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公开(公告)号：CN108598266A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810466776.0
申请日：2018-05-16
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于隧穿效应的钙钛矿光电器件及其制备方法，所述制备方法包括：选取Si衬底；在所述Si衬底的一侧表面沉积金属材料形成下电极；在所述Si衬底的另一侧表面沉积HfO2形成隧穿层；在所述隧穿层上沉积CH3NH3PbI3形成光吸收层；在所述光吸收层上沉积金属材料形成上电极，形成基于隧穿效应的钙钛矿光电器件。所述钙钛矿光电器件依次包括上电极、CH3NH3PbI3光吸收层、HfO2隧穿层、Si衬底和下电极。本发明的钙钛矿光电器件在Si衬底与CH3NH3PbI3之间包括HfO2隧穿层，结构和制备工艺简单，减少光生电子与光生空穴的复合，增大光电流，提高光电器件的灵敏度和效率。
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公开(公告)号：CN107644939A
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201710848505.7
申请日：2017-09-19
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种宽谱响应光电探测器及其制备方法，所述制备方法包括：(a)选取蓝宝石衬底；(b)在所述蓝宝石衬底表面制作底电极；(c)在所述底电极表面制作光吸收层；(d)在所述光吸收层表面制作顶电极以完成所述宽谱响应光电探测器的制备。本发明提供的宽谱响应光电探测器，采用了双异质结结构，从而形成双势垒，可有效降低漏电流，从而大幅提高光电探测器的器件可靠性。
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公开(公告)号：CN106549107A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201611125225.5
申请日：2016-12-08
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/0003 , H01L51/0077 , H01L51/428 , H01L51/442
Abstract: 本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3材料的N型双向HEMT器件及其制备方法。该方法包括：选取衬底；形成FTO薄膜；制备CH3NH3PbI3材料以形成第一光吸收层；在第一光吸收层表面形成第一电子传输层；在第一电子传输层表面形成源漏电极；在源漏电极及未被源漏电极覆盖的第一电子传输层表面形成第二电子传输层；在第二电子传输层表面制备CH3NH3PbI3材料以形成第二光吸收层；在第二光吸收层表面形成栅电极，最终形成双向HEMT器件。本发明通过采用对称的光吸收层，能吸收更多的光产生光生载流子，并采用在透明的蓝宝石生长透明的导电玻璃作为底部栅电极，能实现上下光照都能照射到光吸收层，且采用由CH3NH3PbI3向沟道提供大量的电子，提高迁移率高，增强传输特性和增加光电转换效率。
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公开(公告)号：CN107437584B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201710411588.3
申请日：2017-06-05
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种异质结阻变存储器及其制备方法，该方法包括：制备半绝缘衬底；在半绝缘衬底表面依次连续生长粘附层、底电极和Ga2O3薄膜；利用旋涂工艺在Ga2O3薄膜表面生长CH3NH3PbI3薄膜；在CH3NH3PbI3薄膜表面生长点状顶电极，最终形成异质结阻变存储器。本发明由于阻变层采用异质结，易于调制，电阻的记忆与弛豫过程受耗尽层宽度、内建电场强度等因素的调节，增加了忆阻性能调控的灵活性；对材料的选择性较弱，忆阻行为性能稳定，有助于忆阻器件的半定量化研究，为器件设计及进一步发展奠定了基础。
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公开(公告)号：CN108598266B
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201810466776.0
申请日：2018-05-16
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于隧穿效应的钙钛矿光电器件及其制备方法，所述制备方法包括：选取Si衬底；在所述Si衬底的一侧表面沉积金属材料形成下电极；在所述Si衬底的另一侧表面沉积HfO2形成隧穿层；在所述隧穿层上沉积CH3NH3PbI3形成光吸收层；在所述光吸收层上沉积金属材料形成上电极，形成基于隧穿效应的钙钛矿光电器件。所述钙钛矿光电器件依次包括上电极、CH3NH3PbI3光吸收层、HfO2隧穿层、Si衬底和下电极。本发明的钙钛矿光电器件在Si衬底与CH3NH3PbI3之间包括HfO2隧穿层，结构和制备工艺简单，减少光生电子与光生空穴的复合，增大光电流，提高光电器件的灵敏度和效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107302054B
