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公开(公告)号：CN100539429C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200710065587.4
申请日：2007-04-17
Applicant: 清华大学
IPC: H03M1/12
Abstract: 本发明涉及用于折叠插值结构模拟数字转换器的电流均衡电路，属于电子设备技术领域。包括：两个第一PMOS构成第一电流镜，其源端与折叠电路的正像输出相连，其输出端对叠电路的正像输出进行耦合后输出；两个第二PMOS构成第二电流镜，其源端与折叠电路的反像输出相连，其输出端与第三电流镜的输入端相连；两个NMOS构成第三电流镜，其源端与第二电流镜的输出端相连，其输出端对折叠电路的反像输出进行耦合，并与耦合信号相加后作为本均衡电路的输出。本发明电流均衡电路，其优点是有效地抑制模拟数字转换器折叠电路输出的共模增益，提高折叠电路输出的折叠曲线幅度，有效地均衡折叠曲线的过零点，降低了对后端比较器灵敏度的要求。
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公开(公告)号：CN100539418C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200710064941.1
申请日：2007-03-30
Applicant: 清华大学
IPC: H03K17/687 , H03H17/00
Abstract: 本发明涉及一种用于半数字滤波的电路开关，属于电子设备技术领域。包括：用于为电路开关提供电流的电流源，用于对电流的通和断进行控制的一对互补开关，由一个N型(或P型)金属氧化物场效应管、一个P型(或N型)构成；用于将电流转换为电压，并对信号进行滤波的跨阻放大器，由一个第一电容、一个电阻和一个运算放大器构成；用于滤除控制信号引入的信号过冲的低通滤波器，由第二电容和P型金属氧化物场效应管构成。本发明的电路开关，比传统的方法可以更有效地抑制信号过冲，加入的电容不需要很高的线性度，电容可以用金属氧化物场效应管实现，在深亚微米工艺下，金属氧化物场效应管可以以较小的硬件代价实现较大的电容，因而硬件代价很小。
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公开(公告)号：CN100514249C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200710179599.X
申请日：2007-12-14
Applicant: 清华大学
IPC: G05F3/24
Abstract: 本发明涉及一种带隙基准源产生装置，属于模拟电路领域，该装置由带隙基准源产生电路和启动电路两部分组成，带隙基准源产生电路包括：一个单端输出OTA，两个PMOS管，两个电容器，五个电阻器和两个BJT管；启动电路由一个PMOS管和两个NMOS管组成。该装置能够产生不随温度、电源电压变化的基准源。与传统的电流模结构带隙基准源产生装置相比较，该装置避免了电路的系统失配，可以改善基准源的噪声、电源电压抑制比和温度漂移特性。同时基准源的大小可以通过调节电阻器的阻值进行调节，在一些应用环境下可以避免使用同相电压放大器，从而进一步提高基准源的精度并且降低功耗。
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公开(公告)号：CN101217279A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200810055879.4
申请日：2008-01-11
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种具有失调校准的低功耗比较器，属于模拟电路领域，该比较器包括：电容、前置放大器、锁存器，及多个开关；其中，输入信号通过开关S1，S2连接电容C1，C2的一端，同时分别通过开关S3，S4连接地，电容C1，C2的另一端分别连接前置放大器的两端，开关S5，S6与前置放大器的输入、输出端相连，前置放大器的输出端与锁存器相连；所述前置放大器主要由9个MOS管组成；其中，M1、M2、M3、M4、M9为NMOS管，M5、M6、M7、M8为PMOS管；本发明通过合适的失调校准结构以及设计前置防大器的结构实现了在100kHz的工作速度下，精度为10bit的比较器。与其他比较器相比，该装置具有失调电压小，功耗小的特点，适合应用于低功耗的逐次逼近模数转换器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1304604C
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200510011856.X
申请日：2005-06-03
