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公开(公告)号：CN109326722B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201811201088.8
申请日：2018-10-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于有机场效应管红外探测器及其制备方法，场效应晶体管从下到上依次为衬底、栅电极、介电层、半导体层、源电极和漏电极、封装层，所述介电层为高度取向性的丝素蛋白生物材料，所述半导体层为竹纤维与半导体材料的混合材料。本发明利用高度取向性的丝素蛋白，有效的减小了探测器的漏电流以及介电层的介电性能，从而有效的提升了探测率同时减小了探测器的驱动电压；利用竹纤维有效杜绝了有毒试剂的使用，同时由于其红外吸光性，提升探测器的红外响应，实现器件对红外线的高灵敏高响应探测。该红外探测器采用丝素蛋白和竹纤维，生物环保，成本更低，将红外探测器应用范围拓宽，适合于柔性、可穿戴式设备与一次性生物电子领域。
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公开(公告)号：CN111269599A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010199955.X
申请日：2020-03-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种可用于显示器件的防紫外辐射结构及其制备方法，所述防紫外辐射结构至下而上由基底、紫外辐射薄膜组成，所述防紫外辐射薄膜总厚度在18μm以下，所述防紫外辐射薄膜的原料包括以下成分：混合溶剂65～35％，防紫外辐射剂25～55％，保护剂10％；所述防紫外辐射剂为仙人掌表皮萃取液。本发明所选取的加入乙二醇做溶剂的纳米级多孔SiO2具有多孔结构，溶剂绿色环保、成膜具有可弯折特性，并且在与防紫外辐射剂混合喷涂烘干处理后会利用其多孔结构增加有效比表面积的特点，且能制备出微米级别的薄膜，大大降低了防紫外辐射薄膜厚度的量级。
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公开(公告)号：CN109904324A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910242627.0
申请日：2019-03-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于电荷窄化吸收效应的具有垂直能带梯度的钙钛矿光电探测器及其制备方法，钙钛矿光电探测器包括自下而上依次设置的玻璃基板、第一透明导电电极层、第一空穴传输层、钙钛矿敏感层a、第一电子传输层、第一空穴阻挡层、第二透明导电电极层、第二空穴传输层、钙钛矿敏感层b、第二电子传输层、第二空穴阻挡层、第三透明导电电极层、第三空穴传输层、钙钛矿敏感层c、第三电子传输层、第三空穴阻挡层、金属电极层，有效地窄化光探测器的半波峰宽，提高了钙钛矿光探测器的探测性能，可同时探测三个不同波段的光波，且制备方法简单高效，适用于规模化生产。
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公开(公告)号：CN109841738A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201910188032.1
申请日：2019-03-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有钙钛矿能级修饰层的双体异质结有机太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池依次包括衬底、第一电极层、功能层、第二电极层，其特征在于：所述功能层包括第一有机体异质结层和第二有机体异质结层，并在第一有机体异质结层与第二有机体异质结层之间插入钙钛矿修饰层，所述第一有机体异质结层靠近第一电极层，第二有机体异质结层靠近第二电极层。本发明通过将钙钛矿能级修饰层引入双体异质结有机太阳能电池中，有效的解决了传统双体异质结有机太阳能电池开路电压较低的问题，提升电池效率，简化了制备工艺。
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公开(公告)号：CN109411606A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811166608.6
申请日：2018-10-08
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L51/40 , H01L51/05 , G01N27/414
Abstract: 本发明公开了一种薄膜制备工艺以及涉及该工艺的气体传感器制备方法，涉及传感器制备技术领域。本发明采用的薄膜制备工艺，集旋涂-喷涂工艺于一体，将传统的旋涂工艺和喷涂工艺相结合后同时具有旋涂工艺成膜均匀和喷涂工艺调控形貌等优点，在形貌调控的同时保证了薄膜的均一性，雾化的溶液液滴一接触基板立即被旋涂，解决了溶液法薄膜制备过程中上层溶剂对下层薄膜的侵蚀，形成均匀性更好的薄膜，同时无数液滴的独立旋涂使得有机半导体层产生更多的晶界，有效增强了待测气体与有机半导体的相互作用，实现器件对待测气体的高灵敏度探测，同时更多的晶界利于气体的扩散，提高了器件的回复特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108287189A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201810003665.6
