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公开(公告)号：CN103693997A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310608160.X
申请日：2013-11-22
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B41/89
Abstract: 一种多孔陶瓷表面致密陶瓷涂层的结构及制备方法，其结构为在多孔陶瓷基体表面包括双层结构陶瓷涂层，即致密层以及多孔陶瓷基体和致密层间的过渡层，致密层和过渡层采用在多孔基体表面喷涂沉积非氧化物陶瓷粉体内层和氧化物混合物粉体外层，烧结之后得到；其制备方法为：在多孔陶瓷基体表面喷涂沉积非氧化物粉体内层和氧化物混合物粉体外层，通过高温，外层先形成液相，浸渗到内层中，促进非氧化物粉体烧结，形成致密层：部分液相通过内层浸渗到多孔基体表面，形成过渡层；本发明解决了陶瓷涂层易开裂，分层，以及液相易渗入到多孔基体内部等问题；该结构的陶瓷涂层可明显降低多孔陶瓷基体的吸水率，提高多孔陶瓷基体表面硬度和抗冲蚀能力。
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公开(公告)号：CN115895601B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202211506312.0
申请日：2022-11-28
Applicant: 西安交通大学
IPC: C09K5/06
Abstract: 本发明公开了一种多响应碳化硅气凝胶基复合相变储热材料及其制备方法和应用，属于材料工程技术领域。该多响应碳化硅气凝胶基复合相变储热材料由质量百分比为79.4％～97.3％的相变物质、0.7％～15.6％的碳化硅和2.0％‑5.0％的碳材料制成；其中碳材料通过化学气相沉积包覆在碳化硅纳米线上，相变物质在加热条件下通过真空浸渍进入碳化硅纳米线气凝胶孔隙。制得的多响应碳化硅气凝胶基复合相变储热材料对热、光、电、电磁波均具有响应特性，可储存热能，或将光能、电能、电磁能转化为热能储存；其储热容量为所填充相变物质理论潜热的78.5％～97.1％，其光能储热过程能量转化效率不低于82.0％，电能储热过程能量转化效率不低于90.0％，电磁储热过程能量转化效率不低于71.0％。
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公开(公告)号：CN114702328B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202210386075.2
申请日：2022-04-13
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/80 , C04B35/565 , C04B35/84 , C04B35/628 , C04B38/00
Abstract: 本发明公开了一种SiC纳米线网络增强层状多孔SiC陶瓷及其制备方法，以SiC纳米线气凝胶所提供的三维网络结构为骨架及增强体，能够确保SiC纳米线能在陶瓷基体中的均匀分布，通过基体与增强相间界面层的构筑，进一步优化了多孔陶瓷的强/韧力学性能，并且该工艺对设备要求低，制备效率高，能够制备形状和气孔率可控的多孔SiC陶瓷材料，易于实现工业规模化生产。经本发明方法制得的SiC纳米线网络增强层状多孔SiC陶瓷，可实现对多孔陶瓷在微纳多尺度的增韧，适合用于高温隔热、航空航天、生物医疗和能源化工等诸多领域。
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公开(公告)号：CN115975407A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211666881.1
申请日：2022-12-23
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种镍基合金表面光弹玻璃涂层及其制备方法，该光弹玻璃涂层设置在航空发动机叶片上，用于检测叶片中的应力分布，制备出涂层的热膨胀系数最高达16.68×10‑6/℃‑1、耐温达416℃、高透明度的磷酸盐玻璃；该玻璃涂层的耐温性高，能轻松实现高温下对叶片应力的测量；且玻璃涂层与叶片的结合为化学结合，玻璃涂层与叶片之间的元素相互扩散渗透，形成了一个过渡层，使得结合程度更好，使得变形更加一致，计算结果准确度高；此外，可在具有一定弧度的叶片表面制备涂层，适用于异形件叶片。
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公开(公告)号：CN114702328A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210386075.2
申请日：2022-04-13
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/80 , C04B35/565 , C04B35/84 , C04B35/628 , C04B38/00
Abstract: 本发明公开了一种SiC纳米线网络增强层状多孔SiC陶瓷及其制备方法，以SiC纳米线气凝胶所提供的三维网络结构为骨架及增强体，能够确保SiC纳米线能在陶瓷基体中的均匀分布，通过基体与增强相间界面层的构筑，进一步优化了多孔陶瓷的强/韧力学性能，并且该工艺对设备要求低，制备效率高，能够制备形状和气孔率可控的多孔SiC陶瓷材料，易于实现工业规模化生产。经本发明方法制得的SiC纳米线网络增强层状多孔SiC陶瓷，可实现对多孔陶瓷在微纳多尺度的增韧，适合用于高温隔热、航空航天、生物医疗和能源化工等诸多领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113532115A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110661988.6
