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公开(公告)号：CN119050145A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411166938.0
申请日：2024-08-23
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管，包括包括漏极金属层、锗硅异质结结构、传导区域、体区域、重掺杂接触区域、氧化层(8)、重掺杂栅极多晶硅层、源极金属层；本发明改善了器件的反向回复特性，相较于现有的功率金属氧化物半导体场效应晶体管，本发明的反向恢复时间更小、反向恢复时间更短、反向恢复电荷更低。当晶体管承受反向电压的时候，即金属氧化物半导体场效应晶体管工作在逆向导通状态下时，从源极注入的空穴将流向漏极；然而器件源极侧的异质结结构将会导致能带上的差异变化，使得空穴更容易从漂移区内部进入到锗硅区域中，实现减少漂移区内部空穴浓度的效果，实现改善反向恢复性能。
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公开(公告)号：CN118969843A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411031978.4
申请日：2024-07-30
Applicant: 重庆大学 , 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 本申请提供一种屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法，该半导体场效应晶体管通过辅助栅阳极氧化层、第一导电类型屏蔽栅极多晶硅区域、第一导电类型辅助栅阳极多晶硅区域共同构成辅助栅结构，辅助栅作为反向导通二极管，当器件反向导通的时候，辅助栅由于更低的导通电压而优先导通，且为单极导通二极管，减少了器件内部空穴浓度，因此很大程度上改善了传统的屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管的反向恢复性能。此外，由于源极金属层与第二导电类型体区域形成肖特基接触，减小了原本传统结构中寄生三极管结构的影响，从而改善了器件的工作可靠性。
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公开(公告)号：CN118610259A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410754616.1
申请日：2024-06-12
Applicant: 重庆大学 , 重庆平伟实业股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种超低导通电阻鳍型异质结场效应晶体管，包括：第一导电类型衬底；漏极金属层；第一导电类型漂移层；第一导电类型第一导电层；所述第一导电类型第一导电层背离所述第一导电类型漂移层的一侧包括至少一个凸出部；第二导电类型第一半导体层；第二导电类型第二半导体层；栅极金属层；第一导电类型第二导电层；钝化层；以及源极金属层。本申请利用异质结界面电子积累效应，在已采用超结结构基础上，使器件导通电阻进一步降低，功率优值明显提高。
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公开(公告)号：CN118281068A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410359897.0
申请日：2024-03-27
Applicant: 重庆大学 , 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L29/78
Abstract: 本申请提供一种载流子存储增强型横向绝缘栅双极型晶体管，该横向绝缘栅双极型晶体管在横向绝缘栅双极型晶体管正向导通时，通过增加轻掺杂第一导电类型载流子存储区的空穴，使得轻掺杂第一导电类型漂移区的载流子存储效应增强；当横向绝缘栅双极型晶体管关断时，轻掺杂第一导电类型漂移区中的空穴经过轻掺杂第一导电类型载流子存储区抽取至重掺杂第二导电类型发射区。本申请不仅优化了横向绝缘栅双极型晶体管导通压降和关断损耗之间的关系，还增加了横向绝缘栅双极型晶体管的击穿电压。
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公开(公告)号：CN118016705A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410329602.5
申请日：2024-03-21
Applicant: 重庆大学 , 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本申请提供一种逆导型绝缘栅双极晶体管，该绝缘栅双极晶体管通过重掺杂第一导电类型逆导区域、重掺杂第二导电类型集电极区域和轻掺杂第二导电类型底部区域形成集电极侧注入结构，当绝缘栅双极晶体管逆向导通时，从发射极注入的空穴不仅直接流到重掺杂第二导电类型集电极区域，且在高电阻的轻掺杂第二导电类型底部区域上大量横向流动，在轻掺杂第二导电类型底部区域产生横向压降，使得重掺杂第一导电类型逆导区域注入的电子随横向流动的空穴而增强，从而实现集电极侧注入的增强效果，降低逆导型绝缘栅双极晶体管的反向导通电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117995907A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410329604.4
申请日：2024-03-21
