公开(公告)号：CN101029981A

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200610130973.2

申请日：2006-12-22

Applicant: 日本电气株式会社 ,  日本电气液晶显示技术株式会社

Inventor： 松岛仁 ,  奥村展 ,  住吉研

IPC: G02F1/133 ,  G09G3/36 ,  G02F1/1335

CPC classification number: G02F1/1323 ,  G09G3/3688 ,  G09G2310/0297 ,  G09G2320/0209 ,  G09G2320/0242

Abstract: 一种液晶显示元件，容纳设有反射从显示面侧的入射光并显示信息的凹凸反射像素电极的反射部分，和设有透射从背光输出的光的透射像素电极的透射部分。施加到反射部分和透射部分的电压被独立控制。反射部分和透射部分具有宽视角特性。在大于某个角度的宽视角区域中，反射部分的亮度大于透射部分的亮度，而在其它角度区域中透射部分的亮度大于反射部分的亮度。在宽视场模式中，反射部分和透射部分都进行正常显示，而在窄视场模式中，透射部分进行正常显示，反射部分进行取消数据显示，由此使透射部分的显示内容在超过某个视角时不可见。从而有可能提供在窄视场模式和宽视场模式之间可切换的半透射液晶显示装置和便携终端装置。

公开(公告)号：CN1523679A

公开(公告)日：2004-08-25

申请号：CN200410005375.3

申请日：2004-02-11

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 奥村展

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/42384 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/124 ,  H01L29/78624 ,  H01L29/78645

Abstract: 提供一种薄膜晶体管衬底，包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管。第一薄膜晶体管包括第一激活层、第一栅极绝缘薄膜和第一栅电极。第二薄膜晶体管包括形成的第二激活层、第二栅极绝缘薄膜和第二栅电极。第二栅极绝缘薄膜的厚度大于第一栅极绝缘薄膜的厚度，第二激活层具有至少两个叠盖第二栅电极的杂质掺杂区域，第一激活层具有至少两个相对于第一栅电极以自对准方式形成的杂质掺杂区域，以及第二栅电极包括半导体层。

公开(公告)号：CN1521858A

公开(公告)日：2004-08-18

申请号：CN200410003727.1

申请日：2004-02-04

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 奥村展

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L21/02675 ,  G02F1/136209 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78675

Abstract: 提供了一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括透明绝缘衬底，设置在透明绝缘衬底质上方的下遮光膜，设置在下遮光膜上方的基础层间膜，设置在基础层间膜上方的半导体膜。薄膜晶体管还包括形成在基础层间膜和半导体膜之间界面处的凹凸，设置在半导体膜上方的栅极绝缘膜和设置在栅极绝缘膜上方的栅电极。

公开(公告)号：CN101431016A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200810179143.8

申请日：2004-03-15

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 奥村展

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种多晶半导体薄膜的制造方法，包括：半导体膜形成步骤，在基板上形成具有热容量大的大热容量部分和热容量小的小热容量部分的非单晶半导体薄膜；以及退火步骤，向所述非单晶半导体薄膜照射所述小热容量部分完全熔化而所述大热容量部分不完全熔化的能量密度的激光。在所述激光退火步骤中，所述激光是被加工成具有短轴和长轴的线状的斑直径的脉冲激光，使所述激光一边在所述短轴方向上以不大于所述非单晶半导体薄膜的晶种的粒径的所述短轴方向的移动距离依次移动，一边照射。因此，能够简单地实现薄膜晶体管的低阈值电压、高载流子迁移率以及低漏电流等特性。

公开(公告)号：CN1813344A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200480018201.9

