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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118657055A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410879425.8
申请日：2024-07-02
Applicant: 清华大学
IPC: G06F30/27 , G06F17/16 , G06N3/0464 , G06N3/096
Abstract: 本发明涉及激光器设计技术领域，提供一种基于神经网络的激光器设计方法及系统，包括：获取预设的激光器结构特征；将所述激光器结构特征输入至预训练的预测模型，所述预测模型基于激光器结构特征进行仿真，输出激光器输出特征；其中，所述预测模型是通过预先构建的激光器仿真数据训练集对神经网络进行训练得到的。本发明解决了现有激光器设计复杂程度高、成本消耗大的问题。
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公开(公告)号：CN114096028B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202111322090.2
申请日：2021-11-09
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种二维半导体电致发光装置及其制备方法，所述二维半导体电致发光装置包括：衬底，衬底包括第一主表面；电极层，电极层设在第一主表面上，电极层包括多个第一电极体和多个第二电极体，多个第一电极体沿衬底的横向间隔布置，多个第二电极体沿衬底的横向间隔布置，多个第一电极体和多个第二电极体沿衬底的横向交错布置，相邻的第一电极体和第二电极体在衬底的横向上间隔开，第一电极体和第二电极体的极性相反；二维半导体层，二维半导体层设在电极层在衬底的厚度方向上远离衬底的一侧；介电层，介电层的至少部分在衬底的厚度方向上位于二维半导体层和电极层之间。本发明的二维半导体电致发光装置具有发光效率高的优点。
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公开(公告)号：CN117408114A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311464014.4
申请日：2023-11-06
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种超表面形状参数优化方法和装置，所述方法包括：获取待优化超表面的各超原子的初始形状参数，将所述初始形状参数输入预先训练的拟合模型，以得到所述拟合模型输出的拟合结果，所述拟合结果为各超原子的尺寸与振动响应之间的可导函数关系；随机初始化各超原子的形状参数，并根据所述拟合结果计算所述待优化超表面的复振幅响应；基于预设的输入光场和所述复振幅，通过梯度下降法对所述初始形状参数进行优化，以得到优化形状参数；其中，所述拟合模型是利用样本超原子的尺寸，以及尺寸与振动响应的可导函数关系进行训练得到的。解决了现有技术中存在的超表面形状参数无法进行梯度法优化的问题，实现了超表面形状参数的有效优化。
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公开(公告)号：CN116243478A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310103313.9
申请日：2023-01-29
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种铌酸锂薄膜Y波导调制器的拓扑优化方法及相关组件，包括：控制在预设优化区域内的铌酸锂薄膜Y波导调制器的材料折射率在预设折射率范围内连续变化取值以对铌酸锂薄膜Y波导调制器的材料折射率进行优化；将连续变化取值的铌酸锂薄膜Y波导调制器的材料折射率映射为二值折射率，二值折射率对应铌酸锂薄膜Y波导调制器的最优材料折射率分布；优化铌酸锂薄膜Y波导调制器的曲率半径，得到优化曲率半径值；根据铌酸锂薄膜Y波导调制器的最优材料折射率分布和优化曲率半径值对铌酸锂薄膜Y波导调制器进行拓扑优化设计。通过本发明提供的方法实现高性能的单偏振工作的铌酸锂薄膜Y波导调制器设计。
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公开(公告)号：CN216488121U
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202122734534.5
申请日：2021-11-09
Applicant: 清华大学
Abstract: 本实用新型提出了一种二维半导体电致发光装置，所述二维半导体电致发光装置包括：衬底，衬底包括第一主表面；电极层，电极层设在第一主表面上，电极层包括多个第一电极体和多个第二电极体，多个第一电极体沿衬底的横向间隔布置，多个第二电极体沿衬底的横向间隔布置，多个第一电极体和多个第二电极体沿衬底的横向交错布置，相邻的第一电极体和第二电极体在衬底的横向上间隔开，第一电极体和第二电极体的极性相反；二维半导体层，二维半导体层设在电极层在衬底的厚度方向上远离衬底的一侧；介电层，介电层的至少部分在衬底的厚度方向上位于二维半导体层和电极层之间；和保护层。本实用新型的二维半导体电致发光装置具有发光效率高的优点。
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