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公开(公告)号：CN115764207A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211143049.3
申请日：2022-09-20
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于通信技术领域，具体的说是涉及一种带内陷波频率和衰减可重构的宽带带通滤波器。本发明利用消逝模谐振器作为基本调谐单元，通过控制压电制动器两端电压控制消逝模谐振腔的谐振频率，陷波频率和衰减同时由两个消逝模谐振器的谐振频率同时决定，通过调节两个消逝模谐振器的谐振频率调节陷波频率大小，通过调节谐振频率的频率差调节陷波频率的衰减。本发明在宽带滤波同时实现带内陷波频率和陷波衰减可重构，能够灵活应对带内出现大功率干扰的现象，同时本发明不仅减小了滤波器的尺寸，还很大程度减小插损，提高了系统的整体性能。
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公开(公告)号：CN113381727A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110573718.X
申请日：2021-05-25
Applicant: 电子科技大学 , 中国人民解放军32802部队 , 南湖实验室
IPC: H03H11/04
Abstract: 本发明公开一种阶数、中心频率和带宽可重构的有源滤波芯片，控制信号从差分输入端口port1输入，经过对称的第一可控外部耦合单元后进入第一谐振腔的输入端口，第一谐振腔通过磁耦合将能量耦合到第二谐振腔，第二谐振腔通过对称的可控级间耦合单元将能量耦合到第三谐振腔，第三谐振腔通过磁耦合将能量耦合到第四谐振腔，第四谐振腔通过对称的第二可控外部耦合单元将能量耦合到第四谐振腔；本发明采用差分输入输出的形式，整个滤波器由四个谐振腔组成，并利用变压器实现，减小了耦合器件，节约了芯片面积，并通过可控负阻补偿单元NR1改善谐振腔Q值，改善滤波电路的插损、噪声系数等关键指标，并采用三组阵列形式的补偿单元，提高了补偿的灵活性。
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公开(公告)号：CN112803913A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202011621876.X
申请日：2020-12-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明的一种超宽调节范围的可重构滤波器，包括信号输入端口和信号输出端口，所述信号输入端口和信号输出端口之间至少连接有三条并联的滤波通道，三条滤波通道均包括由二阶谐振器和外部匹配网络构成的对称滤波器网络，所述二阶谐振器包括用于调节通道滤波状态的调谐单元，所述三条滤波通道的频段不同。本发明的滤波器在谐振器内部直接设置可作为通道开关的调谐单元的方式，避免了输入输出开关的使用，同时可实现较宽范围的调节，调谐单元不仅减小了滤波器的尺寸，同时很大程度减小插损，提高了系统的整体性能。
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公开(公告)号：CN110729538A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201911083537.8
申请日：2019-11-07
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有可重构陷波带的小型化超宽带带通滤波器，包括50Ω微带线、微带线到半模基片集成波导过渡段、半模基片集成波导、三个半波长槽谐振器和三个可重构陷波单元。本发明的超宽带带通滤波器的最低通带频率由半模基片集成波导的宽度决定，而最高通带频率由三个半波长槽谐振器决定。利用三个可重构陷波单元与微带线到半模基片集成波导过渡段和半模基片集成波导相耦合，产生频率和带宽可重构的陷波带。通过改变直流偏置电压，可以调节变容二极管的电容值，从而调节陷波带的频率和带宽响应。
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公开(公告)号：CN106228245B
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201610578882.9
申请日：2016-07-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于变分推断和张量神经网络的知识库补全方法，在知识库补全方法中引入了张量分解思想和贝叶斯框架，考虑了隐含变量的先验知识，探讨了隐含变量两两之间的相互作用，并用神经网络进行了非线性的表达，增加了对不确定性的考虑，较为明显的提高了知识库补全方法的精度，与现有的技术相比有了较大的提升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103280461B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201310195376.8
