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公开(公告)号：CN113296843A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110586038.1
申请日：2021-05-27
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC分类号： G06F9/445 , G06F9/4401
摘要： 本发明提出了一种面向封装级多处理器的程序加载方法。此方法将BootRom（存储处理器的启动程序，物理上以NAND Flash的形式实现，通过SPI（Serial Peripheral Interface）接口与互联裸芯连接）中的代码空间按照处理器进行分配，系统中不同处理器的启动代码集中在一个BootRom中，不同的处理器分别占有不同的代码空间，启动时不同处理器分别从不同代码空间中读取启动代码，优化了系统编程管理并且节约了空间。
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公开(公告)号：CN112817905A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110159846.X
申请日：2021-02-05
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
摘要： 本发明涉及裸芯之间的连接，尤其是互联裸芯，包括：协议转换电路，所述协议转换电路包括多个协议转换模块，用于提供多种与外部连接的标准主流协议接口；外部互联接口，所述外部互联接口包括一对同步控制器，用于与其他互联裸芯进行通信；及内部裸芯级网络，所述内部裸芯级网络包括传输总线和路由器，所述同步控制器和所述协议转换模块均分别与内部裸芯级网络的边界节点连接，用于传输来自接口或其他互联裸芯的数据包。该互联裸芯支持接口扩展和片间级联，硬件电路简洁，功能层次划分清晰，具有良好的可扩展性，克服了目前多裸芯系统技术封闭、体系庞杂、扩展性差的缺陷。
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公开(公告)号：CN112187666A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202011050998.8
申请日：2020-09-29
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC分类号： H04L12/861 , H04L12/863 , H04L12/747 , G06F21/60 , G06F15/82
摘要： 本申请公开了一种数据交换模块和数据交换系统，涉及计算机技术领域，所述数据交换模块包括：配置控制模块和数据控制模块；所述配置控制模块，用于对数据交换时的配置进行解析控制；所述数据控制模块，用于根据所述配置控制模块配置的配置信息对数据流的交换进行控制。解决了现有技术中在进行数据交换时不够灵活高效的问题，达到了上述数据交换模块可以在可重构计算阵列直接进行灵活高效的进行数据交换的效果。
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公开(公告)号：CN106952891A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710216348.8
申请日：2017-04-05
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC分类号： H01L23/525 , H01L21/768
CPC分类号： H01L23/5254 , H01L21/76825
摘要： 本发明涉及一种反熔丝单元结构及其制备方法，该反熔丝单元结构为N+/SiOxNy/METAL(N+扩散区/SiOxNy/Metal)反熔丝单元结构。按照本发明提供的技术方案，N+/ON/M反熔丝单元结构适用于多种材料片，包括SOI圆片、体硅片及外延片。N+/ON/M反熔丝单元结构工艺流程与CMOS工艺流程完全兼容。反熔丝介质层是SiOxNy材料，反熔丝上极板采用金属材料，并采用TiN材料作为阻挡层，有效降低了反熔丝单元的编程电阻。本发明N+/SiOxNy/METAL反熔丝单元结构工艺流程简单，与CMOS工艺兼容，有效地避免NMOS器件“自掺杂”现象的产生，同时直接采用金属作为反熔丝单元结构的上电极，可以有效地降低反熔丝单元的编程电压及导通电阻。
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公开(公告)号：CN106169461A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201610841682.8
申请日：2016-09-22
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC分类号： H01L23/525
CPC分类号： H01L23/5252
摘要： 本发明涉及抗辐射PIP型ONO反熔丝结构及CMOS工艺集成法，ONO反熔丝结构制作在场区之上；由下至上包括反熔丝下极板、反熔丝孔腐蚀掩蔽层、ONO反熔丝介质层、反熔丝上极板，反熔丝下极板为N型饱和掺杂的非晶硅薄膜，覆盖于场区上，反熔丝下极板的侧壁采用SPACER保护，反熔丝下极板的正上方设置贯通反熔丝孔腐蚀掩蔽层的反熔丝孔，反熔丝孔腐蚀掩蔽层覆盖于有源区、反熔丝下极板上，ONO反熔丝介质层覆盖于反熔丝孔腐蚀掩蔽层上，并填充在反熔丝孔内，反熔丝上极板是N型饱和掺杂的多晶硅薄膜。本发明能提升ONO反熔丝结构的单元抗辐射性能，缩小集成单元面积，优化ONO反熔丝结构设计，提高ONO反熔丝工艺的集成度。
