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公开(公告)号：CN215910692U
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202122643142.8
申请日：2021-10-29
Applicant: 青岛海信宽带多媒体技术有限公司
IPC: G02B6/42
Abstract: 本申请提供的光模块包括光发射次模块，光发射次模块包括TO管座、罩于TO管座上的TO管帽、设于TO管座上的第一凸台、设于第一凸台侧面上的陶瓷基板与EML芯片，陶瓷基板上设有第一薄膜电阻、第二薄膜电阻与电容，第一、第二薄膜电阻的一端设有电容焊盘，电容的一端与电容焊盘电连接、另一端通过打线与接地管脚电气连接；EML芯片设于陶瓷基板的侧面上，其上EA区的一端通过打线与射频管脚电气连接，第一和/或第二薄膜电阻的另一端与EA区的另一端电气连接。本申请在陶瓷基板上设有多个薄膜电阻与电容，以在EML芯片的回路中接入不同的电阻与电容，由此实现了阻抗匹配，改变了电感，降低了电寄生效应，以此改善了带宽与眼图。
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公开(公告)号：CN219349197U
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202223298230.X
申请日：2022-12-08
Applicant: 青岛海信宽带多媒体技术有限公司
IPC: G02B6/42
Abstract: 本申请公开了一种光模块，包括圆方管体、光发射组件和光纤适配器。光纤适配器与圆方管体固定连接，不能沿着圆方管体转动，也不能沿着圆方管体伸入伸出。光发射组件包括第一透镜和激光芯片。激光芯片的发射光功率大于光模块的预设发射光功率。第一透镜的直径对应的耦合效率位于第一预设值与第二预设值之间，第一预设值为光模块的最小预设发射光功率与激光芯片的发射光功率的比值，第二预设值为光模块的最大预设发射光功率与激光芯片的发射光功率的比值。本申请中，第一透镜的直径对应的耦合效率位于第一预设值与第二预设值，使得光模块的实际发射光功率位于光模块的预设发射光功率范围内。
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公开(公告)号：CN218675384U
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202221914476.2
申请日：2022-07-21
Applicant: 青岛海信宽带多媒体技术有限公司
IPC: G02B6/42
Abstract: 本申请提供的光模块中，包括电路板和光接收器件，光接收器件包括管壳，管壳内设有基板，基板表面设有光电探测器和TIA；光接收器件还包括电连接件，电连接件伸入管壳内的一端设有第一焊盘区，第一焊盘区表面设有第一接地焊盘，第一接地焊盘与第一供电焊盘相邻设置，且第一接地焊盘表面设有滤波电容；由于第一接地焊盘与第一供电焊盘相邻设置，则第一供电焊盘与滤波电容之间的打线较短，进而避免高频噪声耦合到TIA的输入端；由于滤波电容直接设置在第一接地焊盘表面，滤波电容与第一接地焊盘之间无需打金线连接，则高频噪声通过滤波电容回流至GND的回流路径电感较小，进而高频噪声顺利地回流至GND上，保证对高频噪声的滤波效果。
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公开(公告)号：CN216248434U
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202122765496.X
申请日：2021-11-11
Applicant: 青岛海信宽带多媒体技术有限公司
IPC: G02B6/42
Abstract: 本申请提供了一种光发射次模块及光模块，光发射次模块包括管壳、管帽、光发射芯片与衔接电路，管壳内设有第一腔体，管壳的侧壁上设有开口、插口，插口使得电连接器进入第一腔体中；管帽罩扣开口以形成第二腔体；光发射芯片设于第二腔体中，衔接电路设于第一腔体中，衔接电路通过开口与光发射芯片电连接、与电连接器电连接。本申请增设了管壳，管壳内设有第一腔体，管帽罩扣管壳形成第二腔体，第一腔体中设有衔接电路，第二腔体中设有光发射芯片，衔接电路的一端通过管壳的开口与光发射芯片电连接、另一端与电连接器电连接，即通过电连接器直接为光发射芯片传输数据信号，使得光模块具有良好的高频传输特性、更好的电磁屏蔽效果。
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公开(公告)号：CN214954233U
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202121170714.9
申请日：2021-05-27
Applicant: 青岛海信宽带多媒体技术有限公司
IPC: G02B6/42
Abstract: 本申请公开了一种光模块，包括：TO管座，设置有第一子管脚和第二子管脚。侧面平台，设置于所述TO管座表面，与TO管座垂直固定连接；金属镀层陶瓷基板，设置于侧面平台的一侧，表面设置有互不连通的第一导电片与第二导电片；第一子管脚与第一导电片通过金线连接，第二子管脚与第二导电片通过金线连接；第一连接件，设置于所述TO管座的表面，与第一子管脚接近但不连接；第二连接件，设置于TO管座的表面，与第二子管脚接近但不连接。第一连接件和第二连接件为第一子管脚、第二子管脚内的信号提供回流，拉近GND参考面，就是拉近回流面，缩短回流路径，降低等效电感，减弱信号反射，以达到阻抗适配，大幅提升高频信号带宽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN221572874U
