公开(公告)号：CN113990867A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202111044645.1

申请日：2021-09-07

申请人： 西安电子科技大学广州研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 刘志宏 ,  黎培森 ,  李蔚然 ,  周瑾 ,  邢伟川 ,  李祥东 ,  赵胜雷 ,  周弘 ,  张苇杭 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L27/092

摘要： 本发明公开了一种硅基氮化镓单片集成电路，涉及集成电路技术领域，包括：衬底；位于衬底一侧的外延结构；外延结构包括第一开口和第二开口，沿垂直于衬底所在平面的方向，第一开口及第二开口均贯穿外延结构；其中，第一开口包括负压产生器，第二开口包括氮化镓晶体管，且负压产生器与所述氮化镓晶体管电连接。本发明通过在同一衬底上单片集成负压产生器和氮化镓晶体管，实现了硅CMOS负压产生器和氮化镓射频集成电路的近距离、紧凑集成，不仅能够减小最终电路的体积、减少封装成本，同时也可以抑制引线延迟，提高了整个电路的可靠性。

公开(公告)号：CN113964181A

公开(公告)日：2022-01-21

申请号：CN202111046028.5

申请日：2021-09-07

申请人： 西安电子科技大学广州研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 陈家博 ,  朱肖肖 ,  刘志宏 ,  王泽宇 ,  周瑾 ,  赵胜雷 ,  周弘 ,  叶刚 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329

摘要： 本发明涉及一种PN结基极耦合的氮化镓肖特基二极管及制备方法，肖特基二极管包括衬底层、外延层、欧姆电极、阳极和阴极，其中，外延层位于衬底层上，外延层包括缓冲层、接触层、漂移层和再生长势垒层，缓冲层、接触层、漂移层依次层叠，再生长势垒层设置在漂移层的侧面和部分上表面，再生长势垒层与漂移层之间形成PN结；欧姆电极位于再生长势垒层上；阳极位于漂移层和再生长势垒层上，且覆盖欧姆电极；阴极位于接触层上。该肖特基二极管中再生长势垒层与漂移层之间形成PN结，可以耗尽N型材料中的侧壁电子，起到调制电场的作用，降低了肖特基金属淀积边缘电场强度，提高击穿电压和反向击穿电压，且对正向特性影响较小，具有较高正向电流。

公开(公告)号：CN115148734B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202210721926.4

申请日：2022-06-24

申请人： 西安电子科技大学广州研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 刘志宏 ,  冯时 ,  徐美 ,  李凯 ,  邢伟川 ,  周瑾 ,  杨伟涛 ,  危虎 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L27/095

摘要： 砷化镓低噪声放大器和氮化镓功率放大器单片集成电路，自下而上依次包括衬底层、缓冲层、沟道层、势垒层以及位于势垒层上的电极；其中衬底层采用硅材料，衬底层上方为缓冲层，分为左右两个部分，左边为三族氮化物复合缓冲层、右边为三族砷化物缓冲层。氮化镓缓冲层上方为氮化镓晶体管的沟道层和势垒层；三族砷化物缓冲层上方为砷化镓晶体管的沟道层和势垒层，势垒层上方为氮化镓晶体管和砷化镓晶体管的电极，衬底层背面至势垒层上设置有通孔。该集成方法可以在同一个硅衬底上实现氮化镓晶体管和砷化镓晶体管的集成，有效减少低噪声放大器和功率放大器之间的寄生效应，改善电路高频性能，并且可以减少芯片面积，降低成本，增加散热。

公开(公告)号：CN117220632A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202311022079.3

申请日：2023-08-14

申请人： 西安电子科技大学广州研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 刘志宏 ,  陈淑莹 ,  樊雨佳 ,  许淑宁 ,  周瑾 ,  邢伟川 ,  杜航海 ,  张苇杭 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H03H9/02 ,  H03H9/25 ,  H03H3/08

摘要： 本发明提供了一种具有埋入式电极的双层薄膜声表面波器件，涉及表面波器件技术领域。器件从下至上依次包括：衬底、压电薄膜、压电覆盖层；在压电薄膜内，从上表面自下设置有若干均匀分布的凹槽，且凹槽下表面与压电薄膜下表面不接触，在凹槽内嵌有叉指电极，叉指电极和凹槽高度相同；其中，叉指电极通过压电薄膜以及压电覆盖层的压电效应，完成信号的转换并以声表面波形式传播。该声表面波器件，能减小布拉格反射和声学散射，从而产生更剧烈的位移，SAW能被更有效的激发，能够有效提高叉指换能器的能量转换效率，增强机电耦合系数；同时更容易降低由于叉指电极表面和压电薄膜上表面暴露在空气中对器件特性产生的影响，降低损耗。

公开(公告)号：CN115910781A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211434356.7

申请日：2022-11-16

申请人： 西安电子科技大学广州研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 刘志宏 ,  赵雪利 ,  许淑宁 ,  危虎 ,  邢伟川 ,  侯松岩 ,  张苇杭 ,  周瑾 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L21/56 ,  H01L21/683 ,  H01L29/20

摘要： 本发明公开了大尺寸晶圆透明GaN HEMT器件的制备方法，具体为：在大尺寸硅基氮化镓HEMT晶圆上进行系列器件制备工艺，包括欧姆电极制备、台面隔离和肖特基栅极制备等；在正面工艺结束后将晶圆翻转临时键合到载片上；将硅基氮化镓HEMT晶圆的硅衬底去除；然后将透明衬底与氮化镓异质晶圆紧密地结合起来；最后解晶圆正面的临时键合。本发明的方法，借助硅基氮化镓HEMT晶圆，可以实现6英寸、8英寸或者更大尺寸晶圆制备；在硅衬底上完成外延生长和器件制备后将其转移到透明衬底上，保证了整体透明性，避免了直接在透明衬底晶圆上加工GaN HEMT器件。

