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公开(公告)号:CN109078633A
公开(公告)日:2018-12-25
申请号:CN201810974360.X
申请日:2018-08-24
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种W掺杂Bi2O3纳米结构的制备方法,属于光催化材料制备领域。a、将石英玻璃切割为基片,依次在丙酮去离子水中采用超声波各清洗5分钟,干燥。将洗好的玻璃基片固定在可旋转的样品台上,将W靶和Bi2O3靶安装在磁控溅射仪上,使基片平面与水平面成5°-10°夹角,Bi2O3靶法线与基片法线成80°-85°,靶间距为6-7cm,W靶法线与基片法线夹角50°-55°靶间距为10-11cm,关闭腔门。c、使用机械泵抽真空,使真空达到10pa以下,打开分子泵,使真空达到5*10(-4)pa以下,充入氩气,将气压升到0.2Pa-0.5Pa。d、打开转动,打开W靶直流溅射,Bi2O3交流溅射,同时溅射30分钟。e、将样品放于干燥箱中500°退火1小时,即得到具有三维纳米结构的W掺杂Bi2O3纳米结构阵列。
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公开(公告)号:CN108831994A
公开(公告)日:2018-11-16
申请号:CN201810659893.9
申请日:2018-06-25
Applicant: 西南交通大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种基于蒜的生物忆阻器的制备方法,包括如下步骤:S1、以蒜为原料制备获得粒径为0.5~2μm的蒜粉末;S2、将蒜粉末与聚偏氟乙烯粉末按质量比4:1混合均匀,再将混合粉末溶解于高氯酸钠电解液中,制得胶体;S3、将胶体在导电基片的导电面上制成薄膜作为介电层,再进行干燥处理;S4、将带有介电层的导电基片置于PH溶液中片刻取出,再进行干燥处理,PH溶液的PH值为5~7;S5、经步骤S4处理后,在介电层表面沉积上电极,即获得具有顶电极/蒜粉末/基片结构的生物忆阻器。该制备方法能够有效解决当前电子产品的污染问题,降低成本,而和其它植物相比较,蒜不仅可食用且可用于治疗相关疾病,制备成忆阻器具有良好的忆阻效应。
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公开(公告)号:CN211595781U
公开(公告)日:2020-09-29
申请号:CN202020275308.8
申请日:2020-03-06
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本实用新型涉及磁控溅射技术领域,具体涉及一种第二代高温超导带材金属溅射靶材保护装置,所述保护装置包括保护壳体、升降驱动装置和磁控溅射枪,保护壳体内设置有保护腔室,磁控溅射枪设置在保护腔室内,保护壳体的底部设置有闸板阀,所述闸板阀用于封闭保护腔室,所述升降驱动装置设置在保护壳体的顶部,所述磁控溅射枪通过伸缩杆与升降驱动装置连接。本实用新型通过保护腔室保护安装在磁控溅射枪上的靶材,让靶材处于保护腔室的真空保护状态,在更换基片或基带的过程中避免靶材氧化,减少换取基片样品过程中靶材氧化的相关影响,对促进易氧化靶材的连续制备研究,特别是第二代高温超导带材金属靶的高质量制备研究具有重要意义。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号:CN222884506U
公开(公告)日:2025-05-16
申请号:CN202421834122.6
申请日:2024-07-31
Applicant: 西南交通大学 , 东方电气集团东方电机有限公司
IPC: H02K15/50 , H02K15/122
Abstract: 本实用新型公开了一种自动化高压水剥离定子线棒主绝缘系统,包括剥离仓,所述剥离仓内设置有移动导轨、和沿所述移动导轨设置的多组多级水压喷头阵列,剥离仓底部还设置有排水口。在本实用新型中,剥离工艺自动化程度显著提升,劳动环境明显改善;绝缘层切割、剥离、干燥工艺一体化,剥离效率提升;减少人工操作,剥离一致性提升,有利于后续绝缘层修复。
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