公开(公告)号：CN117091494A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202311051698.5

申请日：2023-08-21

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 尹伊 ,  廖鹏鲲 ,  竺易文 ,  袁潇毅 ,  李春

IPC: G01B7/16 ,  G01L1/22

Abstract: 本发明涉及一种基于二硫化钼(MoS2)的柔性应力传感器及其制备方法，该传感器由丝素蛋白/聚乙烯醇(PVA)复合材料支撑层、MoS2传感层、金属电极层由下至上逐层叠加构成。所述制备方法具体步骤为：首先采用丝素蛋白和PVA混合溶液在聚苯乙烯(PS)衬底上滴注形成丝素蛋白/PVA复合材料支撑层；然后采用单分散MoS2墨水在其上旋涂制备MoS2传感层；最终采用蒸镀的方式制备铟(In)、金(Au)电极层。本发明所述的传感器具有柔性好、灵敏度高、环境友好、工艺简单，在大批量工业化生产中具有很高的生产效率等优点。

公开(公告)号：CN113549882A

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202110616860.8

申请日：2021-06-03

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 尹伊 ,  朱皓宇 ,  吴涛

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  G02F1/1523

Abstract: 本发明公开一种WO3纳米线电致变色薄膜的制备方法，应用于电致变色材料与器件领域，针对现有磁控溅射方法制备的薄膜结构致密平滑，与电解液有效接触面积小，使得电致变色器件性能难以进一步提高的问题；本发明以氧化铟锡(ITO)覆盖的玻璃为基片，将银靶和钨靶分别放置在直流靶位和射频靶位，利用共溅射镀膜技术，通过银诱导生长出WO3纳米颗粒；利用反应溅射镀膜技术，通过钆掺杂在WO3纳米颗粒上生长出纳米线结构。WO3纳米线结构薄膜相比WO3致密薄膜明显改善了电致变色性能。

公开(公告)号：CN109267027B

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201811425891.X

申请日：2018-11-27

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 许庆凡 ,  尹伊 ,  陈琪 ,  高天 ,  李春

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  G02F1/1523 ,  G02F1/1506

Abstract: 本发明公开了一种具有岛状纳米颗粒结构的WO3电致变色薄膜制备方法，包括以下步骤：S1、采用射频磁控溅射技术，以钨金属靶为阴极靶材，设定相应溅射工艺参数，在洗净的ITO透明导电玻璃衬底上沉积一层WO3薄膜；S2、在钨金属靶上放置若干银金属片，再次设定相应溅射工艺参数，在WO3薄膜上溅射制备一层W、Ag和O混合岛状纳米颗粒结构层；S3、将经过步骤S1和S2制备的样品采用稀硝酸处理，以消除W、Ag和O混合岛状纳米颗粒结构层中的Ag，从而获得具有岛状纳米颗粒结构的WO3电致变色薄膜。本发明制备的电致变色薄膜具有着色效率高、变色时间快、表面粗糙度大、微结构分布均匀、疲劳特性好、环境污染小和参数易控制的特点。

公开(公告)号：CN103311071B

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201310234637.2

申请日：2013-06-14

Applicant: 电子科技大学 ,  四川长虹电器股份有限公司

Inventor： 尹伊 ,  肖建亭 ,  祁康成 ,  李军建 ,  王小菊 ,  曹贵川 ,  林祖伦 ,  严群 ,  周辉

IPC: H01J11/40 ,  C01F5/02

Abstract: 一种PDP用铝掺杂类立方体状氧化镁粉末材料的制备方法，属于电子材料技术领域。主要步骤包括：将醋酸镁、氯化铝和尿素按比例溶解于去离子水中，形成反应体系；将反应体系转入反应釜中，在160℃温度下反应不低于3小时；将反应所生成固体产物分离、洗涤、干燥；将固体产物于不低于800℃的温度下煅烧。本发明制备的铝掺杂类立方体氧化镁粉末，形状规则、粒径分布均匀、有更高的二次电子发射系数，应用于PDP能改善PDP性能，降低PDP着火电压及维持电压。本发明同时具有反应简单、成本低廉和环境有好的特点。