全无机卤素钙钛矿单晶X射线探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN110611004A

    公开(公告)日:2019-12-24

    申请号:CN201910906932.5

    申请日:2019-09-24

    Applicant: 湖南大学

    Inventor: 杨斌 李俊驰

    Abstract: 本发明涉及一种全无机卤素钙钛矿单晶X射线探测器,其包括钙钛矿单晶以及位于钙钛矿单晶两侧相对设置的电极,所述钙钛矿单晶的分子式为Cs(1-x)RbxPb(Br(1-y)Iy)3,其中0≤x≤0.1,0≤y≤0.3。相比较现有技术,本发明的全无机卤素钙钛矿单晶的制备过程更简单、成本也更低。相比较于多晶钙钛矿薄膜,本发明使用的钙钛矿单晶具有载流子迁移率更高、载流子寿命更长、稳定性更好等优势,因而使X射线探测器性能更优。

    一种CsPbBr3陶瓷及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118084491B

    公开(公告)日:2024-09-20

    申请号:CN202410189933.3

    申请日:2024-02-20

    Applicant: 湖南大学

    Inventor: 杨斌 李骏驰

    Abstract: 本发明提供了一种CsPbBr3陶瓷,所述CsPbBr3陶瓷为孪晶;所述CsPbBr3陶瓷为正交晶系Pnma空间群;所述CsPbBr3陶瓷的晶胞参数为a=8.2339(3)埃,b=11.7593(4)埃,c=8.2447(4)埃,V=798.29(6)埃;所述CsPbBr3陶瓷有制备方法包括将CsBr粉体和PbBr2粉体混合并模压成型后,进行第一烧结后自然冷却,然后进行第二烧结的步骤;所述第一烧结的温度为360‑460℃;所述第二烧结的温度为480‑560℃。本发明还提供所述CsPbBr3陶瓷的制备方法和应用。

    一种陶瓷电容式压力传感器及其制造方法

    公开(公告)号:CN117213668B

    公开(公告)日:2024-07-19

    申请号:CN202311212012.6

    申请日:2023-09-19

    Applicant: 湖南大学

    Inventor: 杨斌

    Abstract: 本发明公开一种陶瓷电容式压力传感器及其制造方法,属于电容式压力传感器技术领域。陶瓷电容式压力传感器包括:底座和膜片;所述底座正面设有底座测量电极,所述膜片正面设有膜片测量电极,所述底座测量电极与膜片测量电极平行正对设置以形成电容的两极;其中,所述底座测量电极的中间设有凹槽,以使所述底座测量电极中间位置与膜片测量电极的距离D大于底座测量电极其它位置与膜片测量电极之间的距离d。通过本发明提供的电容式压力传感器,克服了现有电容式压力传感器存在的输出线性差的技术缺陷,提高了测量精度和稳定性。

    一种高韧性氧化铝薄片的制备方法

    公开(公告)号:CN116283243A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310552660.X

    申请日:2023-05-17

    Applicant: 湖南大学

    Inventor: 杨斌

    Abstract: 本发明提供了一种高韧性氧化铝薄片的制备方法,包括如下步骤:将氧化锆粉体、氧化铝粉体、粘接剂和铝镍锆合金粉混合后进行干压,得到生坯;将生坯在惰性气氛下排胶后在惰性气氛下升温至700‑750℃后在氧化性气氛下升温至1450~1520℃后保温,即得。本发明提供的方法简单,制备到得的氧化铝陶瓷的晶界交汇处存在氧化锆增强,因此其抗冲击性能高,且韧性高。

    一种铌酸铋钙基压电陶瓷及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN113999009A

    公开(公告)日:2022-02-01

    申请号:CN202111629528.1

    申请日:2021-12-29

    Applicant: 湖南大学

    Inventor: 杨斌 余红财

    Abstract: 本发明提供了一种铌酸铋钙基压电陶瓷,所述压电陶瓷的A位掺杂有Na+、La3+和Bi3+;所述压电陶瓷的(Bi2O2)2+层掺杂有La3+。本发明提供的铌酸铋钙基压电陶瓷,通过对其(Bi2O2)2+层和A位进行共掺杂,调控了其晶格的畸变,使其产生局部的不均匀结构,如极化纳米畴,提高了该高温压电陶瓷的剩余极化强度、压电性能和温度稳定性。本发明还提供了所述铌酸铋钙基压电陶瓷的制备方法和应用。

    PbS薄膜的敏化方法、红外光电探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN112310242A

    公开(公告)日:2021-02-02

    申请号:CN202010515219.0

    申请日:2020-06-08

    Applicant: 湖南大学

    Inventor: 杨斌 孙景 潘安练

    Abstract: 本发明涉及一种新的用于PbS薄膜的敏化方法,该方法是对PbS薄膜进行紫外臭氧处理实现PbS薄膜的敏化。本发明还涉及一种基于PbS薄膜的红外光电探测器及制备方法,所述探测器包括导电玻璃或硅片衬底层、p型半导体层、n型半导体层、缓冲层和电极层;所述p型半导体层为经过紫外臭氧敏化处理的PbS薄膜;所述n型半导体层为富勒烯C60或其衍生物。本发明采用UVO敏化处理,敏化温度低,耗能少、操作简单、敏化效果显著。此外,本发明为一种具有二极管结构的可室温工作的高灵敏红外光电探测器,其比探测率明显优于传统光敏电阻式探测器。

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