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公开(公告)号：CN114539654A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210129790.8
申请日：2022-02-11
Applicant: 重庆大学
IPC: C08L23/06 , C08L23/12 , C08L79/08 , C08L63/00 , C08L67/00 , C08L83/04 , C08L27/16 , C08L77/00 , C08L27/08 , C08L67/04 , C08L63/02 , C08L67/06 , C08K3/24
Abstract: 本发明公开一种利用高压模块自带电场来提高器件封装导热的塑封材料改性方法，步骤为：1)获取基底液；2)在基底液中添加铁电聚合物；3)得到铁电材料和基底的混合液；4)在温度T1下对混合液进行预固化，再在温度T2下对预固化后的混合液进行固化，温度T1和T2由所选取的基底液决定；5)退火得到器件封装导热材料。本专利将铁电聚合物加入基底中，通过高压模块自带的电场，使得材料中电畴的排列更加有序，形成高导热通道，在维持封装材料高绝缘的情况下，提高了材料的导热性能。
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公开(公告)号：CN114465516A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202111579170.6
申请日：2021-12-22
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开抑制脉冲电场食品处理中发生电极腐蚀的系统及使用方法，系统包括高压直流电源V、控制芯片、空芯大电感L、光电转换电路、n级模块化Marx发生器、可调电阻RQ、食品处理室和平行电极对；方法步骤为：1)储能电容集C向平行电极对放电，从而在平行电极对之间的空间中形成脉冲电场，令脉冲电场内的电荷正方向移动，从而对脉冲电场内的液体食品进行脉冲刺激。2)充电电流Idc按平行电极对等效电阻值RL和可调电阻RQ阻值之间的比例分别流入平行电极对和可调电阻RQ，令脉冲电场内的电荷反方向移动。本发明通过防止处理室电极上发生电荷累积，来增大脉冲处理最大允许脉宽，从而实现处理室在长时间处理后仍不会发生腐蚀或者腐蚀程度极低。
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公开(公告)号：CN113218816A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110511821.1
申请日：2021-05-11
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种利用热重法测试未知气体不同温度下密度的方法，包括以下步骤；步骤一、由于浮力效应是由于气体密度发生变化引起的，可以利用这一现象来区分不同气体的密度，进行热分析测试时保证气体流量一致，最好使用质量流量计控制气体流量，从热分析T值的分析可以将T值描述为T＝G‑F(1)，开始测试时候，为了方便计算，我们通常需要将T值清零；本发明能够利用热分析TG曲线浮力效应测试已知气体不同温度下密度，未知气体不同温度下的密度，异性小物体体积。
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公开(公告)号：CN108872682B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201810999579.5
申请日：2018-08-30
Applicant: 重庆大学
IPC: G01R19/00
Abstract: 本发明公开了一种基于微带线耦合电压测量装置及方法。装置主要包括印制电路板、高压臂电阻、低压臂变阻器、同轴传输线和示波器。方法主要步骤为：1)选定和阻抗Z0相匹配的负载R。2)被测脉冲发生器的高压端子和通孔I通过连接线连接。被测脉冲发生器的接地端子和负载R的一端通过连接线连接；负载R的另一端和通孔II通过连接线连接。3)对被测脉冲电压Ui频宽进行调整。4)根据调整后的被测脉冲电压Ui频宽，计算得到被测脉冲电压Ui的值。本发明在每次拆卸安装时，无需重新标定电容，解决了传输距离增加带来的脉宽降低和波形畸变的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119652290A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411596750.X
申请日：2024-11-11
Applicant: 重庆大学
IPC: H03K3/57
Abstract: 本发明公开基于电容耦合取能的自触发方波脉冲发生器，包括电源单元、限流保护电阻、脉冲成形主电路、驱动电路；所述电源单元通过限流保护电阻为脉冲成形主电路供电；所述驱动电路调节脉冲成形主电路开关管通断，使脉冲成形主电路向外输出脉冲；本发明能够给栅源电荷提供时间常数更小的泄放回路，改善Marx电路各级的关断延时；同时也给主开关等效输出电容提供时间常数更小的充电回路，缩短Marx电路每级的输出后沿。
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公开(公告)号：CN113872572B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202111176115.2
申请日：2021-10-09
Applicant: 重庆大学
IPC: H03K3/57
Abstract: 本申请实施例提供了一种脉冲发生电路及其装置、脉冲发生方法，所述脉冲发生电路包括至少两级脉冲发生单元。各所述脉冲发生单元的第二端都电连接，各所述脉冲发生单元的第三端都电连接；任意相邻两级所述脉冲发生单元之间，前一级所述脉冲发生单元的第四端，与后一级所述脉冲发生单元的第一端电连接；最后一级所述脉冲发生单元的第四端与第二端电连接；第一级所述脉冲发生单元的第一端、第二端用于与电源模块的两端电连接；每级所述脉冲发生单元的第三端、第二端用于与负载电连接；所述脉冲发生电路用于输出恒定幅值的脉冲电流或阶梯状幅值的脉冲电流。采用本申请实施例输出的脉冲电流的幅值能够灵活调整，能够提高消融效果。
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公开(公告)号：CN117965899A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410065561.3
申请日：2024-01-17
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种惰性气体和碳酸钠焙烧高铬钒渣后磁选分离提钒的方法，涉及分离提钒技术领域，过程包括：首先在钒铬渣中加入碳酸钠，混匀后在氩气气氛下焙烧到900℃，然后随炉冷却到室温后得到烧结样品；将烧结样品进行粉碎，对粉碎后的混合物进行研磨过200目；通过磁选机分离得到带有强磁性的铬铁矿和无磁性的NaVO2、NaFeO2，从而实现了NaVO2、NaFeO2和FeCr2O4的分离；将分离后无磁性的NaVO2、NaFeO2水浸得到NaVO2水溶液，然后加入铵盐获得钒的沉淀。本发明在钠焙烧过程中一方面也钠化焙烧形成了钒钠物相，另一方面避免铬氧化成易溶于水的六价铬，避免磁铁矿氧化并形成磁性弱的氧化铁，保留磁铁矿的强磁性，为后续磁性分选提供条件。
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公开(公告)号：CN113783555B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202110956802.X
申请日：2021-08-19
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开一种基于电感储能形成线的纳秒短脉冲功率调制拓扑结构及调制方法，拓扑结构包括调制电阻Rcon、电容C、电源Udc、调制开关Mcut、负载Rload、主开关Mmain、电感储能形成线；调制方法通过调制开关Mcut、主开关Mmain的通断实现。本发明公开的脉冲发生器可以几纳秒到几十纳秒的脉冲宽度连续调制，且在5ns～20ns内连续可调。
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公开(公告)号：CN117458909A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311449760.6
申请日：2023-11-02
Applicant: 重庆大学
Abstract: 一种基于磁感应均流并联SiC MOSFETs脉冲发生器，包括：控制信号产生模块、光电隔离驱动模块、固态开关驱动模块、磁感应均流模块、Marx脉冲发生器输出模块和负载。本发明通过SiC MOSFET开关并联更简单、高效地实现了Marx发生器更大脉冲电流和功率的输出，电路拓扑结构简单、参数灵活可调、可多模块堆叠。本发明采用的磁感应均流技术解决了并联开关器件间不均流问题，保证了并联SiC MOSFET脉冲发生器大电流输出的可靠性和稳定性。本发明提出的基于磁感应均流并联SiC MOSFETs脉冲发生器的脉冲输出电压电流幅值、脉冲宽度、脉冲频率均灵活可调。
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