公开(公告)号：CN1302519C

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN03127864.7

申请日：1999-11-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 日野智公 ,  浅野竹春 ,  朝妻庸纪 ,  喜嶋悟 ,  船户健次 ,  富谷茂隆

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323

Abstract: 在衬底上制作至少上表面为氮化物的多层薄膜作为生长掩模并利用生长掩模选择生长Ⅲ-V族氮化物半导体。生长掩模可以是氧化物和其上的氮化物；金属和其上的氮化物；氧化物、由氮化物和氧化物组成的薄膜以及其上的氮化物；或第一金属，其上与第一金属不同的第二金属和其上的氮化物。氧化物可以是SiO2，氮化物可以是TiN或SiN，由氮化物和氧化物组成的薄膜可以是SiNO，金属可以是Ti或Pt。

公开(公告)号：CN1557042A

公开(公告)日：2004-12-22

申请号：CN03801074.7

申请日：2003-06-06

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 东条刚 ,  矢吹义文 ,  安斋信一 ,  日野智公 ,  后藤修 ,  藤本强 ,  松本治 ,  竹谷元伸 ,  大藤良夫

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/40

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/73267 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/042 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/4031

Abstract: 一种多光束型半导体激光器，其中在蓝宝石衬底或者类似衬底的一主表面上形成有具有激光器结构的氮化物系III－V族化合物半导体层，并且在所述氮化物系III－V族化合物半导体层上形成有多个阳极和阴极。一阳极被制成横跨一阴极，同时在它们之间存在一绝缘薄膜。另外一阳极被制成横跨另外一阴极，同时在它们之间也存在一绝缘薄膜。