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公开(公告)号：CN105977529A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610137537.1
申请日：2016-03-10
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01M10/0562 , C04B35/48 , C04B35/50 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供一种晶粒内电阻成分贡献的离子传导率较高的具有石榴石型或类似石榴石型的晶体结构的锂离子传导性氧化物陶瓷材料。本发明的具有石榴石型或类似石榴石型的晶体结构的锂离子传导性氧化物陶瓷材料含有Li、La、Zr和O，且还含有选自稀土元素中的一种以上的元素。
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公开(公告)号：CN102442825B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201110309878.X
申请日：2011-09-30
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , C04B35/626 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/468 , C01G23/003 , C01P2002/72 , C01P2004/52 , C01P2004/62 , C01P2006/12 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3232 , C04B2235/3286 , C04B2235/767
Abstract: 六方晶系钛酸钡粉末、其制造方法、电介质陶瓷组合物、电子部件及电子部件的制造方法，一种六方晶系钛酸钡粉末，其以通式(Ba1-αMα)A(Ti1-βGaβ)BO3表示，晶体结构为六方晶，所述M的有效离子半径相对于12配位时的Ba2+的有效离子半径为±25％以内，所述A、B、α和β满足0.975≤(A/B)≤1.015、0.0015≤α≤0.005、0.075≤β≤0.15的关系。
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公开(公告)号：CN102060521B
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201010537022.3
申请日：2010-11-05
Applicant: TDK株式会社 , 独立行政法人宇宙航空研究开发机构
IPC: H01B3/12 , H01G4/12 , C04B35/468 , C04B35/626
CPC classification number: C01G23/006 , C01G45/125 , C01P2002/52 , C01P2002/72 , C01P2002/76 , C01P2004/51 , C01P2004/52 , C01P2004/53 , C01P2006/12 , C01P2006/40 , C04B35/468 , C04B35/62675 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3241 , C04B2235/3263 , C04B2235/3281 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/365 , C04B2235/5409 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/662 , C04B2235/767 , C04B2235/785 , C04B2235/79 , C04B2235/80 , C04B2235/81
Abstract: 本发明涉及六方晶系钛酸钡粉末、其制造方法、电介质陶瓷组合物和电子部件。电介质陶瓷组合物，其以六方晶系钛酸钡为主成分，该六方晶系钛酸钡用通式(Ba1-αMα)A(Ti1-βMnβ)BO3表示，晶体结构为六方晶，且上述M的12配位时的有效离子半径相对于12配位时Ba2+的有效离子半径为±20％以内，上述A、B、α和β满足0.900≤(A/B)≤1.040、0.003≤α≤0.05、0.03≤β≤0.2的关系，相对于该主成分100摩尔，作为副成分，以特定量含有MgO等的碱土类氧化物、Mn3O4和/或Cr2O3、CuO、Al2O3、稀土类元素氧化物、和含SiO2的玻璃成分。根据本发明，可以提供适用于制造表现高的相对介电常数、绝缘电阻优异、且可确保充分可靠性的电容器等电子部件的六方晶系钛酸钡和电介质陶瓷组合物。
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公开(公告)号：CN102731089A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210087451.4
申请日：2012-03-29
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , H01G4/12 , H01G4/30
CPC classification number: C04B35/4682 , C04B2235/3251 , C04B2235/3286 , C04B2235/3418 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/79 , C04B2235/81 , H01G4/1227
Abstract: 本发明涉及半导体陶瓷和层叠型半导体陶瓷电容器，更具体地，涉及BaTiO3系晶界绝缘型的半导体陶瓷和使用其的层叠型半导体陶瓷电容器。其目的在于提供通过提高半导体陶瓷部分的绝缘性，从而可兼具作为半导体陶瓷的高介电特性和高绝缘电阻的层叠型半导体陶瓷电容器。本发明所述的BaTiO3系半导体陶瓷，其特征在于，其由BaA(Ti1-α-βGaαNbβ)BO3所示，A/B摩尔比在0.900以上且1.060以下的范围，α/β摩尔比在0.92以上且100以下的范围。
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公开(公告)号：CN102060521A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010537022.3
申请日：2010-11-05
Applicant: TDK株式会社 , 独立行政法人宇宙航空研究开发机构
IPC: C04B35/468 , C04B35/626 , H01B3/12 , H01G4/12