申请日：2004-03-15

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 奥村展

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种能够简单地实现低阈值电压、高载流子迁移率以及低漏电流等特性的TFT等。TFT由具有小热容量部分和大热容量部分的多晶Si膜构成，小热容量部分至少被用作沟道部分。并且，多晶Si膜由通过激光退火而形成的晶粒膜构成，该激光退火的能量密度具有使小热容量部分完全熔化而使大热容量部分不完全熔化的大小。由于由从小热容量部分和大热容量部分的界面生长的粗大晶粒构成沟道部分，所以，可以使用一般的激光退火装置简单地实现低阈值电压、高载流子迁移率以及低漏电流等特性。

公开(公告)号：CN1403861A

公开(公告)日：2003-03-19

申请号：CN02142000.9

申请日：2002-09-02

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 奥村展

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1335

CPC classification number: G02F1/133553 ,  G02F1/136227 ,  Y10S438/94

Abstract: 通过涂覆和烘干在设有薄膜晶体管16的基片14上形成平坦的有机绝缘层18。接着，在有机绝缘层18上照射脉冲型激光束，通过烧蚀在有机绝缘层18上形成接触孔18a和波纹18b。形成的波纹18b具有至少四个高度等级。

公开(公告)号：CN101431016B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN200810179143.8

申请日：2004-03-15

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 奥村展

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种多晶半导体薄膜的制造方法，包括：半导体膜形成步骤，在基板上形成具有热容量大的大热容量部分和热容量小的小热容量部分的非单晶半导体薄膜；以及退火步骤，向所述非单晶半导体薄膜照射所述小热容量部分完全熔化而所述大热容量部分不完全熔化的能量密度的激光。在所述激光退火步骤中，所述激光是被加工成具有短轴和长轴的线状的斑直径的脉冲激光，使所述激光一边在所述短轴方向上以不大于所述非单晶半导体薄膜的晶种的粒径的所述短轴方向的移动距离依次移动，一边照射。因此，能够简单地实现薄膜晶体管的低阈值电压、高载流子迁移率以及低漏电流等特性。

公开(公告)号：CN100555588C

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200480018201.9

申请日：2004-03-15

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 奥村展

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种能够简单地实现低阈值电压、高载流子迁移率以及低漏电流等特性的TFT等。TFT由具有小热容量部分和大热容量部分的多晶Si膜构成，小热容量部分至少被用作沟道部分。并且，多晶Si膜由通过激光退火而形成的晶粒膜构成，该激光退火的能量密度具有使小热容量部分完全熔化而使大热容量部分不完全熔化的大小。由于由从小热容量部分和大热容量部分的界面生长的粗大晶粒构成沟道部分，所以，可以使用一般的激光退火装置简单地实现低阈值电压、高载流子迁移率以及低漏电流等特性。

公开(公告)号：CN1440080A

公开(公告)日：2003-09-03

申请号：CN03103798.4

申请日：2003-02-24

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 奥村展

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L29/41733

Abstract: 本发明提供了一种沟道蚀刻薄膜晶体管，沟道蚀刻薄膜晶体管具有：源极，其包括源极主部和源极引线部；以及漏极，其包括漏极主部和漏极引线部。源极引线部和漏极引线部中的至少一个具有侧接触部，该侧接触部直接与有源层的侧壁接触。侧接触部的平均宽度比源极主部和漏极主部中的对应一方的平均宽度窄。

公开(公告)号：CN101562197B

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN200910140435.5

申请日：2004-03-15

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 奥村展

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L29/12 ,  H01L29/06 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/32 ,  H04M1/02 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管、薄膜晶体管基板及电子设备。薄膜晶体管的特征在于，由具有热容量大的大热容量部分和热容量小的小热容量部分的多晶半导体薄膜构成，所述小热容量部分至少被用作沟道部分，所述多晶半导体薄膜由下述的晶粒膜形成，所述晶粒膜通过所述小热容量部分完全熔化而所述大热容量部分不完全熔化的能量密度的激光退火而形成，并且形成于所述小热容量部分上的所述沟道部分的沟道宽度方向上的端部比所述大热容量部分的沟道宽度方向上的端部位于内侧。