公开(公告)号：CN102173374A

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN201110090904.4

申请日：2007-10-17

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 渡边徹 ,  佐藤彰 ,  稻叶正吾 ,  森岳志

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81B3/0086 ,  B81B2201/0271

Abstract: 本发明提供一种MEMS器件，该MEMS器件可以减少MEMS结构体和半导体基板之间的寄生电容。MEMS器件(1)具备MEMS结构体(30)，该MEMS结构体(30)具有隔着绝缘层形成在半导体基板(10)上的固定电极20和可动电极(26)，在固定电极(20)的下方的半导体基板(10)上形成有阱(13)，当固定电极(20)被施加正的电压时，阱(13)是p型阱。另外，对阱(13)施加电压以使阱(13)成为耗尽状态。该电压为使阱(13)维持耗尽状态的电压。

公开(公告)号：CN101168434A

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200710181944.3

申请日：2007-10-17

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 渡边徹 ,  佐藤彰 ,  稻叶正吾 ,  森岳志

IPC: B81B7/00 ,  H01L27/00

Abstract: 本发明提供一种MEMS器件，该MEMS器件可以减少MEMS结构体和半导体基板之间的寄生电容。MEMS器件(1)具备MEMS结构体(30)，该MEMS结构体(30)具有隔着绝缘层形成在半导体基板(10)上的固定电极20和可动电极(26)，在固定电极(20)的下方的半导体基板(10)上形成有阱(13)，当固定电极(20)被施加正的电压时，阱(13)是p型阱。另外，对阱(13)施加电压以使阱(13)成为耗尽状态。该电压为使阱(13)维持耗尽状态的电压。

公开(公告)号：CN101164863A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200710162734.X

申请日：2007-10-08

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 稻叶正吾 ,  佐藤彰 ,  渡边徹 ,  森岳志

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明提供一种MEMS器件及其制造方法，该MEMS器件在保持结构体的机械特性的同时降低了电阻值，并具有优良的工作特性。该MEMS器件具有：在硅基板(1)上形成的由多晶硅构成的固定电极(10)；可动电极(20)，其与形成在硅基板(1)上的氮化膜(3)隔开间隙并以机械可动的状态配置，而且由多晶硅构成；以及配线层叠部，其在可动电极(20)周围形成，并以覆盖固定电极(10)的一部分的方式形成，该配线层叠部按顺序层叠有第一层间绝缘膜(13)、第一配线层(23)、第二层间绝缘膜(14)、第二配线层(24)以及保护膜(19)，固定电极(10)的被上述配线层叠部覆盖的部分转化为了硅化物，形成有硅化物部分(25)。