公开(公告)号：CN116457385A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202180079426.9

申请日：2021-11-25

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 裵栽荣 ,  金正武 ,  韩赫熙 ,  明正焕 ,  柳景桓 ,  郑周永 ,  甄明玉 ,  柳智娟

IPC: C08G18/70

Abstract: 根据示例性实施方案的多硫醇组合物包括：在230nm波长处获得的高效液相色谱(HPLC)分析谱图中提供最大峰的第一多硫醇化合物，和分子量大于第一多硫醇化合物的分子量且由C9H20S6表示的第二多硫醇化合物。通过在230nm波长处的HPLC分析谱图测量的第二多硫醇化合物的峰面积与第一多硫醇化合物的峰面积的比为0.05％至5.0％。

公开(公告)号：CN112210824A

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN202010531612.9

申请日：2020-06-11

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 朴钟辉 ,  甄明玉 ,  高上基 ,  具甲烈 ,  金政圭 ,  沈钟珉 ,  张炳圭 ,  崔正宇

IPC: C30B23/00 ,  C30B29/36 ,  C23C14/06 ,  C23C14/24

Abstract: 本发明涉及用于生长碳化硅晶锭的粉末以及碳化硅晶锭的制备方法。所述碳化硅晶锭的制备方法包括准备步骤，将包含碳化硅颗粒的粉末装入反应容器中，并将籽晶放置在所述反应容器的一个表面，及生长步骤，使所述粉末升华以从所述籽晶生长碳化硅晶锭，所述粉末的流动指数为5到35。本发明的用于生长锭的粉末、使用其的晶锭的制备方法等可以提供抑制异质多型体的混入，以提供缺陷很少或基本上没有缺陷的优质碳化硅晶锭、及由其制成的晶片等。

公开(公告)号：CN108581822B

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN201810493229.1

申请日：2018-05-22

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 安宰仁 ,  徐章源 ,  尹晟勋 ,  文寿泳 ,  甄明玉

IPC: B24B37/24 ,  B24B37/26 ,  B24B1/00

Abstract: 本发明实施方式涉及一种多孔聚氨酯抛光垫及采用该抛光垫制备半导体器件的方法。所述多孔聚氨酯抛光垫包括聚氨酯类预聚物和固化剂，所述抛光垫的厚度为1.5‑2.5mm，具有平均直径为10‑60μm的多个孔，抛光垫的比重为0.7‑0.9g/cm3，25℃下的表面硬度为45‑65Shore D，抗拉强度为15‑25N/mm2，延伸率为80‑250％，从与待抛光的物体直接接触的抛光表面至预定深度测得的AFM(原子力电子显微镜)弹性模量为30‑100MPa，其中，所述预定深度为距抛光表面1‑10μm的深度。