公开(公告)号：CN105924152A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201610298269.1

申请日：2016-05-06

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 钟朝位 ,  陶煜 ,  刘稷 ,  陈松

IPC: C04B35/465 ,  C04B35/626 ,  C04B35/64

CPC classification number: C04B35/465 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62645 ,  C04B35/62695 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/94 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/96

Abstract: 本发明公开了一种多层陶瓷电容器用微波介质陶瓷材料及其制备方法，属于电子陶瓷技术领域。本发明陶瓷材料由钙掺杂的(MgZn)TiO3体系陶瓷和复合降烧剂经球磨混合、造粒、成型、排胶和烧结制成；所述钙掺杂的(MgZn)TiO3体系陶瓷的主晶相为MgTiO3，所述复合降烧剂包括BaCO3、B2O3和SiO2以及一种以上的Li2CO3、Nb2O5和Nd2O3。本发明制备出的陶瓷材料具有中等介电常数、可中温烧结、高Qf值且频率温度系数稳定等优势。本发明制备工艺绿色环保无污染，且本发明陶瓷材料可以使用在300M～300GHz的微波频段，可广泛应用于滤波器、振荡器等微波器件，尤其适用于多层陶瓷电容器。

公开(公告)号：CN105198423A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201510507516.X

申请日：2015-08-18

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 唐斌 ,  孙成礼 ,  周晓华 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/01 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供一种Sr-La-Al基微波介质陶瓷材料及其制备方法，原料按重量百分比计包括：氧化锶29～36％，氧化镧27～38％，氧化铝8～12％，氧化钛8～18％，氧化钙10～13％，氧化锌0.2～2％，二氧化硅0.05～1％，二氧化锰0.05～0.4％，氧化钇0～0.8％；方法包括如下步骤：研磨；烘干过筛得到干燥粉体；煅烧得到煅烧粉体；煅烧粉体与聚乙烯醇水溶液混合后造粒，干压成型得到生坯，生坯烧结，得到Sr-La-Al基微波介质陶瓷材料；本发明介电常数可以达到23，Q×f值达到65000～85000，谐振频率温度系数在0附近内可调，且在不同温度范围内性能稳定；原材料在国内充足，价格低廉，使高性能微波陶瓷的低成本化成为可能。

公开(公告)号：CN103641469A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201310632846.2

申请日：2013-12-02

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 唐斌 ,  李皓 ,  袁颖 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C04B35/465 ,  C04B35/20 ,  C04B35/622

Abstract: 一种低损耗微波介质陶瓷材料及其制备方法，属于电子信息功能材料与器件技术领域。材料包含主晶相和添加剂，主晶相包括MgTiO3、Mg2SiO4和CaTiO3，主晶相中含有少量的Mg2TiO4；添加剂包括MnO2、Co2O3、CeO2和Nb2O5；经检测具有较低的损耗（Q×f在65000～85000GHz之间），介电常数可调（9～20之间）、频率温度系数稳定（±10ppm/℃以内）和良好的加工性，能够满足微波通信行业的应用需求。制备方法为固相烧结方法，具有简单、易控、环保和成本低廉的特点。

公开(公告)号：CN102731092A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210227586.6

申请日：2012-07-03

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 唐斌 ,  余盛全 ,  钟朝位 ,  周晓华 ,  张树人

IPC: C04B35/49 ,  C04B35/622 ,  H01B3/12

Abstract: 一种Zr-Ti基微波介质陶瓷及其制备方法，属于电子信息功能材料与器件领域。所述微波介质陶瓷包括基料和添加剂；所述基料为(1-x)ZrTi2O6–xZnNb2O6，其中0.20≤x≤0.40；所述添加剂为相当于基料质量0.50%~2.50%的CuO和0.12%~0.90%MnO；所述Zr-Ti基微波介质陶瓷材料的晶相组成包括ZrTi2O6相与TiO2相，介电常数εr为41~53，Q×f值为35000GHz~49000GHz，频率温度系数τf在0两边可调。制备时采用常规工艺制备、空气中烧结，具有很大的推广实用价值，适合用于制作现代通信技术中的介质谐振器、介质滤波器、介质基板以及介质天线等微波通信元器件。

公开(公告)号：CN101774826B

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN201010028099.8

申请日：2010-01-15

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 钟朝位 ,  张树人 ,  张韶华

IPC: C04B41/88

Abstract: 一种99BeO陶瓷金属化浆料及其制备法，属于电子材料技术领域。由60～70％质量的金属化原料和30％～40％的有机粘结剂组成。所述金属化原料由70～90％质量的金属W和10～30％质量的多元金属氧化物活性剂组成。所述多元金属氧化物活性剂由MgO、Al2O3、SiO2和一种以上含Sm、Nd、Pr或Tb的氧化物组成。首先采用MgO、Al2O3、SiO2等原料和球磨工艺制备多元金属氧化物活性剂；然后混入金属钨粉，球磨烘干后得到金属化原料；最后混入有机粘结剂，振磨后得到金属化浆料。采用本发明提供的金属化浆料对99氧化铍陶瓷表面进行金属化时，可降低金属化烧结温度，氧化铍陶瓷器件表面金属层具有更高的抗拉强度和导热率；同时，其制备方法工艺简单，成本较低且具有良好的重复性，适合于工业化生产。

