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公开(公告)号:CN107922743A
公开(公告)日:2018-04-17
申请号:CN201680049882.8
申请日:2016-08-25
Applicant: 电化株式会社
Inventor: 竹田豪
IPC: C08L101/00 , C08K3/38 , C08K7/18
CPC classification number: C09K5/14 , C08K3/38 , C08K7/18 , C08K2003/385 , C08K2201/001 , C08K2201/005 , C08K2201/014 , C08L101/00 , H05K7/2039 , C08L83/04
Abstract: 通过使用本发明的导热性树脂组合物,从而能够提供导热性和介质击穿特性优异的散热构件。一种导热性树脂组合物,其特征在于,平均粒径为0.05~1.0μm、平均圆形度为0.80以上、氮化硼的纯度为96质量%以上的球状氮化硼微粉末与平均粒径为20~85μm、石墨化指数为1.5~4.0的氮化硼粗粉末的配混比例以体积比计为5:95~40:60,球状氮化硼微粉末和氮化硼粗粉末在树脂组合物中的合计含量为40~85体积%。一种散热片,其使用了导热性树脂组合物。一种电子部件用散热构件,其使用了导热性树脂组合物。
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公开(公告)号:CN118660861A
公开(公告)日:2024-09-17
申请号:CN202380020357.3
申请日:2023-03-28
Applicant: 电化株式会社
IPC: C01B21/064
Abstract: 本发明涉及氮化硼粉末,其包含由氮化硼的一次粒子聚集而构成的聚集粒子,前述氮化硼粉末的石墨化指数为2.0以下,氧化硼含量为0.1质量%以下,热循环试验后的氧化硼含量为0.2质量%以下。
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公开(公告)号:CN113614033B
公开(公告)日:2024-04-30
申请号:CN202080024344.X
申请日:2020-03-25
Applicant: 电化株式会社
IPC: C01B21/064 , C08K3/38 , C08K9/06 , C08L101/00
Abstract: 本发明是六方晶氮化硼一次粒子凝集而成的块状氮化硼粒子,其包含间隔型偶联剂。本发明的导热树脂组合物包含本发明的块状氮化硼粒子。本发明的散热构件使用了本发明的导热树脂组合物。根据本发明,能够提供能够抑制与树脂混合而制造的散热构件中产生空隙的块状氮化硼粒子、包含该块状氮化硼粒子的导热树脂组合物及使用了该导热树脂组合物的散热构件。
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公开(公告)号:CN112334408B
公开(公告)日:2023-10-10
申请号:CN201980040344.6
申请日:2019-06-27
Applicant: 电化株式会社
IPC: C01B21/064 , C08K3/38 , C08L101/00 , H01L23/36 , H01L23/373
Abstract: 本公开文本的一个方面提供块状氮化硼粒子,其是六方晶氮化硼的一次粒子聚集而成的,其中,截面中的上述一次粒子的面积比例的平均值为45%以上,截面中的上述一次粒子的面积比例的标准偏差小于25,抗碎强度为8.0MPa以上。
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公开(公告)号:CN109790025B
公开(公告)日:2023-05-30
申请号:CN201780057395.0
申请日:2017-08-31
Applicant: 电化株式会社
IPC: C01B21/064 , C08K3/38 , C08L101/00
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公开(公告)号:CN109790026B
公开(公告)日:2023-03-28
申请号:CN201780060965.1
申请日:2017-08-31
Applicant: 电化株式会社
IPC: C01B21/064 , C08K9/06 , C08L101/00
Abstract: 本发明提供填充性优异的球状氮化硼微粉等。本发明是一种球状氮化硼微粉,其特征在于,满足以下的(A)~(C)。(A)在球状氮化硼微粒表面10nm中的组成中,存在0.1atm%以上且3.0atm%以下的Si、Ti、Zr、Ce、Al、Mg、Ge、Ga及V中的任意1种或2种以上;(B)球状氮化硼微粉的平均粒径为0.05μm以上且1μm以下;(C)球状氮化硼微粉的平均圆形度为0.8以上。
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公开(公告)号:CN112218820A
公开(公告)日:2021-01-12
申请号:CN201980036136.9
申请日:2019-08-06
Applicant: 电化株式会社
IPC: C01B21/064
Abstract: 本公开文本的一个方面提供六方晶硼粉末,其纯度为98质量%以上,比表面积小于2.0m2/g。
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公开(公告)号:CN104350127B
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201380030222.1
申请日:2013-06-04
Applicant: 电化株式会社
CPC classification number: C09K11/025 , B05D1/18 , C09K11/64 , C09K11/643 , C09K11/7734 , C30B33/00 , C30B33/02 , H01L33/502
Abstract: 本发明提供一种荧光体的表面处理方法、荧光体、发光装置以及照明装置,所述荧光体的表面处理方法在(Sr,Ca)AlSiN3氮化物荧光体中、能够使其耐湿可靠性提高而不会使光学特性下降。进行浸渍工序和热处理工序,所述浸渍工序是将基质晶体具有与(Sr,Ca)AlSiN3晶体实质上相同的晶体结构的荧光体、浸渍于含有磷酸铵的水溶液中(步骤1);所述热处理工序是将浸渍工序后的荧光体在250~550℃的温度环境下保持2~24小时(步骤2)。
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