一种可调谐的平板电磁波吸收材料

    公开(公告)号:CN102303429B

    公开(公告)日:2014-04-09

    申请号:CN201110167384.2

    申请日:2011-06-21

    Abstract: 一种可调谐的平板电磁波吸收材料,属于电磁功能材料技术领域。包括金属反射层、介质层、氧化钒相变材料层和超颖材料层;介质层位于金属反射层和氧化钒相变材料层之间,氧化钒相变材料层位于介质层和超颖材料层之间。本发明在三层式电磁波吸收材料的超颖材料层和介质层之间,插入氧化钒相变薄膜,利用热、电或光触发相变过程来控制电磁波吸收材料的吸收效率和吸收频率。本发明结构简单、易于制备;具有吸收幅度和吸收频率可调的特性,调制深度可以达到70%以上;且调制手段多样的特点,可以借助于热或电或者激光等多种手段来实现太赫兹波吸收的调制;可用于微波、太赫兹波以及光波段的电磁保护、隐身技术、波谱探测以及热辐射等。

    一种用于太赫兹波调制的超材料结构

    公开(公告)号:CN101694558B

    公开(公告)日:2012-04-25

    申请号:CN200910167953.6

    申请日:2009-10-21

    Abstract: 本发明涉及一种用于太赫兹波调制的超材料结构。包括:中心介质层,由对太赫兹波透明的聚乙烯材料构成,中心介质层的厚度小于入射的太赫兹波的十分之一波长;上表面光栅层,采用金属材料,由位于中心介质层上表面的一系列呈周期性分布的平行栅格构成,每个栅格与两边的栅格空隙构成一个周期,每条栅格的厚度均小于宽度;下表面光栅层,采用金属材料,由位于中心介质层下表面的一系列呈周期性分布的平行栅格构成,每个栅格与两边的栅格空隙构成一个周期,每条栅格的厚度均小于宽度;所述上、下表面光栅层的栅格呈镜像对称分布。本发明的有益效果是:由于表面等离子体波始终在增强太赫兹波的透射,因而拓宽了调制器对太赫兹波的调制范围。

    基于异向介质理论的双频吸收器

    公开(公告)号:CN102290637A

    公开(公告)日:2011-12-21

    申请号:CN201110162211.1

    申请日:2011-06-16

    Abstract: 基于异向介质理论的双频吸收器,属于微波射频领域。本发明由多个SRR单元组成,每个SRR单元由4个矩阵分布的矩形Single-SRR组成,每个Single-SRR的开口都设置于矩阵的中心位置,开口处于矩形Single-SRR的角。本发明的有益效果是,集中电磁能,增强谐振功能。可以通过调节其参数大小,在平面波照射下,产生双频点谐振,从而实现双频吸收器的功能。

    一种太赫兹波平面吸收材料

    公开(公告)号:CN101702067A

    公开(公告)日:2010-05-05

    申请号:CN200910216064.4

    申请日:2009-10-29

    Abstract: 一种太赫兹波平面吸收材料,属于电磁功能材料技术领域,涉及电磁波吸收材料。包括衬底、金属反射层、介质层和人工电磁媒质层;其中,所述金属反射层为连续金属薄膜,且位于衬底表面;所述介质层位于金属反射层和人工电磁媒质层之间;所述人工电磁媒质层由周期性排列的人工电磁媒质单元构成;每个单元为一个线宽为t的金属薄膜线条形成的中心对称图形,包括中间由两个单开口金属环相向连接的电开口环共振器;还包括两个与电开口环共振器两侧长边背向连接的单开口金属环。本发明所提出的太赫兹波平面吸收材料具有两个强吸收频段,可以提供不同频段的选择性吸收和探测。同时可以吸收更大频谱范围的太赫兹辐射,提高了太赫兹波平面吸收材料的性能和效率。

    光子晶体T形功率分配器

    公开(公告)号:CN101561531A

    公开(公告)日:2009-10-21

    申请号:CN200910059440.3

    申请日:2009-05-27

    Abstract: 光子晶体T形功率分配器,属于材料技术领域,涉及光子晶体应用技术。本发明在现有的光子晶体T形功率分配器的基础上,在所述T形线缺陷的垂直线缺陷和水平线缺陷相交的位置增加一个介质柱,同时分别去掉T形线缺陷的两个直角拐弯处顶点位置上距离所增加的介质柱最近的介质柱。还可以在距离所增加的介质柱一倍晶体周期常数a长度的左右两边及下边的位置上分别再增加一个介质柱;同时分别去掉T形线缺陷的两个直角拐弯处距离垂直线缺陷和水平线缺陷的交点位置最近的三个介质柱。本发明的优点是改进的T形光子晶体功率分配器在通带的幅频特性平坦度高,而且降低了T形功率分配器两个输出端间的相互影响,具有更好的实用性。