Applicant: 重庆大学 , 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L23/552
Abstract: 本发明涉及功率半导体技术领域，特别是涉及一种增强抗单粒子栅穿性能的功率半导体器件，包括漏极金属层以及堆叠在所述漏极金属层上的重掺杂第一导电类型衬底层和轻掺杂第一导电类型漂移区，所述轻掺杂第一导电类型漂移区上设置有第一导电类型传导区域，所述第一导电类型传导区域上设置有逆行第二导电类型阳极区域和第二导电类型栅极体区域，所述第一导电类型传导区域位于所述逆行第二导电类型阳极区域和第二导电类型栅极体区域之间。本发明通过引入厚氧化层结构和第二导电类型阳极区域改善抗单粒子栅穿性能。相比于现有技术，本发明具有低的氧化层峰值电场，改善了抗单粒子栅穿性能。
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公开(公告)号：CN117790569A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311738402.7
申请日：2023-12-15
Applicant: 重庆大学 , 重庆溢哲渝科技有限公司 , 重庆平伟实业股份有限公司
Abstract: 本申请涉及功率半导体电力电子器件技术领域，提供了一种具有栅氧介质层的鳍型异质结场效应晶体管，包括：漏极金属层；衬底层设置于漏极金属层上方；鳍型漂移层设置于衬底层背离漏极金属层的一侧，且鳍型漂移层的凸出部远离衬底层；第一导电层的第一部分设置于鳍型漂移层上，第一导电层的第二部分覆盖凸出部的两个侧壁；屏蔽层设置于第一导电层的第一部分上，并与第一导电层的第二部分接触；栅氧介质层的第一部分设置于屏蔽层上，栅氧介质层的第二部分覆盖第一导电层的第二部分；栅金属层设置于栅氧介质层上；钝化层覆盖栅金属层，且部分与凸出部的两个侧壁接触；第二导电层设置于凸出部的顶部；源极金属层设置于第二导电层上。
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公开(公告)号：CN117773346A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202410040897.4
申请日：2024-01-08
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 博世华域转向系统有限公司
IPC: B23K26/36 , B23K26/142 , B23K26/16 , B23K26/70 , B23K37/04
Abstract: 本发明属于封装生产技术领域，具体公开了一种双面散热封装散热片外漏装置及方法，其中，一种双面散热封装散热片外漏装置包括机架，机架的上料端设有上料机构，下料端设有下料机构；传送机构，传送机构设置在机架上，传送机构包括线轨，线轨上设有多个工位，机架上设有用于封装减薄的激光减薄机构；固定机构，固定机构设置在机架上且背离线轨，固定机构包括泵机和设置在泵机输出端的定位块，定位块上设有多个与泵机输出端连通的定位孔；控制单元，控制单元设置在机架上，用于控制传送机构和激光减薄机构。本发明采用非接触式的减薄方法，降低了机械应力对芯片的影响，同时降低了设备的使用成本和维护成本，且使用时效更长，有利于企业降本增效。
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公开(公告)号：CN116845112A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310826403.0
申请日：2023-07-05
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 重庆大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/06
Abstract: 本申请提供一种混合导通机制二极管，包括：第一导电类型衬底层；第一导电类型漂移区，其设置于所述第一导电类型衬底层的一侧；第二导电类型体区，其设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧；锗硅区，其设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧，其中所述第二导电类型体区和所述锗硅区通过所述第一导电类型漂移区分隔开；阳极结构，分别接触所述第二导电类型体区、所述第一导电类型漂移区和所述锗硅区；其中，在正向导通时，所述锗硅区与所述阳极结构的接触处形成空穴导通通道。本申请可通过混合导通机制提高器件大电流导通性能以及抗单粒子辐照性能。
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公开(公告)号：CN119757448A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411926838.3
申请日：2024-12-25
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于研究快速热疲劳下焊点和焊料裂纹产生机理的实验装置及方法，实验装置包括：电磁加热系统、液氮冷却系统、干冰冷却系统、高速摄像系统、USB数据采集卡和终端电脑。本申请通过电磁加热系统对焊点进行加热，通过液氮冷却系统或干冰冷却系统对焊点进行降温，能够在较短的时间内完成一次热循环，极大的提高了实验效率。高速摄像系统可实时监测并记录焊点状态以及裂纹的开裂路径；干冰可有效去除焊点表面的氧化膜，从而排除氧化膜开裂引起焊点裂纹的影响；通过液氮冷却系统对焊点进行冷却，在加热温度及冷却温度均不变的条件下，根据裂纹产生形式可有效确定焊点开裂是由于焊点内部产生裂纹还是由于氧化膜开裂引起的焊点裂纹。
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