公开(公告)号：CN101178930B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200710142314.5

申请日：2007-08-10

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 薮内诚 ,  新居浩二

IPC: G11C11/408 ,  G11C11/418 ,  G11C8/08

CPC classification number: G11C8/08 ,  G11C5/147 ,  G11C11/412 ,  G11C11/413

Abstract: 一种具备静态型存储单元的半导体存储装置，其中，在字线驱动器的电源节点上设置使电源电压(VDDR)降压的驱动器电源电路(10)。该驱动器电源电路(10)包括N+掺杂多晶硅非硅化物电阻元件(20)以及使驱动器电源节点(11)的电压电平降低的下拉电路。该下拉电路包含：其阈值特性与存储单元晶体管相同的将驱动器电源节点的电压电平下拉的下拉晶体管(21)；以及至少调整该下拉晶体管(21)的栅电压的栅极控制电路(30)。该栅极控制电路与存储单元晶体管的阈值电压变化联动地校正该下拉晶体管的栅极电位。

公开(公告)号：CN207302641U

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201721142008.7

申请日：2017-09-06

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 新居浩二

IPC: G11C15/04 ,  G11C5/06

Abstract: 半导体装置具有：第一单元；第二单元；第一匹配线及第二匹配线；传输第一数据的第一搜索线对；传输第二数据的第二搜索线对；第一逻辑运算单元，与第一搜索线对和第一匹配线连接，且基于单元第一组件及第二组件保持的信息和第一数据的比较结果而驱动第一匹配线；以及第二逻辑运算单元，与第二搜索线对和第二匹配线连接，且基于单元第一组件及第二组件保持的信息和第二数据的比较结果而驱动第二匹配线。