公开(公告)号：CN116895646A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310744856.9

申请日：2023-06-21

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 闫非 ,  廖佳佳 ,  周益春 ,  廖敏

IPC: H01L23/64 ,  H10B53/30

Abstract: 本发明公开了一种梯度结构氧化铪基铁电薄膜、铁电电容器及制备方法，梯度结构氧化铪基铁电薄膜的结构从下至上依次包括：第一铁电层、第二铁电层、第三铁电层和第四铁电层，且第一铁电层和第四铁电层的组成相同，均为HfxZr(1‑x)O2，第二铁电层和第三铁电层的组成相同，均为Hf(1‑x)ZrxO2，其中0

公开(公告)号：CN115064555A

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN202210647254.7

申请日：2022-06-09

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 周益春 ,  廖佳佳 ,  廖敏 ,  周平安

IPC: H01L27/11587 ,  H01L27/1159 ,  H01L29/78 ,  G11C11/22

Abstract: 本发明涉及一种铁电组装栅场效应晶体管的多值存储器件，包括：衬底层；以及依次层叠设置在衬底层表面的组装栅介质和栅电极；其中，组装栅介质包括介电层以及若干组铁电模块，铁电模块沿着沟道方向间隔设置在介电层内；根据漏极电压的不同控制组装栅介质中极化翻转的铁电模块的数目。本发明的铁电组装栅场效应晶体管的多值存储器件，可以实现3‑bit及以上的高密度多值存储，且各存储态呈现分立的特征，可以有效避免存储器件在受到制备工艺涨落、环境温度涨落、串扰电场以及器件微疲劳导致的极化翻转出现扰动的时候，出现读取错误的问题。

公开(公告)号：CN114864558A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202210486187.5

申请日：2022-05-06

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 廖佳佳 ,  周益春 ,  郝璞琪 ,  廖敏

IPC: H01L23/64 ,  C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58 ,  H01L27/11502 ,  H01L49/02

Abstract: 本发明公开了一种氧化铪基铁电薄膜的制备工艺，涉及薄膜制备和设计领域。本发明制备工艺包括以下步骤：沉积氧化铪基薄膜；对所述氧化铪基薄膜进行快速退火处理；所述快速退火处理具体为：以15‑3000℃/s的速率升温至300‑1100℃，保温1‑300s后于室温去离子水、0度去离子水、液氮或液氦中降温。本发明提出一种通过快速退火处理来改善氧化铪基薄膜晶粒尺寸及其分布均一性、铁电性能的氧化铪基铁电薄膜制备方法，具有工艺简单，可控性强的特点；本发明方法对于各种厚度(超薄以及较厚尺寸)、各种掺杂体系、各种器件结构用的氧化铪基薄膜具有普遍适用性。