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公开(公告)号:CN103872999B
公开(公告)日:2017-01-18
申请号:CN201410121186.6
申请日:2014-03-27
Applicant: 西安邮电大学
IPC: H03F3/21
Abstract: 本发明公开了一种宽动态互补式可变增益放大器,包括整体电路,该电路采用半导体工艺进行加工制造。本电路由多个晶体管,以及电感和电阻组成。电路的主要创新点即为各个晶体管以及电感和电阻的连接方式。该连接所组成的电路能够解决现有同类电路所存在的问题,从而提供更好的电路性能。本发明能够实现增益的连续模拟控制,也能够实现多位数字控制。因此,该电路非常适合应用于各种高速通信系统。
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公开(公告)号:CN105272269A
公开(公告)日:2016-01-27
申请号:CN201510683710.3
申请日:2015-10-20
Applicant: 西安邮电大学
IPC: C04B35/584
Abstract: 本发明公开了一种氮化硅/六方氮化硼纳米复相陶瓷的制备方法。该方法采用硼酸三丁酯和正硅酸乙酯为原料,依次在商用h-BN粉体表面包覆纳米B2O3和SiO2层,然后采用无压烧结技术获得氮化硅/六方氮化硼纳米复相陶瓷。本发明的制备方法操作简单、工艺条件容易控制,成本低廉,适合工业化生产,通过在h-BN粉体表面包覆B2O3和SiO2层实现对h-BN粉体的化学改性,结合无压烧结技术实现h-BN颗粒的原位纳米化,从而制备出力学性能良好的氮化硅/六方氮化硼纳米复相陶瓷材料。
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公开(公告)号:CN103872999A
公开(公告)日:2014-06-18
申请号:CN201410121186.6
申请日:2014-03-27
Applicant: 西安邮电大学
IPC: H03F3/21
Abstract: 本发明公开了一种宽动态互补式可变增益放大器,包括整体电路,该电路采用半导体工艺进行加工制造。本电路由多个晶体管,以及电感和电阻组成。电路的主要创新点即为各个晶体管以及电感和电阻的连接方式。该连接所组成的电路能够解决现有同类电路所存在的问题,从而提供更好的电路性能。本发明能够实现增益的连续模拟控制,也能够实现多位数字控制。因此,该电路非常适合应用于各种高速通信系统。
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公开(公告)号:CN206248683U
公开(公告)日:2017-06-13
申请号:CN201621381774.4
申请日:2016-12-15
Applicant: 西安邮电大学
IPC: G01P15/125 , G01D3/036
Abstract: 本实用新型公开了一种双电容式微机械加速度传感器及基于该双电容式微机械加速度传感器的温度自补偿系统,双电容式微机械加速度传感器包括两类栅极和两类固定铝电极,分别对应两个输出端,这两个输出端分别与两个差分电容电压转换电路的输入端相连,差分电容电压转换电路的输出端分别和高频载波发生器的输出端与相干解调器的输入端相连,相干解调器的输出端与低通滤波器的输入端相连,低通滤波器的输出端与温度自补偿电路的输入端相连。该系统不需要外加温度传感器来测量加速度传感器的温度,排除了由于温度梯度而造成的温度测量误差对补偿精度的影响,提高了温度补偿精度,同时消除了温度系数的非线性特性对温度补偿结果的影响。
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