CPC classification number: C01G23/006 , C01G45/125 , C01P2002/52 , C01P2002/72 , C01P2002/76 , C01P2004/51 , C01P2004/52 , C01P2004/53 , C01P2006/12 , C01P2006/40 , C04B35/468 , C04B35/62675 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3241 , C04B2235/3263 , C04B2235/3281 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/365 , C04B2235/5409 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/662 , C04B2235/767 , C04B2235/785 , C04B2235/79 , C04B2235/80 , C04B2235/81
Abstract: 本发明涉及六方晶系钛酸钡粉末、其制造方法、电介质陶瓷组合物和电子部件。电介质陶瓷组合物，其以六方晶系钛酸钡为主成分，该六方晶系钛酸钡用通式(Ba1-αMα)A(Ti1-βMnβ)BO3表示，晶体结构为六方晶，且上述M的12配位时的有效离子半径相对于12配位时Ba2+的有效离子半径为±20％以内，上述A、B、α和β满足0.900≤(A/B)≤1.040、0.003≤α≤0.05、0.03≤β≤0.2的关系，相对于该主成分100摩尔，作为副成分，以特定量含有MgO等的碱土类氧化物、Mn3O4和/或Cr2O3、CuO、Al2O3、稀土类元素氧化物、和含SiO2的玻璃成分。根据本发明，可以提供适用于制造表现高的相对介电常数、绝缘电阻优异、且可确保充分可靠性的电容器等电子部件的六方晶系钛酸钡和电介质陶瓷组合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100439285C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200610056980.2
申请日：2006-03-07
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/491 , H01L41/187
Abstract: 本发明提供一种压电陶瓷组合物，其主成分为以Pb、Ti、Zr为构成元素的复合氧化物，含有从Mn、Co、Cr、Fe、Ni中选择的至少一种作为第一副成分，该第一副成分的含量换算成氧化物为小于等于0.2质量%(但不包括0)；或者，含有以CuOx(x≥0)表示的成分中的至少一种作为第一副成分，此时的第一副成分的含量换算成CuO为小于等于3.0质量%(但不包括0)。压电陶瓷组合物在还原烧成条件下烧成，所述还原烧成条件例如为烧成温度在800℃～1200℃，氧分压为1×10-10～1×10-6大气压。本发明可以使用Cu、Ni等廉价金属材料作为电极材料，可以抑制高温下电阻、电气机械结合系数kr的下降。
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公开(公告)号：CN1309682C
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN01124350.3
申请日：2001-07-27
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/453 , C04B35/495 , H01L41/187
CPC classification number: H01L41/187 , C04B35/475
Abstract: 本发明提供一种不含铅，具有十分高的居里点，并且显示优良压电特性的压电陶瓷。该压电陶瓷中含有作为铋层状化合物的Bi3TiNbO9型结晶和/或MBi2Nb2O9型结晶，式中的M表示选自Sr、Ba和Ca的至少一种元素，其中所含的Bi、Ti、M和Nb是主成分元素，作为上述主成分元素的氧化物，其摩尔比以通式(Bi3-xMx)z(Nb1+yTi1-y)O9表示，其中，0＜x，y≤0.8，0.95≤z≤1.05，当摩尔比Ba/(M+Bi)以xB/3表示并且摩尔比Ca/(M+Bi)以xc/3表示时，0≤xB≤0.5，0≤xc＜0.4。
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公开(公告)号：CN118946936A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202380027197.5
申请日：2023-03-17
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01B1/06 , H01B1/08 , H01M10/052 , H01M10/0562
Abstract: 本发明的固体电解质层(3)具有：第一相区域(31)，其包含第一固体电解质，该第一固体电解质含有Li、Si、P以及O，且具有γ‑Li3PO4型的晶体结构；以及，第二相区域(32)，其包含第二固体电解质，上述第二固体电解质含有Li、Si、P以及O，由与上述第一固体电解质不同的组成构成，且具有Li4SiO4型的晶体结构。本发明的固体电解质层(3)中，上述第一相区域(31)的体积与上述第二相区域(32)的体积之比优选为0.1以上9以下。
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公开(公告)号：CN118922895A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202380027193.7
申请日：2023-03-17
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01B1/06 , H01B1/08 , H01M10/052 , H01M10/0562
Abstract: 本发明的固体电解质层(3)具有：第一相区域(31)，其包含第一固体电解质，该第一固体电解质含有Li、Si、V以及O，且具有γ‑Li3PO4型的晶体结构；以及，第二相区域(32)，其包含第二固体电解质，该第二固体电解质含有Li、Si、V以及O，由与上述第一固体电解质不同的组成构成，且具有Li4SiO4型的晶体结构。本发明的固体电解质层(3)中，上述第一相区域(31)的体积与上述第二相区域(32)的体积之比优选为0.1以上9以下。
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公开(公告)号：CN111742432B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN201980014377.3
申请日：2019-02-21
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01M4/58 , H01B1/06 , H01B1/08 , H01M10/052 , H01M10/0562
Abstract: 本发明的活性物质由化学式Li3+aV2－xMx(PO4)3(－0.3≤a≤0.7、0＜x≤1.4)表示，M为在结晶结构中成为2价或4价的阳离子的元素。上述活性物质具有高的电子传导性。另外，包含上述活性物质的全固体二次电池的内部电阻降低。
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