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公开(公告)号：CN111490163B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202010293158.8
申请日：2020-04-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于ME‑BT复合空穴传输层的钙钛矿光电探测器及其制备方法，涉及光电探测器件技术领域，所述光电探测器包括从下到上依次设置的衬底、导电阴极、电子传输层、钙钛矿光活性层，复合空穴传输层和金属阳极，所述复合空穴传输层包括上下两层，所述复合空穴传输层的上层材料为ME‑BT，下层材料为Spiro‑OMeTAD，本发明通过引入ME‑BT与Spiro‑OMeTAD形成复合空穴传输层，在提升器件光电流的同时，大幅降低其暗电流，解决了传统空穴传输层材料Spiro‑OMeTAD迁移率低，器件稳定性差，寿命较短的问题。
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公开(公告)号：CN113193119B
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202110587818.8
申请日：2021-05-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于spiro‑OMeTAD掺杂体异质结的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，由下至上依次为透明衬底、导电阴极、电子传输层、钙钛矿活性层、体异质结掺杂的空穴传输层以及金属阳极，且上述各层按序依次制备；其中，体异质结掺杂的空穴传输层采用空穴传输材料spiro‑OMeTAD，并掺入体异质结；体异质结包括并不限于IEICO‑4F：PCE10，薄膜厚度为300nm；掺杂的体异质结选用具有近红外吸收的给体/受体材料并选用与之搭配的受体/给体，spiro‑OMeTAD中掺入体异质结后，在提升器件短路电流的同时保持了器件的开路电压，从而提升了钙钛矿太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN111430544B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202010181640.2
申请日：2020-03-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于有机材料混合掺杂的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池器件技术领域，为了解决传统非富勒烯掺杂剂钝化效果差、溶解性差的技术问题，本发明包括从下到上依次设置透明衬底，导电阳极，电子传输层，钙钛矿光活性层，空穴传输层，空穴阻挡层，金属阴极。所述钙钛矿活性层中掺杂一种新型的氯化非富勒烯掺杂剂，由于氯离子的钝化作用，能够有效增强钙钛矿的晶粒大小，进而有效地提高了钙钛矿太阳能电池的短路电流，开路电压以及填充因子，从而提升了器件光电转换效率。
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公开(公告)号：CN111162176B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201911399765.6
申请日：2019-12-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种振荡辅助旋涂工艺制备具有垂直相梯度分布光活性层的有机太阳能电池的制备方法，有机太阳能电池采用反型结构，从下到上依次为衬底，透明导电阴极ITO，ZnO阴极缓冲层，光活性层，MoO3阳极缓冲层，金属阳极，活性层旋涂前，对滴覆在ZnO阴极缓冲层上的活性层溶液进行超声振荡，促使溶液形成体积较小的小分子非富勒烯材料沉积在溶液下方，体积较大的聚合物分子材料富集在溶液上方的垂直相梯度分布形态。解决了非富勒烯体系光活性层内相分离不佳，从而导致光生载流子的分离、传输与界面间传递效率低，使得器件拥有较大的界面接触电阻与较高的载流子复合几率，最终降低器件性能的问题。
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公开(公告)号：CN113270552A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110587816.9
申请日：2021-05-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于2D‑3D‑2D吸光层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，由下至上依次为透明衬底、导电阳极、空穴传输层、二维钙钛矿一保护层、三维钙钛矿活性层、二维钙钛矿二保护层、电子传输层、空穴阻挡层以及金属阴极，且上述各层按序依次制备；在二维材料层上旋涂PbI2过量的三维钙钛矿前驱体，退火后过量的PbI2会与下层的二维材料层反应形成二维钙钛矿一保护层，从而形成2D‑3D结构。在三维钙钛矿上再次旋涂二维材料，退火后过量的PbI2会与上层的二维材料反应形成二维钙钛矿二保护层，从而形成2D‑3D‑2D的吸光层结构。由于二维钙钛矿材料天然的疏水性，该2D‑3D‑2D的吸光层结构使器件的稳定性得到较大的提升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111490163A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010293158.8