Applicant: 清华大学
IPC: C21D7/04
Abstract: 一种表面纳米晶化改性的方法，属于材料表面改性技术领域。为了在较低温度下，在工件表面制备纳米晶粒层，而不影响工件本身的结构和性能，本发明提出了表面纳米晶化改性的方法，包括如下步骤：在工件表面沉积一层非晶合金薄膜；将上述工件放入液压室，在-20℃～60℃下，利用液压设备在工件上施加一个恒定压力，并在这个恒定压力上叠加一个正弦或余弦调制的压力，作用一段时间后，在工件表面的非晶合金薄膜中析出纳米晶粒，其中硬度和强度较大的晶粒会移动并均匀分布到非晶层，即所述工件的表面，从而实现工件表面的纳米晶化改性。经过改性处理后，工件表面在耐腐蚀性能提高的情况下，表面强度和冲击韧性等力学性能也得到增强。
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公开(公告)号：CN113782046B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202111057434.1
申请日：2021-09-09
Applicant: 清华大学
IPC: G10L21/0216
Abstract: 本发明公开了一种用于远距离语音识别的麦克风阵列拾音方法及系统，应用于阵列信号处理技术领域，首先通过任意指定语音的方向，减小了目标语音的失真。其次，通过任意指定干扰信号的方向，对人声干扰进行了加权，对人声干扰抑制的更大，而稳定的噪声抑制的更小，从而能够准确的进行拾音，本发明为远距离的语音控制提供了较好的解决方案。
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公开(公告)号：CN108276019B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201810172660.6
申请日：2018-03-01
Applicant: 清华大学 , 北京巨瓷科技有限公司
Abstract: 本发明提供了精密真空转子球腔装置及其陶瓷电极引针的金属化封接方法。该封接方法包括：S100：在所述精密真空转子球腔装置的陶瓷碗引针孔内填充金属化膏剂；S200：使陶瓷电极引针穿过所述金属化膏剂并伸入所述陶瓷碗内部；S300：将步骤S200中得到的产品进行第一烧结。由此，不仅可以实现陶瓷电极引针与陶瓷碗的良好匹配性，而且封接效果好；金属化膏剂与陶瓷碗的匹配较好，可进一步提高封接效果；该方法不需要焊料进行钎焊，而是直接使用金属化膏剂与陶瓷碗和陶瓷电极引针利用烧结的方法进行焊接，避免了焊料的磁性对精密真空转子球腔装置的性能产生负面影响；陶瓷电极引针不易断裂，可靠性高；该封接方法工艺简单，成本低，且氦漏率不大于1.0×10‑11Pa/m3·s和1.0×10‑12Pa/m3·s的成品率分别为100％和80％。
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公开(公告)号：CN108461451A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810210456.9
申请日：2018-03-14
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种封接结构，包括陶瓷腔体、陶瓷引针、金属引针和导电层，所述陶瓷腔体的表面开设有通孔，所述导电层设置在所述通孔的孔壁表面，所述金属引针和所述陶瓷引针设置在所述通孔沿长度方向的不同段中并密封所述通孔，所述金属引针向所述陶瓷腔体外侧凸出，所述导电层与所述金属引针电连接，用于将所述金属引针与所述陶瓷腔体中的电学元件电连接。本发明还公开了一种封接结构的制备方法。
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公开(公告)号：CN104980159B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201510368856.9
申请日：2015-06-29
Applicant: 清华大学深圳研究生院
IPC: H03M1/54
Abstract: 本发明公开了一种基于电荷泵和压控振荡器的过采样模数转换器，包括第一异步脉宽调制器、电荷泵、第二异步脉宽调制器、基于压控振荡器的量化器以及数模转换器，其中所述第一异步脉宽调制器、所述电荷泵、所述第二异步脉宽调制器、所述基于压控振荡器的量化器依次连接在前向通道上，所述数模转换器连接在反馈通道上，所述数模转换器转换的模拟信号与第一异步脉宽调制器输出信号、电荷泵输出信号分别相减得到的误差信号送至所述电荷泵和所述第二异步脉宽调制器，形成闭环系统。本发明以简单的、低功耗的结构代替结构复杂、高功耗的模拟积分器，并能获得较好的精度。
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