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公开(公告)号：CN103151332A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310097579.3
申请日：2013-03-25
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC分类号： H01L23/525 , H01L21/768
摘要： 本发明涉及一种ONO反熔丝单元结构及其制备方法，属于微电子的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述ONO反熔丝单元结构，包括下电极板，所述下电极板包括衬底，所述衬底的上部设有场氧及N+扩散区；所述N+扩散区的正上方设置贯通注入掩蔽层及腐蚀掩蔽层的反熔丝孔，所述注入掩蔽层覆盖衬底上部的N+扩散区及场氧上，腐蚀掩蔽层覆盖于注入掩蔽层上；所述腐蚀掩蔽层上设置ONO介质层，所述ONO介质层覆盖在腐蚀掩蔽层上，并填充在反熔丝孔内，ONO介质层与反熔丝孔底部的N+扩散区接触，ONO介质层上覆盖有上电极板。本发明工艺步骤简单，能改善熔丝单元击穿电压的均匀性，降低编程时间和编程后熔丝导通电阻，工艺兼容性好，安全可靠。
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公开(公告)号：CN118116437B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410502392.5
申请日：2024-04-25
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC分类号： G11C13/00
摘要： 本发明涉及微电子集成电路技术领域，特别涉及一种可实现存内计算功能的忆阻突触单元结构。包括：n个2T2R结构、两条位线BL、两条字线WL和n条源线SL；其中所述2T2R结构由上下两个对称的1T1R结构组成，每个1T1R结构包括一个忆阻CAS器件与一个MOS器件；其中忆阻CAS器件的阳极与MOS器件的漏极相连，忆阻CAS器件的阴极与位线BL相连，MOS器件的源端与源线SL相连，MOS器件的栅端与字线WL相连；通过对忆阻突触单元结构施加电压激励，实现对神经网络权值的烧录、存储与计算功能。该结构能够有效提高存储密度、降低系统传输功耗，可通过扩展集成的方式实现神经网络中高速，高能效比的并行乘法计算。
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公开(公告)号：CN118211618A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410255118.2
申请日：2024-03-06
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC分类号： G06N3/0495 , G06N3/086 , G06F17/15
摘要： 本发明公开一种GELU函数高精度全量化计算方法，属于算法模型领域。根据曼哈顿距离给出拟合的损失评估函数用以客观评估拟合效果并计算适应度，划分多段拟合区间，各分段子区间内采用二次多项式单侧曲线精确拟合高斯误差erf函数，采用粒子群优化算法给出最优的二次多项式拟合系数以及最优的区间划分阈值，根据动态精度对称量化方法，输出二次多项式拟合的GELU函数量化结果和量化系数。对于标准测试集，与现有GELU全量化方法进行对比，添加本发明的典型Transformer算法具有更高的推理精度和性能。
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公开(公告)号：CN116760289B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202311059260.1
申请日：2023-08-22
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
摘要： 本发明公开一种基于遗传算法的DCDC buck变换器离散滑模控制算法，属于电气自动化设备领域，包括以下步骤：（一）DC‑DC buck变换器电压跟踪误差系统的构建；（二）基于BP神经网络的离散滑模控制器设计；（三）基于遗传算法优化BP神经网络初始权重值以及阈值。本发明采用BP神经网络的输出作为离散滑模控制器切换部分的系数，有效克服了传统离散滑模控制切换部分的抖振；另外，针对BP神经网络容易出现局部最小化以及收敛速度慢的问题，本发明采用遗传算法对BP神经网络的初始权重值以及阈值进行全局优化，不仅能发挥BP神经网络泛化的映射能力，而且还使得BP神经网络具有较快的收敛性以及较强的学习能力。
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公开(公告)号：CN116760289A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202311059260.1
申请日：2023-08-22
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
摘要： 本发明公开一种基于遗传算法的DCDC buck变换器离散滑模控制算法，属于电气自动化设备领域，包括以下步骤：（一）DC‑DC buck变换器电压跟踪误差系统的构建；（二）基于BP神经网络的离散滑模控制器设计；（三）基于遗传算法优化BP神经网络初始权重值以及阈值。本发明采用BP神经网络的输出作为离散滑模控制器切换部分的系数，有效克服了传统离散滑模控制切换部分的抖振；另外，针对BP神经网络容易出现局部最小化以及收敛速度慢的问题，本发明采用遗传算法对BP神经网络的初始权重值以及阈值进行全局优化，不仅能发挥BP神经网络泛化的映射能力，而且还使得BP神经网络具有较快的收敛性以及较强的学习能力。
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