公开(公告)号：CN115117209A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210769781.5

申请日：2022-07-01

申请人： 西安电子科技大学广州研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 刘志宏 ,  许淑宁 ,  樊雨佳 ,  徐美 ,  危虎 ,  周瑾 ,  邢伟川 ,  张苇杭 ,  冯欣 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08

摘要： 本发明公开了一种氮化镓异质结双极型光子晶体管及其制备方法，包括：衬底；以及依次设置于衬底上的成核层、缓冲层；集电区，设置于缓冲层上；集电极，设置于集电区上的一端；下多量子阱层，设置于集电区上的另一端；集电极与下多量子阱层之间存在间隔；基区，设置于下多量子阱层上；基极，设置于基区上的一端；其中，基极和集电极设置于同一侧；上多量子阱层，设置于基区上的另一端；基极与上多量子阱层之间存在间隔；发射区，设置于上多量子阱层上；发射极，设置于发射区上的一端；发射极与集电极设置于不同侧；其中，集电区、下多量子阱层、基区、上多量子阱层和发射区的材料均为三族氮化物。本发明同时具有晶体管和LED的功能。

公开(公告)号：CN115001471A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202210654437.1

申请日：2022-06-10

申请人： 西安电子科技大学广州研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 黎培森 ,  刘志宏 ,  李蔚然 ,  周瑾 ,  邢伟川 ,  段小玲 ,  周弘 ,  危虎 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H03K17/687

摘要： 本发明公开了一种氮化镓反射式单刀八掷开关，包括：输入端、输入电容、第一微带传输线和八条支路，各支路包括：第二微带传输线、第三微带传输线、氮化镓HEMT、控制电压信号端、隔离电阻、输出电容、隔直电容、输出端和第一节点；其中，第一微带传输线的一端经输入电容连接至输入端、另一端与第二微带传输线连接，第二微带传输线串接第三微带传输线和输出电容，输出电容与输出端连接；第一节点位于第二微带传输线与第三微带传输线之间，氮化镓HEMT的漏电极与第一节点连接、栅电极经隔离电阻连接至控制电压信号端、源电极经隔直电容接地。上述单刀八掷开关工作于24.25GHz～33GHz，具有工作频带宽、在导通状态下插入损耗小的优点。

公开(公告)号：CN114899232A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202210419893.8

申请日：2022-04-21

申请人： 西安电子科技大学广州研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 刘志宏 ,  赵雪利 ,  许淑宁 ,  何佳琦 ,  邢伟川 ,  冯欣 ,  杨伟涛 ,  周瑾 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/20 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L21/335

摘要： 本发明公开了一种基于氮化镓的透明晶体管及其制备方法，该结构自下而上依次包括衬底层、沟道层、势垒层以及位于势垒层上的电极；其中衬底层采用透明材料，沟道层材料为氮化镓，势垒层材料为镓铝氮或铟镓氮，电极采用透明导电材料。本发明提供了一种氮化镓基晶体管，通过选取可见光区间透明的材料制备晶体管，改善了结构的整体透光率，并提出了可行的制备方法，可将其应用于透明电子学领域。

公开(公告)号：CN114899227A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202210492930.8

申请日：2022-05-07

申请人： 西安电子科技大学广州研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 徐美 ,  刘志宏 ,  樊雨佳 ,  许淑宁 ,  邢伟川 ,  周瑾 ,  杨伟涛 ,  冯欣 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/10 ,  H01L29/66

摘要： 一种增强型氮化镓基晶体管，自下而上包括衬底、复合缓冲层、沟道层和势垒层，在势垒层上设置有P型氮化物帽层、钝化层、源电极、漏电极和栅电极，P型氮化物帽层在侧面和顶面均被栅电极包围，钝化层布设于栅电极与源电极之间以及栅电极与漏电极之间；栅电极与势垒层形成肖特基接触，源电极和漏电极均与势垒层形成欧姆接触；沟道层与势垒层之间形成异质结，且极化效应在异质结界面的沟道层一侧形成二维电子气沟道。该P型氮化物帽层耗尽了沟道中的部分二维电子气，提高了器件的阈值电压，实现增强型器件的目的，P型氮化物帽层周围的栅电极解决了常规P型氮化物增强型器件栅控能力弱、导通电阻大等问题，且减小了栅长，提高了频率特性。

公开(公告)号：CN114420750A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202111449064.6

申请日：2021-11-30

申请人： 西安电子科技大学广州研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 刘志宏 ,  李蔚然 ,  周瑾 ,  郭润霖 ,  毛维 ,  赵胜雷 ,  邢伟川 ,  杨伟涛 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/417 ,  H01L29/778 ,  H01L21/283 ,  H01L21/335

摘要： 本发明涉及一种基于自组装掩膜技术的欧姆接触结构制备方法及器件，该方法包括：选取具有氮化镓异质结结构的晶圆；在晶圆表面淀积掩膜层，掩膜层包括自下而上依次层叠设置的介质掩膜层和金属掩膜层；进行快速热退火处理，以使金属掩膜层自发收缩团聚，形成若干纳米尺度孔洞；在晶圆上需要制备欧姆接触的区域，利用刻蚀工艺依次刻蚀掉纳米尺度孔洞下方的介质掩膜层、复合势垒层和部分沟道层，形成欧姆接触区；在欧姆接触区沉积欧姆接触金属，并对其进行快速热退火处理，使欧姆接触金属与二维电子气沟道形成欧姆接触结构。本发明方法实现了图形尺度为纳米量级的掩膜层，而且降低了工艺成本与工艺复杂度，提升了工艺良率。