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公开(公告)号:CN101801846A
公开(公告)日:2010-08-11
申请号:CN200880107513.5
申请日:2008-10-10
Applicant: 中央硝子株式会社
Inventor: 八尾章史
Abstract: 本发明提供一种氟化纳米金刚石分散液的制作方法,其包括以下工序:纯化工序,将氟化纳米金刚石和碳原子数4以下的醇混合,进行超声波处理而制作悬浮液,对所得的悬浮液进行利用离心分离的分级处理而制作氟化纳米金刚石的分散液;干燥工序,从该纯化工序中获得的氟化纳米金刚石的分散液中除去前述醇,从而制作干燥氟化纳米金刚石;再分散工序,将该干燥工序中获得的干燥氟化纳米金刚石和非质子性极性溶剂混合,利用超声波处理而制作氟化纳米金刚石分散液。
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公开(公告)号:CN110832106B
公开(公告)日:2022-04-15
申请号:CN201880044231.9
申请日:2018-07-24
Applicant: 中央硝子株式会社
Abstract: 本发明的已完成填充的容器的制造方法的特征在于,包括如下工序:准备金属制的保存容器的工序,所述金属制的保存容器至少内表面由锰钢构成、且该内表面的表面粗糙度Rmax为10μm以下;氟化工序,在50℃以下,使上述保存容器的内表面与包含选自由ClF3、IF7、BrF5、F2和WF6组成的组中的至少一种第1含氟气体的气体接触;置换工序,对上述保存容器的内部用非活性气体进行置换;和,填充工序,在上述保存容器的内部填充选自由ClF3、IF7、BrF5、F2和WF6组成的组中的至少一种第2含氟气体。
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公开(公告)号:CN107924837B
公开(公告)日:2022-02-01
申请号:CN201680044981.7
申请日:2016-07-01
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 本发明的干式蚀刻方法的特征在于:其是对形成在基板上的硅氧化物层与硅氮化物层的积层膜,隔着形成在所述积层膜上的掩模,进行使干式蚀刻剂等离子体化并施加500V以上的偏压电压的蚀刻,从而对该层形成垂直方向的贯通孔的方法,并且所述干式蚀刻剂至少包含C3H2F4、CxFy所表示的不饱和全氟碳及氧化性气体,且所述干式蚀刻剂中所含的所述不饱和全氟碳的体积为所述干式蚀刻剂中所含的所述C3H2F4的体积的0.1~10倍的范围。通过该干式蚀刻方法,可以将SiOx的蚀刻速度相对于SiN的蚀刻速度的比(SiN/SiOx比)任意地控制在0.90~1.5之间,并且也可以对掩模实现高蚀刻选择性。
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公开(公告)号:CN112921320A
公开(公告)日:2021-06-08
申请号:CN202110075293.X
申请日:2016-06-22
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: C23F1/10 , C23F1/02 , C23F1/44 , H01L21/306 , H01L21/311 , H01L21/3213
Abstract: 一种湿式蚀刻方法,其特征在于,其是使用蚀刻液对基板上的含金属膜进行蚀刻的湿式蚀刻方法,前述蚀刻液是三氟甲基与羰基键合而成的β‑二酮的有机溶剂溶液,前述含金属膜包含能够与前述β‑二酮形成络合物的金属元素,前述蚀刻液中所包含的水的量为1质量%以下。
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公开(公告)号:CN112534550A
公开(公告)日:2021-03-19
申请号:CN201980051482.4
申请日:2019-09-02
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/302
Abstract: 本发明的目的在于,提供:不使用等离子体也能在200℃以下的低温下以充分的速度对硅氧化物进行蚀刻而不产生残渣的方法。本发明为一种硅氧化物的干蚀刻方法,其特征在于,使硅氧化物与气体的氟化氢和气体的有机胺化合物、和/或气体的有机胺化合物的氟化氢盐在不伴随等离子体状态下进行反应。
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公开(公告)号:CN112533873A
公开(公告)日:2021-03-19
申请号:CN201980052339.7
申请日:2019-07-12
Applicant: 中央硝子株式会社
Abstract: 本发明的一实施方式的六氟化钨的制造方法包括如下工序:第1工序,使具有氧化覆膜的钨、与氟气或非活性气体在反应器内接触,得到去除了氧化覆膜的钨,所述氟气或非活性气体包含50体积ppm以上且50体积%以下的氟化氢;及第2工序,使第1工序中去除了氧化覆膜的钨、与含氟气体接触而得到六氟化钨。
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公开(公告)号:CN103597122A
公开(公告)日:2014-02-19
申请号:CN201280028631.3
申请日:2012-05-17
Applicant: 中央硝子株式会社
CPC classification number: C25B9/00 , B01D53/0407 , B01D53/685 , B01D2253/112 , B01D2256/26 , B01D2257/2047 , C01B7/20 , C25B1/245 , C25B15/08
Abstract: 本发明提供一种氟气生成装置(100),该氟气生成装置(100)包括:筒状构件(31a),其使主产气体流通;气体导入口(51a),其用于将上述主产气体导入到筒状构件(31a);气体导出口(52a),其用于从筒状构件(31a)导出主产气体;吸附剂保持器(201),其以形成用于确保在筒状构件(31a)中流通的主产气体流路的空间的方式配置;搅拌叶片(202),其用于搅拌从气体导入口(51a)流入的主产气体;以及气流引导筒(203),其用于使主产气体在筒状构件(31a)内的空间中循环或者扩散。
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公开(公告)号:CN102762772A
公开(公告)日:2012-10-31
申请号:CN201080054728.2
申请日:2010-11-25
Applicant: 中央硝子株式会社
CPC classification number: C25B1/245
Abstract: 本发明涉及通过将熔融盐中的氟化氢电解从而生成氟气的氟气生成装置,其包括:电解槽,其在熔融盐液面上隔离、划分为第1气室和第2气室,在浸渍于熔融盐中的阳极处生成的以氟气为主成分的主产气体被导入该第1气室,在浸渍于熔融盐的阴极处生成的以氢气为主成分的副产气体被导入该第2气室;氟化氢供给源,其积存有用于补充到电解槽中的氟化氢;精制装置,其捕集从电解槽的熔融盐中气化而混入到由所述阳极生成的主产气体中的氟化氢气体并精制氟气;以及回收设备,其将用精制装置捕集的氟化氢输送到电解槽或氟化氢供给源并进行回收。
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