申请日：2013-05-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有具有硅化物电极的MOSFET器件由于硅化物电极向沟道区引入的应力不可控导致器件性能指标不稳定的问题，提供了一种具有槽型结构与硅化物电极的MOSFET器件及其制作方法，其技术方案可概括为：该器件与现有无槽结构而具有硅化物电极的MOSFET器件相比，还包括设置在有源区外侧的槽型结构，槽型结构的深度不低于器件源区源极方向边界到漏区漏极方向边界的长度，槽型结构的内部还设置有均匀厚度的绝缘介质层，槽型结构的宽度为绝缘介质层厚度的至少3倍。本发明的有益效果是，使应力主要向槽型结构区释放，从而减小沟道应力，适用于具有硅化物电极的MOSFET器件。
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公开(公告)号：CN102610530B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201210107600.9
申请日：2012-04-13
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 一种具有高锗组分的锗硅沟道的PMOS的制备方法，属于半导体器件领域，尤其涉及一种提高锗硅(SiGe)PMOS沟道中锗(Ge)组分的方法，来提高器件性能。它的特征是利用氮化硅(SiN)层在硅(Si)中引入应变形成应变硅(Si)，并利用浅槽隔离区(缩写为STI)记忆应变硅(Si)中的应变，然后去掉氮化硅(SiN)层，最后在该应变硅(Si)上外延锗(Ge)组分较高的锗硅(SiGe)层作为沟道，在上制作晶体管。本发明工艺简单，与传统的MOS工艺兼容，成本较低，沟道中Ge组分提高明显，不仅适用于90纳米工艺节点以下的小尺寸器件，还可以推至0.13微米以上的较大尺寸的器件。
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公开(公告)号：CN103839240A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201410079442.X
申请日：2014-03-06
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06T5/00
Abstract: 本发明公开了一种基于概率模型和NSDT的SAR图像去斑方法，克服了现有技术中去斑后SAR图像的边缘和细节信息保持不充分，去斑后的SAR图像匀质区域中出现伪纹的问题。本发明实现的具体步骤为：(1)输入图像；(2)非下采样方向波变换；(3)对高频子带系数求标签掩码；(4)求似然比；(5)求先验比；(6)求去斑后的高频子带系数；(7)非下采样方向波逆变换；(8)输出图像。本发明可以有效捕捉SAR图像在非下采样方向波变换域的统计特性，能清晰的保持去斑后SAR图像的边缘和细节信息，能够有效滤除待去斑SAR图像匀质区域中斑点噪声。
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公开(公告)号：CN103474455A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310364505.1
申请日：2013-08-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/778
Abstract: 本发明涉及一种具有复合金属栅的氮化镓基高电子迁移率晶体管，包括衬底、氮化镓缓冲层、氮化铝插入层、铝铟镓氮势垒层、以及铝铟镓氮势垒层上的源极、漏极和栅极；其中源极和漏极与铝铟镓氮势垒层形成欧姆接触，栅极与铝铟镓氮势垒层形成肖特基接触，所述铝铟镓氮势垒层上的栅极由两种以上不同功函数的金属连接组成。本发明利用不同功函数的栅极金属之间形成的阶梯型势垒屏蔽漏极电势对器件沟道的影响，抑制漏致势垒降低(DIBL)效应，改善深亚微米级氮化镓基高电子迁移率晶体管的SCEs，从而提高电流增益截止频率fT。
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公开(公告)号：CN116758549A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310503196.5
申请日：2023-05-06
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06V30/148 , G06V30/14 , G06V30/16
Abstract: 本发明公开了一种基于3D点云的曲面零件字符提取方法，属于工业制造和3D图像处理领域。本发明基于3D点云数据分析，创新性地将3D图像处理技术应用到工业生产现场，完成了曲面零件的字符提取任务，该发明首先使用3D相机采集曲面零件的外形数据，并将数据以3D点云格式进行保存；然后使用字符定位算法找出曲面字符的准确位置，并将字符区域的点云数据单独提取出来；接着对提取的字符数据逐一进行曲面校正；最后使用3D点云的法向量的特性，将表面的字符提取出来。本发明所述方法可以准确定位曲面零件字符的位置，实现曲面字符的提取，在非均匀光照、字符区域与非字符区域色差小等条件下仍具有很好的鲁棒性，解决了曲面零件字符提取困难、提取效果差等问题。
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