申请日：2018-01-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明公开了一种基于协同效应的有机场效应管湿度传感器及其制备方法，所述有机场效应管从上到下依次为衬底、栅电极、介电层、介电修饰层、半导体层、源电极和漏电极。所述介电层修饰层为有机介电材料和偏钨酸铵的混合材料，所述半导体层为有机半导体材料与偏钨酸铵的混合材料。本发明通过引入含偏钨酸铵有效的提升器件性能及其对湿度的检测能力。偏钨酸铵的引入一方面半导体层形成多介孔结构，另一方面偏钨酸铵的分解，减小了半导体晶粒之间的间隙势垒，有效的提升了器件的性能，更适宜大规模、快速产业化生产。
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公开(公告)号：CN111490163B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202010293158.8
申请日：2020-04-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于ME‑BT复合空穴传输层的钙钛矿光电探测器及其制备方法，涉及光电探测器件技术领域，所述光电探测器包括从下到上依次设置的衬底、导电阴极、电子传输层、钙钛矿光活性层，复合空穴传输层和金属阳极，所述复合空穴传输层包括上下两层，所述复合空穴传输层的上层材料为ME‑BT，下层材料为Spiro‑OMeTAD，本发明通过引入ME‑BT与Spiro‑OMeTAD形成复合空穴传输层，在提升器件光电流的同时，大幅降低其暗电流，解决了传统空穴传输层材料Spiro‑OMeTAD迁移率低，器件稳定性差，寿命较短的问题。
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公开(公告)号：CN112509985A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011464534.1
申请日：2020-12-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种可用于光电子器件的防潮结构及其制备方法，属于防潮材料技术领域，其中，一种可用于光电子器件的防潮结构，从下到上依次为附着面和防潮薄膜结构，附着面为基底的表面或者光电子器件的表面；防潮薄膜结构的总厚度不超过15um；防潮薄膜结构是由混合溶剂、防潮剂和保护剂的混合溶液经喷涂而成；防潮薄膜结构以质量成分计，分别为，混合溶剂：45～65％、防潮剂：25～35％、保护剂：10～20％；一种可用于光电子器件的防潮结构的制备方法如下：先对光电子器件表面或基底表面进行清洗，然后分别制备混合溶剂、防潮剂和保护剂、并将这三者混合喷涂到光电子器件表面或基底表面，然后进行80℃烘干处理5min，得到防潮薄膜结构。
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公开(公告)号：CN111490166A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010332610.7
申请日：2020-04-24
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于新型聚合物空穴传输层的柔性钙钛矿光电探测器及其制备方法，所述钙钛矿光电探测器从下到上依次包括衬底、导电阴极、电子传输层、钙钛矿光活性层，空穴传输层、以及金属阳极，所述空穴传输层为新型聚合物材料PDT-TPA制备而成。所述钙钛矿空穴传输层为一种新型聚合物材料PDT-TPA，其空穴迁移率高、溶解性好，且机械性能较好，具备较强的拉伸性。由所述空穴传输材料制备的柔性钙钛矿光电探测器在一定的弯折条件下依然具有较高的探测率。同时，该空穴传输材料具有良好的稳定性，能够有效地减少水氧对器件的侵蚀，从而提高柔性钙钛矿光电探测器件的稳定性和寿命，为未来柔性钙钛矿光电探测器在可穿戴电子领域奠定了一定基础。
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公开(公告)号：CN108225621B
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201810003688.7
申请日：2018-01-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01L1/14 , G01L1/16 , H01L41/113 , H01L41/22 , H01L51/05
Abstract: 本发明公开了一种基于有机场效应管压力传感器及其制备方法，包括位于最底层的衬底，衬底表面设置有栅电极，衬底与栅电极上面设置有介电层，介电层上面设置有半导体层，半导体层上分别设置有源电极和漏电极，在衬底上还设置有封装层将栅电极，介电层，半导体层，源电极和漏电极包裹其中，其中介电层为竹纤维素与生物介电材料的混合材料，竹纤维素含量为50％～75％，半导体层为竹纤维与可溶性生物半导体材料的混合材料，纤维素含量为5％～15％。本发明传感器中竹纤维素能高灵敏高响应探测压力，掺杂竹纤维素的介电层和有机半导体层使器件稳定性更高，更加环保，制备方法工艺易实现，能最好地兼容生物材料功能层，及减少制备过程对环境的污染。
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