申请日：2021-06-15
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种温区均匀的陶瓷气凝胶高温气压烧结装置，属于陶瓷气凝胶制备技术领域，包括炉体、电动机、连杆和叶片；所述炉体顶部开设有连杆能够穿过的孔，连杆伸入炉体的一端端部连接有叶片，连杆在炉体外的一端端部连接电动机；电动机能够带动连杆旋转；所述炉体外壁采用高压炉壁，紧贴高压炉壁设置有保温层，在炉体内腔中设有用于加热陶瓷气凝胶的发热体。这种可调控炉内温度和气氛的高温高压气压炉采用电机机械传动为动力，使连杆末端碳/碳复合叶片旋转，推动炉内气氛流动、保证了炉内温度的均匀性及密闭性。
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公开(公告)号：CN113087541A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110296608.3
申请日：2021-03-19
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B38/00 , C04B35/622 , C04B35/584 , C04B35/565 , B32B9/00 , B32B9/04 , B32B7/12 , B32B37/12 , B32B38/00 , H05K9/00
Abstract: 本发明公开了一种透波/吸波复合层状气凝胶及其制备方法和应用，将透波、吸波气凝胶膜交替堆叠排列进行组装，获得透波/吸波复合层状电磁波吸收气凝胶。以透波气凝胶膜作为电磁波传输通道，增强层状电磁波吸收气凝胶的阻抗匹配；以吸波气凝胶为电磁波吸收剂；透波气凝胶膜与吸波气凝胶膜交替排列形成多层结构，使电磁波能够以“之”字形的方式被不断衰减，即将电磁波限制在层状电磁波吸收气凝胶吸波层的内部被耗散。该制备方法简单易行、对设备要求低、可量产；采用该方法制得的吸波气凝胶质量轻、吸收频带宽、能在高温下使用，是极具潜力的可用于高温隐身技术领域的高性能吸波材料，有望实现工业上的推广使用。
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公开(公告)号：CN111138206B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202010028587.2
申请日：2020-01-11
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/80 , C04B35/565 , C04B35/628 , C04B38/00 , C04B41/82 , H05K9/00
Abstract: 本发明公开了一种非晶碳修饰SiC纳米线连续三维网络结构吸波泡沫及其制备方法，将碳源溶液分散到SiC纳米线连续三维网络结构中，SiC纳米线表面的非晶碳层作为SiC纳米线之间的粘结剂，形成一个连续的三维多孔网络结构泡沫，泡沫中非晶碳层在SiC纳米线上分布均匀，且与SiC有良好的界面结合。该制备方法简单易行、对设备要求低、可量产；经该方法制得的泡沫质量轻、吸收频带宽，保证了SiC纳米线连续三维结构的稳定性。作为吸波剂泡沫，当吸波层厚度为3.0mm时，泡沫取得了10.1GHz(7.9‑18GHz)的有效吸收带宽，覆盖了整个X和Ku波段，有望实现在工业上的推广使用。
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公开(公告)号：CN107188527B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201710466058.9
申请日：2017-06-19
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B30/02 , C04B35/573 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种由纳米线构筑的SiC弹性陶瓷及其制备方法，属于先进陶瓷制备技术领域。技术方案为：以多孔碳材料为骨架，以烷氧基硅烷水解制备的聚硅氧烷溶胶为前驱体，通过浸渍‑裂解‑气相反应，获得多孔碳材料/SiC纳米线中间结构，然后通过热氧化去除多孔碳材料骨架，获得纳米线构筑的SiC弹性陶瓷。该材料是由SiC纳米线通过自组装形成的具有一定强度、良好弹塑性、优异隔热性能的轻质三维网络结构。该方法为制备弹性陶瓷的新方法，可实现大尺寸、形状复杂的SiC弹性陶瓷的制备，同时制备周期短，成本低，适于工业化生产。
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公开(公告)号：CN108328586A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810172223.4
申请日：2018-03-01
Applicant: 西安交通大学
IPC: C01B21/068
Abstract: 本发明公开了一种可压缩回复的氮化硅气凝胶及其制备方法，这种气凝胶由大量的氮化硅纳米带自组装而成，具有超低密度(1.8mg/cm3)、超低介电常数、介电损耗和可压缩回复性能。其制备过程如下：先以甲基三甲氧基硅烷和二甲基二甲氧基硅烷为原料通过水解反应制备得到硅氧烷干凝胶，再以该硅氧烷干凝胶为原料，放入石墨坩埚中，并在石墨坩埚上方放置一个柱形石墨基底，然后于N2气氛下，于1450-1650℃，保温处理1～4h并随炉冷却，即可在石墨基底上生长出Si3N4气凝胶。采用本方法可以实现氮化硅气凝胶的一步制备，工艺简单，易于实现工业化生产。
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