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公开(公告)号：CN105047820A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510229488.X
申请日：2015-05-07
Applicant: 湖北大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/4233 , B82Y30/00 , H01L51/0047 , H01L2251/305
Abstract: 本发明涉及一种基于ZnO/PCBM/CH3NH3PbI3光吸收层的有机无机杂化钙钛矿太阳能电池及其制备方法，电池组成包括有玻璃衬底、作为阳极的FTO层、ZnO种子层、ZnO纳米棒骨架层、有机PCBM层、钙钛矿层、Spiro-MeOTAD空穴传输层以及作为电池阴极的Au膜层。本发明制备方法简便，反应条件要求较低，效果显著，在保持较高的效率的同时，也能在某种程度上克服性能稳定性的问题。该种结构将有机和无机材料有效的结合在了一起，充分发挥各自的优点，为钙钛矿太阳能电池的发展拓展了一条新的路径。
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公开(公告)号：CN102651281B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201210031545.X
申请日：2012-02-13
Applicant: 湖北大学
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02E10/549
Abstract: 本发明提出了一种Ga掺杂ZnO纳米线阵列染料敏化太阳能电池（DSSC）及其制备方法。该Ga掺杂ZnO纳米线阵列染料敏化太阳能电池是由按照从下到上顺序的FTO导电玻璃衬底、ZnO缓冲薄膜层、Ga掺杂ZnO纳米线阵列层、钌配合物染料N719、I-/I3-电解液与Pt/FTO对电极组成的。通过电场辅助化学法进行Ga掺杂ZnO，使本发明的Ga掺杂ZnO纳米线阵列DSSC电池的光电转换效率达到1.53%。本发明所涉及的制备工艺简单易行，成本低，产率高，具有非常好的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN116306857B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310558303.4
申请日：2023-05-18
Abstract: 本发明公开了一种基于神经元膜高低电位采样的脉冲电路，提出膜电位高低位同步采样，在高低膜电位出现的时刻分别在对应端口输出一个指示脉冲；根据两个膜电位检测信号发放时间及相对位置综合判断神经元激活状态并发放脉冲。由于神经元阈值激活电压和保持电压相距较远，且触发脉冲发放需要两个检测脉冲按先后顺序在一定时间内成对出现，可以有效避免由于干扰或膜电位在所设置的基准电压附近波动而导致的脉冲少发或误发现象。该神经元激活状态识别和激活脉冲发放电路能够即时、准确地发放标准脉冲激活信号，为大规模多层脉冲神经网络的层间信号匹配与脉冲神经网络和各功能模块间的信号交互提供了有力支撑。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116306857A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310558303.4
申请日：2023-05-18
Abstract: 本发明公开了一种基于神经元膜高低电位采样的脉冲电路，提出膜电位高低位同步采样，在高低膜电位出现的时刻分别在对应端口输出一个指示脉冲；根据两个膜电位检测信号发放时间及相对位置综合判断神经元激活状态并发放脉冲。由于神经元阈值激活电压和保持电压相距较远，且触发脉冲发放需要两个检测脉冲按先后顺序在一定时间内成对出现，可以有效避免由于干扰或膜电位在所设置的基准电压附近波动而导致的脉冲少发或误发现象。该神经元激活状态识别和激活脉冲发放电路能够即时、准确地发放标准脉冲激活信号，为大规模多层脉冲神经网络的层间信号匹配与脉冲神经网络和各功能模块间的信号交互提供了有力支撑。
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公开(公告)号：CN112952088B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202110212580.0
申请日：2021-02-25
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明公开了一种基于碳布生长的金属掺杂碳酸锰电极材料及其制备方法和应用，属于水系锌离子电池阴极储能材料技术领域。本发明以碳布为基底，将碳布预处理后置于配有适当比例的金属盐、锰盐和尿素的反应釜内胆的混合溶液中，并将碳布用聚四氟乙烯板固定，最后将反应釜装置放入干燥箱中进行水热反应，其中：反应温度设置为100～180℃，反应时间设置为16～24h，反应完成后清洗干净并干燥即可。本发明的金属掺杂碳酸锰后，形貌发生改变，在提高结构的稳定性同时，增大了反应过程的表面积，也提升了其能量密度。此外，本发明制备的电极材料在电池充放电过程中对进入阴极材料内部嵌入脱嵌的锌离子的静电作用力减少，电导率增大，提升了电池的电化学性能。
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公开(公告)号：CN113066927A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110170101.3
申请日：2021-02-03
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明提供了一种基于掺钛氧化铌的1S1R器件及其制备方法，该器件包括：底电极；转换层；阻变层；顶电极；转换层为钛掺杂的氧化铌。本申请的器件，转换层为钛掺杂的氧化铌，基于该材料制得的选通管有操作电压十分稳定、抗高脉冲电流等优点；阻变层采用氮化硅薄膜，由于氮化物的存在使得氧空位移动受到限制，使得氧空位更为可控。本申请采用掺钛氧化铌作为选通管功能层和氮化硅薄膜作为阻变层，使制得的1S1R器件具有稳定的SET电压、RESET电压、负极性阈值电压和正极性保持电压等相关操作电压，明显的存储窗口和选通比(非线性值)，在直流耐受性测试中表现出较强的稳定性，因此能够有效地减小漏电流，有一定的抗串扰能力。
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公开(公告)号：CN105047820B
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201510229488.X
申请日：2015-05-07
Applicant: 湖北大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及一种基于ZnO/PCBM/CH3NH3PbI3光吸收层的有机无机杂化钙钛矿太阳能电池及其制备方法，电池组成包括有玻璃衬底、作为阳极的FTO层、ZnO种子层、ZnO纳米棒骨架层、有机PCBM层、钙钛矿层、Spiro‑MeOTAD空穴传输层以及作为电池阴极的Au膜层。本发明制备方法简便，反应条件要求较低，效果显著，在保持较高的效率的同时，也能在某种程度上克服性能稳定性的问题。该种结构将有机和无机材料有效的结合在了一起，充分发挥各自的优点，为钙钛矿太阳能电池的发展拓展了一条新的路径。
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公开(公告)号：CN102651281A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201210031545.X
申请日：2012-02-13
Applicant: 湖北大学
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02E10/549
Abstract: 本发明提出了一种Ga掺杂ZnO纳米线阵列染料敏化太阳能电池（DSSC）及其制备方法。该Ga掺杂ZnO纳米线阵列染料敏化太阳能电池是由按照从下到上顺序的FTO导电玻璃衬底、ZnO缓冲薄膜层、Ga掺杂ZnO纳米线阵列层、钌配合物染料N719、I-/I3-电解液与Pt/FTO对电极组成的。通过电场辅助化学法进行Ga掺杂ZnO，使本发明的Ga掺杂ZnO纳米线阵列DSSC电池的光电转换效率达到1.53%。本发明所涉及的制备工艺简单易行，成本低，产率高，具有非常好的市场应用前景。
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