公开(公告)号：CN1177016C

公开(公告)日：2004-11-24

申请号：CN01124930.7

申请日：2001-07-06

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 矢野义彦 ,  大池智之 ,  白川幸彦 ,  长野克人

IPC: C09K11/00

CPC classification number: C09K11/7731 ,  C09K11/7734 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22

Abstract: 本发明的目的是提供以高辉度发光的EL荧光体层叠薄膜和EL元件，为达此目的，将母体材料以从碱土类硫代铝酸盐、碱土类硫代镓酸盐、碱土类硫代铟酸盐中至少选出的1种化合物作为主成分，使添加发光中心稀土类元素的荧光体薄膜，和由碱土类氧化物形成的电介质薄膜层叠，形成由该结构的EL荧光体积层薄膜，和EL元件。

公开(公告)号：CN1461336A

公开(公告)日：2003-12-10

申请号：CN02801297.6

申请日：2002-04-19

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 矢野义彦 ,  大池智之

IPC: C09K11/62 ,  H05B33/14 ,  H05B33/10

CPC classification number: C09K11/7718 ,  C09K11/7731 ,  C09K11/7734 ,  H01J1/63

Abstract: 本发明提供一种高辉度、且由于色纯度良好而不需要采用滤波片、并且辉度寿命长、特别适用于全色EL面板用的RGB的各元件的荧光体薄膜。本发明的荧光体薄膜，包含母体材料和发光中心，母体材料为至少含有碱土类元素、Ga和/或In、硫(S)、进而也可以含有Al的硫化物，或者除此之外进一步含有氧(O)的氧硫化物，在母体材料中，当碱土类元素以A表示，Ga、In和Al以B表示时，原子比B/A为B/A＝2.1～3.5。

公开(公告)号：CN1461335A

公开(公告)日：2003-12-10

申请号：CN02801296.8

申请日：2002-04-19

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 矢野义彦 ,  大池智之

IPC: C09K11/62 ,  H05B33/14 ,  H05B33/10

CPC classification number: C09K11/7706 ,  C09K11/7703 ,  C09K11/7731 ,  C09K11/7734 ,  C09K11/7771 ,  H05B33/14

Abstract: 本发明提供一种高辉度、且由于颜色纯度良好而不需要采用滤波片、并且辉度寿命长、特别适用于全色EL面板用的RGB的各元件的荧光体薄膜。本发明的荧光体薄膜包含母体材料和发光中心。母体材料为至少含有碱土类元素、Ga和/或In、硫(S)和氧(O)的氧硫化物。在母体材料中，相对于氧和硫的总和的氧的原子比0/(S+O)为0.1～0.85。

公开(公告)号：CN1381540A

公开(公告)日：2002-11-27

申请号：CN01124931.5

申请日：2001-07-06

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 矢野义彦 ,  长野克人

IPC: C09K11/00

CPC classification number: H05B33/14 ,  C09K11/7734 ,  Y10S428/917

Abstract: 本发明的目的是提供不需要滤色片、色纯度良好、特别适于全色EL用半色的荧光体薄膜及其制造方法,和EL板,为达此目的,母体材料以硫代铝酸钡为主成分,在该母体材料中添加Mg,进而添加作为发光中心形成Eu稀土类元素的荧光体薄膜,及其制造方法,和用它构成的EL板。

公开(公告)号：CN1274954A

公开(公告)日：2000-11-29

申请号：CN00108912.9

申请日：2000-05-19

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 矢野义彦 ,  野口隆男 ,  阿部秀典 ,  斎藤久俊

IPC: H01L41/16 ,  H03H9/17

CPC classification number: H03H9/176 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/316 ,  H03H3/04 ,  H03H9/0211 ,  H03H9/174 ,  Y10T428/3171

Abstract: 一种薄膜压电装置,具有在硅基板(2)上的外延金属薄膜(4)和在该金属薄膜上的PZT薄膜(5),该PZT薄膜(5)具有从0.65到0.90的Ti/(Ti+Zr)原子比。由此可以实现具有极宽带的薄膜体声波谐振器。