    一种耐高温的高导热超宽带复合吸波涂料及其制备方法

    公开(公告)号:CN119144211A

    公开(公告)日:2024-12-17

    申请号:CN202411600447.2

    申请日:2024-11-11

    Abstract: 本发明属于电磁吸收材料领域,涉及毫米波频段及太赫兹波段的高性能电磁吸收材料,具体提供一种耐高温的高导热超宽带复合吸波涂料及其制备方法,用以解决现有复合吸波涂料存在的吸收带宽窄、整体吸收效率不佳以及环境适应性较差、耐高温性能不佳等问题。本发明中,所述复合吸波涂料由环氧树脂(EP)、Ti3C2Tx(MXene)与羰基铁粉(CIP)组成,以环氧树脂的组分含量为40g作基准,所述羰基铁粉的组分含量为10g~40g,所述Ti3C2Tx的组分含量为2g~6g。综上,本发明以环氧树脂为粘结剂,复合单层MXene片状粉末与羰基铁粉形成复合吸波涂料,实现了吸波涂料的超宽带吸收性能,且具有优异的耐高温和高导热性能;并且,所述复合吸波涂料制备工艺简单、制备成本低,有利于工业化应用。

    可拉伸且环境稳定的水凝胶基电磁隐身材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN117089089A

    公开(公告)日:2023-11-21

    申请号:CN202311129427.7

    申请日:2023-09-01

    Abstract: 本发明属于电磁隐身材料制备领域,具体提供一种可拉伸且环境稳定的水凝胶基电磁隐身材料及其制备方法,用以解决水凝胶材料在低温干燥环境中吸波性能与机械性能不稳定的技术问题。本发明水凝胶基电磁隐身材料由水油凝胶芯层和弹性体表层组成,弹性体表层紧密包覆水油凝胶芯层外;所述水凝胶基电磁隐身材料具有优异的防冻与防干燥性能,在低温与干燥等环境中具有良好的稳定性;其防冻性能主要源于水油凝胶中加入一定量的极性有机溶剂,可极大降低水的冰点;其防干燥性能主要受益于致密疏水的弹性体表层的存在,能够有效避免水油凝胶在干燥环境中脱水;同时,所述水凝胶基电磁隐身材料的制备工艺简单、制备成本低。

    一种基于Ti3C2Tx的多层波浪型太赫兹波超强吸收材料

    公开(公告)号:CN116423930A

    公开(公告)日:2023-07-14

    申请号:CN202310215763.7

    申请日:2023-03-08

    Abstract: 本发明属于电磁功能材料技术领域,提供一种基于Ti3C2Tx的多层波浪型太赫兹波超强吸收材料,用以解决现有技术存在的阻抗匹配与衰减匹配的矛盾,以及制作成本高昂、制备过程繁复、应用稳定性不可靠等问题。本发明由多层织物结构与其外包裹的水性聚氨酯构成,多层织物结构由多层柔性织物层叠构成,每层柔性织物上吸附填充有对应负载量的Ti3C2Tx,按照从下往上的顺序负载量逐层递减直至零,多层结构呈现起伏的波浪状外形。本发明利用Ti3C2Tx的超高导电性以及织物的纤维结构形成的导电网络实现优异的吸收强度,且具有机械性能强、应用稳定性可靠和轻薄等优异性能,同时,该吸收材料制备成本低、工艺便捷,具有十分优异的实际应用价值。

    一种内埋LC的LTCC多层DC-DC变换器
    29.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116317535A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310298516.8

    申请日:2023-03-24

    Abstract: 本发明属于电子元器件领域,具体涉及一种内埋LC的LTCC多层DC‑DC变换器。本发明采用了LC同时内埋,辅以两层陶瓷层将LC分层集成进同一块LTCC多层基板中,LTCC基板内包括多层结构,其余器件表贴在基板上方,通过打孔的方式实现基板内部多层电路与表面电路的电气连接。本发明的结构使得内埋磁性器件间的相互干扰、以及对顶层电路产生干扰的问题得到解决;物理尺寸是一般PCB集成板的九分之一,达到了小型化的目的,相比于以往的单电感内埋与单电容内埋结构,采用了同时内埋,性能更佳,集成度更高,体积更小、外观更美观。

    一种基于FPGA的非制冷型红外图像增强系统及方法

    公开(公告)号:CN116071260A

    公开(公告)日:2023-05-05

    申请号:CN202310101460.2

    申请日:2023-01-30

    Abstract: 本发明属于红外图像增强方法技术领域,具体为一种基于FPGA的非制冷型红外图像增强系统及方法,是以FPGA为处理核心,结合双边滤波算法和伽马校正算法,对红外图像进行实时增强。双边滤波算法在处理的过程中同时考虑像素点间的距离与灰度差值两种因素,在增强图像效果的同时能够清晰地保留图像原有细节,达到保边去噪的目的。在此基础上,通过伽马校正算法,使去噪后的图像具有更强的对比度,有效提高图像质量。同时,在构架的系统框架中,对芯片SRAM‑A和芯片SRAM‑B进行复用,使整个系统能够利用更少的存储资源实现快速处理更大数据量,从而满足图像处理系统对于实时性的要求。

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