公开(公告)号：CN101219899A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200810045148.1

申请日：2008-01-10

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 钟朝位 ,  张树人 ,  梁健

IPC: C04B35/64 ,  C04B35/63 ,  C04B35/08

Abstract: 本发明属于电子功能陶瓷材料技术领域，涉及氧化铍陶瓷材料的制备方法。本发明采用BeO原料和助烧剂分别分散并研磨的方式控制原料粒径，然后采用湿磨方式将二者均匀混合，经烘干、造粒并成型后采用本发明独特的三段式烧结方式烧结：首先在1000℃到1400℃之间保温0.5～4小时，然后以3℃～8℃/min的升温速度升温到1620℃到1680℃之间，最后快速降温至1520℃到1580℃之间并保温2～6小时。本发明所制备的BeO陶瓷晶粒大小可控、一致性和重复性好；采用独特的三段式烧结方式，使得最终BeO陶瓷结构均匀致密，从而提高了最终BeO陶瓷材料的热导率和抗折强度。本发明制备的BeO陶瓷材料作为高导热主体关键材料，可用于微波、毫米波、大功率、高组装密度的电子元器件或组件中起承载导热功能。

公开(公告)号：CN1854105A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200510048278.7

申请日：2005-12-30

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 周晓华 ,  张树人 ,  李波 ,  朱文奕 ,  钟朝位 ,  杨成韬

IPC: C04B35/63 ,  C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  H01L41/187 ,  H01G4/12

Abstract: 纳米级陶瓷材料掺杂剂、陶瓷电容器介质材料及二者的制备方法，属于电子材料技术领域。本发明的纳米级陶瓷材料掺杂剂，其配方表示为：aA·bB·cC·dR2O3·eSiO2；其中，A包括Na2O；B包括MgO、CaO之一种或多种；C包括MnO2、Co3O4之一种或多种；R包括Y、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu之一种或多种；其中，a、b、c、d、e是系数，以mol％计算,0≤a≤10％,0≤b≤25％，0≤c≤15％，20％≤d≤60％，10％≤e≤50％，b与c不同时为0。本发明的方法得到的介质材料初始颗粒超细，符合MLCC大容量、小型化的趋势，材料配方可调，烧结温度低；介电常数高，介质损耗小，制成的材料均匀性好，性能重复性好，有利于提高电容器的可靠性。

公开(公告)号：CN1345705A

公开(公告)日：2002-04-24

申请号：CN00116134.2

申请日：2000-09-28

Applicant: 电子科技大学 ,  成都宏明电子股份有限公司

Inventor： 钟朝位 ,  周晓华 ,  谭宜成 ,  廖永红

IPC: C04B35/622 ,  H01L21/68

Abstract: 本发明公开了一种用于半导体陶瓷生产过程中的半导化热处理工艺的承烧钵,它是由镍铁合金制作而成。由镍铁合金特性,使得半导体陶瓷的半导化热处理工艺中采用镍铁合金承烧钵取代陶瓷承烧钵,具有明显改善的工艺适应性和良好的经济效益。

公开(公告)号：CN1211050A

公开(公告)日：1999-03-17

申请号：CN97107672.3

申请日：1997-09-10

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 钟朝位 ,  张树人

IPC: H01G4/00 ,  H01G4/12 ,  H01G13/00

Abstract: 本发明属Ⅲ型陶瓷电容器生产中关键工艺之一的半导化烧结及处理方法,其特征是采用高温和触媒作用下得到的氨分解产物一氮氢混合气体替代原来的高纯氮气加高纯氢气作为半导化烧结所需的还原气氛;并在窑炉进出口端形成火帘密封,防止空气进入窑炉,从而使半导化烧结工艺中所用气体的成本下降到仅为原来的13.6%。采用本发明既降低了生产的总成本,又提高了生产的安全性,特别对规模化生产意义更加重大。

公开(公告)号：CN119977533A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510245798.4

申请日：2025-03-04

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李恩竹 ,  颜珺玮 ,  钟朝位 ,  李正鑫 ,  胡智超

IPC: C04B35/10 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供了一种新型氧化锆增韧氧化铝陶瓷材料及其制备方法，本发明属于电子陶瓷及其制造领域，具体涉及一种新型氧化锆增韧氧化铝(ZTA)陶瓷材料及其制备方法。该材料化学式为Al10ZrY0.03B2xSixO17(0≤x≤0.35)，其原料组成为Al2O3，ZrO2，Y2O3，B2O3，SiO2通过固相烧结法制得；具有高密度(体密度4.2967g/cm3相对密度98.4％)，高抗弯强度(596.6Mpa)，高品质因子(36660GHz)。本发明通过在传统ZTA的基础上改进合成配方，在保证高密度与高抗弯强度的同时，兼具较高品质因子，适用于电子基板与封装材料，且制备方法简单，易于工业化生产。