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公开(公告)号：CN101060170A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200710109703.8
申请日：2007-03-20
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01M10/0525 , H01M2/022 , H01M2/0222 , H01M4/0423 , H01M4/13 , H01M4/131 , H01M4/139 , H01M4/485 , H01M4/582 , H01M10/0431 , H01M2004/021 , H01M2220/30 , H01M2300/004 , Y02E60/122
Abstract: 提供一种能够防止负极活性材料层膨胀的负极和使用它的电池。该负极包括负极集电体和含有硅(Si)作为构成元素的负极活性材料层，其中该负极活性材料层中包含选自碱金属氟化物和碱土金属氟化物中的至少一种。
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公开(公告)号：CN101013750A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200710004764.8
申请日：2007-01-30
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01M4/78 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/366 , H01M4/38 , H01M4/386 , H01M4/387 , H01M4/666 , H01M4/70 , H01M10/052 , H01M10/0569 , H01M2300/0025 , Y02E60/122
Abstract: 用于二次电池的负极包括负极集电体和在负极集电体内提供的并至少在其和负极集电体之间的部分界面处与负极集电体合金化的负极活性材料层，其中负极集电体具有负极活性材料层在其上形成的第一表面和负极活性材料层没有在其上形成的第二表面，该负极具有其中负极集电体的第二表面彼此相对的部分。
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公开(公告)号：CN1763993A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510108667.4
申请日：2005-10-18
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01M10/052 , H01M4/131 , H01M4/134 , H01M4/1391 , H01M4/386 , H01M4/485 , H01M4/525 , H01M4/661 , H01M10/0587 , H01M2004/021
Abstract: 本发明提供了一种能够改善循环特性的电池。阳极活性材料层至少在与阳极集流体的部分界面处和阳极集流体形成合金。所述阳极活性材料层中的平均氧含量为40atom％或更小。当其中所述阳极活性材料层在厚度方向上被分成两个，所述集流体侧的平均氧含量是A并且表面侧的平均氧含量是B时，所述集流体侧的平均氧含量A大于所述表面侧的平均氧含量B，并且其间的差A－B为4atom％至30atom％。
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公开(公告)号：CN101355147B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200810135637.6
申请日：2008-07-07
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01M10/0525 , H01M4/0404 , H01M4/134 , H01M4/621 , H01M4/624
Abstract: 提供了一种能够改进循环特性的负极以及电池。负极包括：在负极集流体上包括负极活性材料的负极活性材料层，负极活性材料包括硅(Si)并具有多孔，其中在电极反应之后，每单位重量硅的具有从3nm到200nm且包含两端点的直径范围的孔组的测定体积容量为0.3cm3/g或更少，侵入到多孔中的水银量的变化速率分布为在从200nm到15000nm且包含两端点的直径范围内具有峰值，通过水银空隙测定法测量侵入水银量的变化速率。
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公开(公告)号：CN101533903A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200910137760.6
申请日：2004-11-05
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够缓和因随着充放电阳极活性材料层的膨胀和收缩引起的应力的阳极、或能降低随着充放电的阳极活性材料层的结构性损坏和阳极活性材料层与电解质间的反应性的阳极，及使用阳极的电池。阳极活性材料层含能够与锂形成合金化的元素，例如，选自Si或Ge的单体、合金和化合物中的至少一种。在阳极集电器和阳极活性材料层之间配置具有超弹性或形状记忆效应材料的中间层。此外，阳极集电器由有超弹性或形状记忆效应的材料制成。此外，在阳极活性材料层上形成含超弹性或形状记忆效应材料的薄膜层。
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公开(公告)号：CN100511773C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200410098135.2
申请日：2004-11-05
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01M4/134 , H01M4/38 , H01M4/386 , H01M4/66 , H01M4/661 , H01M4/667 , H01M4/70 , H01M10/0431 , H01M10/052 , H01M2004/027 , Y10T428/12806 , Y10T428/12944
Abstract: 本发明提供一种能够缓和因随着充放电阳极活性材料层的膨胀和收缩引起的应力的阳极、或能降低随着充放电的阳极活性材料层的结构性损坏和阳极活性材料层与电解质间的反应性的阳极，及使用阳极的电池。阳极活性材料层含能够与锂形成合金化的元素，例如，选自Si或Ge的单体、合金和化合物中的至少一种。在阳极集电器和阳极活性材料层之间配置具有超弹性或形状记忆效应材料的中间层。此外，阳极集电器由有超弹性或形状记忆效应的材料制成。此外，在阳极活性材料层上形成含超弹性或形状记忆效应材料的薄膜层。
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公开(公告)号：CN100479231C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200510065632.7
申请日：2005-01-28
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01M2/0222 , H01M4/0404 , H01M4/0471 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/36 , H01M4/366 , H01M4/38 , H01M4/386 , H01M4/387 , H01M4/58 , H01M4/62 , H01M4/66 , H01M4/667 , H01M10/0431 , H01M10/0436 , H01M10/052 , H01M10/446 , H01M2004/027 , H01M2300/0085 , Y02E60/122
Abstract: 本发明公开一种可以防止阻抗增大和特性变异的阳极，以及一种使用该阳极的电池。阳极活性材料层至少包括一种硅或其它类似的可与锂形成合金的元素的单质、合金或化合物。阳极活性材料层通过气相沉积方法或其它类似方法形成，并与阳极集电体形成合金。至少在阳极集电体的一部分表面上形成含碳酸锂的覆层。因此，可以防止阻抗增大。此外，阳极不易受到不同的操作环境和存储条件的影响，所以可以防止阻抗的变异。
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公开(公告)号：CN101381857A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200810213081.8
申请日：2008-08-28
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: C23C14/562 , H01M4/0421 , H01M4/131 , H01M4/1395 , H01M4/661 , H01M10/052 , H01M2200/106
Abstract: 提供一种能够稳定地形成良好质量薄膜且高度适于批量生产的蒸发设备。蒸发设备包括：蒸发源，通过加热释放蒸发材料；保持部件，保持蒸发对象；及热屏蔽部件，它布置在蒸发源与保持部件保持的蒸发对象之间，具有开口以用于汽相状态下的蒸发材料从蒸发源通过到达蒸发对象，及屏蔽蒸发对象以免受蒸发源的部分辐射热量。热屏蔽部件被布置得距离蒸发源比距离保持部件更近。
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公开(公告)号：CN101320795A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810109885.3
申请日：2008-06-05
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01M4/386 , H01M2/0285 , H01M4/134 , H01M4/364 , H01M4/366 , H01M4/483 , H01M4/64 , H01M10/052 , H01M10/0568 , H01M10/0569 , H01M2004/021
Abstract: 本发明一种提供能够改善循环特性和制造成品率的电池。负极包括：负极集电体；和布置在负极集电体上的负极活性物质层，其中负极活性物质层包括含有大量孔的负极活性物质，侵入多个孔的水银量的变化率是如下分布的：该变化率在80nm～1200nm且包括端点值的孔径范围内具有峰值，水银侵入量通过水银孔隙率法测量。
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公开(公告)号：CN101320794A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810109884.9
申请日：2008-06-05
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 提供一种能够提高循环特性的电池。负极包括：负极集电体，及布置在负极集电体上的负极活性物质层，其中负极活性物质层包含负极活性物质，该负极活性物质含有硅(Si)，并包含直径为3～50nm且包括两个端点的孔隙的群，且按每单位重量的硅计，该直径为3～50nm且包括两个端点的孔隙的群的容积为0.2cm3/g或更小，该容积是利用水银孔隙率计通过水银孔隙率法测量的。
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