公开(公告)号：CN203826390U

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201420084985.6

申请日：2014-02-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 鸟羽功一 ,  茶木原启 ,  川岛祥之

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/66833

Abstract: 本实用新型涉及半导体装置。本实用新型解决的一个问题是如何提高半导体装置的可靠性。本实用新型的半导体装置具有：第1层叠膜，隔着第1栅极绝缘膜形成在半导体基板上，包含第1选择栅电极及第1帽绝缘膜；第1存储器栅电极，隔着第2栅极绝缘膜而与第1选择栅电极的在第1方向延伸的第1侧壁相反侧的第2侧壁邻接，第1存储器栅电极在第1方向延伸；第1供电部，是第1方向中第1选择栅电极端部，在平面视图中第1供电部从第1帽绝缘膜露出；第1栓，与第1供电部的上表面连接，第1存储器栅电极相比于平面视图中第1供电部及第1帽绝缘膜之间边界更靠第1帽绝缘膜侧终止。本实用新型的一个用途是提高半导体装置的可靠性。