等离子进行处理,其中,处理对象物(6)使用绝缘性基板,吸附用电源(16)向单极(3)输出正电圧和负电圧周期地变化的输出电圧。
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公开(公告)号:CN1179407C
公开(公告)日:2004-12-08
申请号:CN00810884.6
申请日:2000-05-25
CPC classification number: B23Q3/15 , B23Q3/154 , H01L21/6833 , H02N13/00
Abstract: 根据本发明,提供一种用于静电吸引绝缘基片的静电吸盘、使用静电吸盘加热/冷却绝缘基片的装置、和控制绝缘基片温度的方法。公开了形成静电吸盘的绝缘材料的形状和特性、和电极的形状。还公开了包括板、气体输送管道和温度控制系统的用于加热/冷却绝缘基片的装置、和其中安装了用于加热/冷却绝缘基片的装置的用于处理绝缘基片的装置。
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