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201710411589.8
申请日：2017-06-05
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种双异质结光探测器的制备方法，包括：(a)对半绝缘半透明衬底进行清洗；(b)在所述衬底上生长底电极层；(c)在所述底电极层上生长第一MoS2层；(d)在所述第一MoS2层上生长杂化钙钛矿层；(e)在所述杂化钙钛矿层上生长第二MoS2层；(f)在所述第二MoS2层上生长顶电极。本发明杂化钙钛矿双异质结可以使二维材料沟道的背景载流子的完全耗尽，显著降低了器件暗电流，提高器件在弱光下的探测性能；制备工艺简单，生产成本低，无需昂贵的仪器设备等优点；制备的光电探测器可在零栅压、低源漏偏压下工作，具有优异的低功耗特性，且结构简单、效率高、响应快、工作稳定、使用寿命长。
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公开(公告)号：CN107644939B
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201710848505.7
申请日：2017-09-19
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种宽谱响应光电探测器及其制备方法，所述制备方法包括：(a)选取蓝宝石衬底；(b)在所述蓝宝石衬底表面制作底电极；(c)在所述底电极表面制作光吸收层；(d)在所述光吸收层表面制作顶电极以完成所述宽谱响应光电探测器的制备。本发明提供的宽谱响应光电探测器，采用了双异质结结构，从而形成双势垒，可有效降低漏电流，从而大幅提高光电探测器的器件可靠性。
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公开(公告)号：CN106784320B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201611124458.3
申请日：2016-12-08
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3材料的衬底反光增强N型异质结HEMT及其制备方法。该方法包括：选取蓝宝石衬底；在衬底下表面形成反光层；在衬底上表面制作源漏电极；在衬底上表面形成电子传输层；在电子传输层表面形成包括CH3NH3PbI3材料的光吸收层；在光吸收层表面制作栅电极以最终形成N型异质结HEMT。本发明采用由CH3NH3PbI3向沟道提供大量的电子，在衬底下表面镀银形成反射增强型HEMT，具有迁移率高，开关速度快，光吸收以及光利用率增强，光生载流子增多，光电转换效率大的优点。另外，采用在光吸收层加入了PCBM材料形成了异质结，能通过对孔洞和空位的填充改善光吸收层薄膜的质量，从而产生更大的晶粒和更少的晶界，吸收更多的光产生光生载流子，增强器件性能。
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公开(公告)号：CN109037450A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810592160.8
申请日：2018-06-11
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3和MoSe2材料的光敏器件及其制备方法，包括以下步骤：选取Si衬底；在Si衬底上表面生长绝缘层；在绝缘层表面制备MoSe2材料形成导通层；在导通层表面溅射Au材料形成叉指电极层；在叉指电极层上生长CH3NH3PbI3材料形成光吸收层，从而形成所述基于CH3NH3PbI3和MoSe2材料的光敏器件。利用CH3NH3PbI3材料和MoSe2材料的特性来制备光敏器件，使其具有高光灵敏度、高电子迁移率的特点。
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公开(公告)号：CN108682747A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810466984.0
申请日：2018-05-16
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种双异质结钙钛矿光电器件及其制备方法，所述制备方法包括：选取Si衬底；在Si衬底的一侧表面沉积金属Al形成下电极；在Si衬底的另一侧表面沉积金属氧化物形成界面缓冲层；在界面缓冲层上沉积CH3NH3PbI3形成光吸收层；在光吸收层上沉积金属Au形成上电极，形成双异质结钙钛矿光电器件。该双异质结钙钛矿光电器件依次包括上电极、CH3NH3PbI3光吸收层、界面缓冲层、Si衬底和下电极。所述双异质结钙钛矿光电器件在Si衬底与CH3NH3PbI3之间包括界面缓冲层，降低Si衬底与CH3NH3PbI3光吸收层之间的能量失配，减少光生电子与光生空穴的复合，提高光电器件的灵敏度。
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