公开(公告)号：CN109270131A

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201811080878.5

申请日：2018-09-17

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 于军胜 ,  杨祖崇 ,  侯思辉 ,  尚乾程

IPC: G01N27/26 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明公开了一种嵌有小分子添加剂的OTFT氨气传感器及其制备方法，在有机半导体层中设置小分子添加剂时，采用溶液连续处理法或固态扩散法完成，从而得到嵌有至少包含一个氰基或氟基的小分子添加剂的OTFT氨气传感器，所述溶液连续处理法是在制得的有机半导体薄膜表面旋涂或浸涂含有小分子添加剂的正交溶液；所述固态扩散法是在制得的有机半导体薄膜表面真空热蒸镀小分子添加剂材料。通过本发明，在保证OTFT氨气传感器高灵敏度的同时，克服现有OTFT氨气传感器存在的稳定性差的问题。

公开(公告)号：CN108287189B

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201810003665.6

申请日：2018-01-03

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 于军胜 ,  庄昕明 ,  侯思辉 ,  杨祖崇

IPC: G01N27/414

Abstract: 本发明公开了一种基于协同效应的有机场效应管湿度传感器及其制备方法，所述有机场效应管从上到下依次为衬底、栅电极、介电层、介电修饰层、半导体层、源电极和漏电极。所述介电层修饰层为有机介电材料和偏钨酸铵的混合材料，所述半导体层为有机半导体材料与偏钨酸铵的混合材料。本发明通过引入含偏钨酸铵有效的提升器件性能及其对湿度的检测能力。偏钨酸铵的引入一方面半导体层形成多介孔结构，另一方面偏钨酸铵的分解，减小了半导体晶粒之间的间隙势垒，有效的提升了器件的性能，更适宜大规模、快速产业化生产。

公开(公告)号：CN108287189A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201810003665.6

申请日：2018-01-03

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 于军胜 ,  庄昕明 ,  侯思辉 ,  杨祖崇

IPC: G01N27/414

Abstract: 本发明公开了一种基于协同效应的有机场效应管湿度传感器及其制备方法，所述有机场效应管从上到下依次为衬底、栅电极、介电层、介电修饰层、半导体层、源电极和漏电极。所述介电层修饰层为有机介电材料和偏钨酸铵的混合材料，所述半导体层为有机半导体材料与偏钨酸铵的混合材料。本发明通过引入含偏钨酸铵有效的提升器件性能及其对湿度的检测能力。偏钨酸铵的引入一方面半导体层形成多介孔结构，另一方面偏钨酸铵的分解，减小了半导体晶粒之间的间隙势垒，有效的提升了器件的性能，更适宜大规模、快速产业化生产。