申请日：2020-04-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于ME-BT复合空穴传输层的钙钛矿光电探测器及其制备方法，涉及光电探测器件技术领域，所述光电探测器包括从下到上依次设置的衬底、导电阴极、电子传输层、钙钛矿光活性层，复合空穴传输层和金属阳极，所述复合空穴传输层包括上下两层，所述复合空穴传输层的上层材料为ME-BT，下层材料为Spiro-OMeTAD，本发明通过引入ME-BT与Spiro-OMeTAD形成复合空穴传输层，在提升器件光电流的同时，大幅降低其暗电流，解决了传统空穴传输层材料Spiro-OMeTAD迁移率低，器件稳定性差，寿命较短的问题。
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公开(公告)号：CN111180587A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201911393061.8
申请日：2019-12-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种特殊掺杂的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，从下至上依次设置为透明衬底、导电阳极、空穴传输层、钝化掺杂层、钙钛矿活性层、电子传输层、空穴阻挡层以及金属阴极，所述钝化掺杂层材料为二维钙钛矿前驱体材料或有机铵盐，厚度为0.1～10nm。本发明与传统钙钛矿太阳能电池相比，光电转换效率更高，以及阻隔水氧能力更好，钙钛矿太阳能电池稳定性更好。
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公开(公告)号：CN111162174A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201911393064.1
申请日：2019-12-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于有机体异质结的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，所述的太阳能电池包括依次设置的衬底、阳极、空穴传输层、钙钛矿光活性层、电子传输层以及阴极，所述的阳极与阴极之间通过外加电源连接；所述的钙钛矿活性层采用有机体异质结溶液作为反溶剂。本方案通过将有机体异质结作为钙钛矿反溶剂引入钙钛矿活性层中，能提高钙钛矿在可见光范围的光吸收、同时有效拓宽其在近红外波段的吸收，进而提高器件的光生电流，同时，有机体异质结还能够填充在钙钛矿晶界处，减小钙钛矿层的缺陷态密度，进而减小自由载流子被捕获的几率，同时增大载流子传输速率，提高器件的填充因子和开路电压，提高器件质量。
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公开(公告)号：CN112531114A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011468474.0
申请日：2020-12-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L51/30 , H01L51/40 , G01N27/414
Abstract: 本发明公开了一种基于有机场效应晶体管的二氧化硫传感器及其制备方法，属于二氧化硫传感器领域，包括从下到上依次设置的衬底、栅电极、栅极绝缘层和有机半导体层，所述有机半导体层上设置有源电极和漏电极，所述有机半导体层为可溶性的有机半导体材料，在有机半导体层加入质量分数为5％～10％的花青素以及12％～17％的辅酶Q10；利用花青素和辅酶Q10的抗氧化性，增强了器件在空气中的稳定性，寿命更长，同时，花青素和辅酶Q10都具有极强的还原性，能够解决二氧化硫难以探测的问题，此外，花青素和辅酶Q10的引入，增加了待测二氧化硫分子与半导体分子的电荷交换，实现有机场效应晶体管二氧化硫传感器对二氧化硫精确监测。
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公开(公告)号：CN112509984A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011463276.5
申请日：2020-12-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种可用于光电子器件的防潮结构及其制备方法，属于防潮薄膜结构领域；本发明的防潮薄膜结构从下到上依次为，附着面和薄膜结构，所述薄膜结构的总厚度不超过20um；所述薄膜结构是由混合溶剂、防潮剂和保护剂的混合溶液经喷涂而成；薄膜结构以质量成分计，分别为，混合溶剂：40～60％、防潮剂：30～40％、保护剂：10～20％；本发明的薄膜结构是先对光电子器件表面或基底表面进行清洗，然后分别制备混合溶剂、防潮剂和保护剂、按照比例进行混合；将混合溶液采用喷涂法喷涂到光电子器件表面或基底表面；然后烘干处理即可；通过本发明可以解决现有的SiO2防潮材料环保性不够，粘结性能较差，薄膜不均匀和出现坏点的问题。
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