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202322983602.0
申请日：2023-11-06
Applicant: 青岛海信宽带多媒体技术有限公司
IPC: G02B6/42
Abstract: 本申请提供了一种光模块，包括：上壳体与下壳体盖合形成的腔体，以及位于腔体内部的电路板。圆方管体的一端设有光纤，圆方管体内设有第二汇聚透镜和准直透镜。光发射部件位于圆方管体的另一端。光发射部件与电路板电连接，包括：管帽与管座，光发射芯片位于管座的表面，第一汇聚透镜位于管座的表面；其中，光发射芯片发出的信号光依次经过第一汇聚透镜、光窗、准直透镜和第二汇聚透镜；信号光经第一汇聚透镜汇聚的焦点位于准直透镜与反射镜之间。使得准直透镜设置于光发射部件的外部，且通过调整准直透镜与反射镜之间的距离，实现准直透镜准直后的光束直径与第二汇聚透镜的准直直径相匹配，提高光模块的耦合效率。
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公开(公告)号：CN221406107U
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202323186443.8
申请日：2023-11-23
Applicant: 青岛海信宽带多媒体技术有限公司
Abstract: 本公开提供的光模块中光发射部件包括：管座和罩设于管座上方管帽，管帽设有光窗。管座上设有TEC，TEC包括第一基板。第一基板承载有第一光发射组件和第二基板。第二基板承载有合束器和第二光发射组件。第一光发射组件用于发射第一信号光，所述第二光发射组件用于发射第二信号光。合束器位于第一光发射组件和第二光发射组件之间。合束器包括：第一反射层和第二反射层。第一信号光在第一反射层发生反射，第二信号光在第二反射层发生反射，第一信号光透射经过第二反射层。第一信号光与第二信号光经合束器合束后透射经过光窗。本申请提供的光模块中光发射部件可发射两种不同波长的信号光，提高了光模块的集成密度。
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公开(公告)号：CN217521405U
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202221698289.5
申请日：2022-06-30
Applicant: 青岛海信宽带多媒体技术有限公司
IPC: G02B6/42
Abstract: 本申请提供的光模块中，包括光发射器件，光发射器件包括TEC和管座，TEC包括第一基板和第二基板，第一基板与第二基板相对平行设置；在TEC表面设置倾斜垫块，倾斜垫块剖面为三角形，倾斜垫块包括倾斜面，倾斜面与第一基板表面之间呈预设角度；倾斜垫块表面设有激光芯片基板，激光芯片基板表面设有激光芯片，激光芯片产生的光信号沿倾斜面倾斜射出，光信号的发射角度会减小，进而会增加光信号至管帽透镜处的耦合效率；同时，倾斜垫块的设置可增加激光芯片的设置高度，可以增加管座的设置高度，进而减小柔性电路板的设置长度，增加高频信号性能；同时，由于避免设置钨铜热沉，进而可缩短激光器与TEC之间的导热路径。
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公开(公告)号：CN220085123U
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202321480337.8
申请日：2023-06-09
Applicant: 青岛海信宽带多媒体技术有限公司
IPC: G02B6/42
Abstract: 本公开提供了一种光模块，包括光发射部件，光发射部件包括发射管壳、引脚及位于发射管壳内的第一与第二激光器组，发射管壳内安装有接地件；引脚包括第一、第二引脚组，第一引脚组的引脚插入发射管壳内，第一激光器组通过打线与第一引脚组连接；第二引脚组包括插入发射管壳的高速信号、供电引脚及与发射管壳连接的接地引脚，接地件包围高速信号引脚，接地件与高速信号引脚间的距离小于高速信号、接地引脚间的距离；第二激光器组通过打线与高速信号、供电引脚及接地件连接，第二激光器组的传输速率大于第一激光器组的传输速率。本公开在发射管壳内增设接地件，通过接地件实现了高速信号引脚与第二激光器组的阻抗匹配，提高了光模块的传输速率。
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公开(公告)号：CN217521403U
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202221481644.3
申请日：2022-06-14
Applicant: 青岛海信宽带多媒体技术有限公司
IPC: G02B6/42
Abstract: 本申请公开了一种光模块，包括管座。管座设有半导体制冷器。半导体制冷器包括第一。第二基板。第一基板包括支撑板和散热板。支撑板，固定于管座的顶面，上设置有第一、第二电极。散热板，与支撑板连接，与支撑板呈预设角度设置，与第二基板通过半导体管柱组连接。第二基板与支撑板不接触。本申请中，支撑板固定于管座的顶面，支撑板与散热板呈预设角度设置，第二基板与散热板通过半导体管柱组连接，说明半导体管柱组与管座的顶面不再垂直平行设置，使得半导体管柱组的数量及第二基板与第一基板的面积不再受限，提高半导体管柱组的数量及第二基板与第一基板的面积，进而提高半导体制冷器的控温能力。
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