公开(公告)号：CN105281762B

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201510748547.4

申请日：2015-11-07

Applicant: 浙江大学

Inventor： 周骞 ,  韩雁 ,  张世峰

IPC: H03L7/099

Abstract: 本发明公开了一种60GHz锁相环低电压下抗工艺涨落的电压控制CMOS LC振荡器。该振荡器包括：由NMOS器件N2、N3组成的负阻对电路，累积型变容管C2、C3和电感L2组成的谐振腔，负阻对电路和谐振腔组成LC振荡器；由NMOS器件N1、N5电感L1和电容C1组成的合成和输出缓冲电路；由NMOS器件N4、多晶硅电阻R1组成的体电压调制电路。通过适当增加N1、N5、N2、N3管的体电压，可以降低N管阈值，使电路能在低压下工作。引入体电压调制电路，降低了工艺波动对LC振荡器和合成和输出缓冲电路性能的影响。

公开(公告)号：CN104037231B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201410271875.5

申请日：2014-06-18

Applicant: 浙江大学

Inventor： 吴焕挺 ,  韩雁 ,  张世峰 ,  张炜

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种高边横向双扩散场效应晶体管，包括：P型衬底，N?外延层，P+埋层，P+对通隔离，场氧，P?top层，P?体区，P?体区接触P+，N+源电极，栅氧层，多晶硅栅电极，N+漏电极。所述P型衬底的上面是N?外延层。所述N?外延层的一侧设有P+埋层和P+对通隔离，用以隔离不同类型的器件。进一步，P?体区和P+对通隔离之间设有另一个P?体区，P?体区内设有体区接触P+。P?体区和P?体区之间设有P?top层。本发明源电极和衬底之间的雪崩击穿电压大大提高，即隔离性能有了很大的改进，满足了较高工作电压领域的应用。

公开(公告)号：CN103219371B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201310096965.0

申请日：2013-03-25

Applicant: 浙江大学 ,  华越微电子有限公司

Inventor： 张斌 ,  韩雁 ,  余庆 ,  张世峰 ,  朱大中

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种带有双面扩散残留层的沟槽栅型IGBT及其制造方法，该IGBT包括N型基区、P型基区、背P+集电极区、N+发射极区、P+发射极区、栅氧化层、发射极、栅电极和集电极；所述的N型基区由依次层叠的N+扩散残留层、N-漂移区和N+缓冲层组成，P型基区位于N+扩散残留层之上，N+扩散残留层和N+缓冲层从与N-漂移区的边界起始向外掺杂浓度逐渐增加。本发明IGBT制造方法的特征在于使用一次双面高温深结扩散在正面和背面同时形成非均匀掺杂的N+层，在N-漂移区正面形成的N+扩散残留层，提高了N型正面的离子掺杂浓度，使电导调制效应增强。在背面的N+缓冲层则减小器件导通压降，提高器件关断时间。该制造方法减少制造IGBT的步骤，降低成本。

公开(公告)号：CN102439725B

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201180002477.8

申请日：2011-07-11

Applicant: 浙江大学

Inventor： 张斌 ,  韩雁 ,  张世峰 ,  胡佳贤

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/66333

Abstract: 提供一种绝缘栅双极型晶体管(IGBT)及其制备方法，该IGBT包括N型基区、P型基区(28)、背P+阳极区(21)、N+阴极区(26)、栅氧化层(24)、阳极(20)、栅电极(25)和阴极(27)，所述的N型基区由依次层叠的N+扩散残留层(29)、N-基区(23)和N+缓冲层(22)组成，所述的N+扩散残留层(29)和N+缓冲层(22)从与N-基区(23)的边界起始向外掺杂浓度逐渐增加。IGBT在N-基区(23)正面设置N+扩散残留层(29)，提高了N型正面的离子掺杂浓度，降低了结型场效应晶体管(JEFT)电阻的影响，从而有效降低IGBT的导通压降，同时对IGBT的正向阻断电压(耐压)的影响降低到最小。

公开(公告)号：CN103219371A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310096965.0

申请日：2013-03-25

Applicant: 浙江大学

Inventor： 张斌 ,  韩雁 ,  张世峰 ,  朱大中

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种带有双面扩散残留层的沟槽栅型IGBT及其制造方法，该IGBT包括N型基区、P型基区、背P+集电极区、N+发射极区、P+发射极区、栅氧化层、发射极、栅电极和集电极；所述的N型基区由依次层叠的N+扩散残留层、N-漂移区和N+缓冲层组成，P型基区位于N+扩散残留层之上，N+扩散残留层和N+缓冲层从与N-漂移区的边界起始向外掺杂浓度逐渐增加。本发明IGBT制造方法的特征在于使用一次双面高温深结扩散在正面和背面同时形成非均匀掺杂的N+层，在N-漂移区正面形成的N+扩散残留层，提高了N型正面的离子掺杂浓度，使电导调制效应增强。在背面的N+缓冲层则减小器件导通压降，提高器件关断时间。该制造方法减少制造IGBT的步骤，降低成本。

公开(公告)号：CN102956687A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210422280.6

申请日：2012-10-30

Applicant: 浙江大学

Inventor： 张世峰 ,  韩雁 ,  张斌 ,  张炜 ,  吴焕挺

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明公开了一种基于双沟道结构的SOI-LIGBT器件，包括P型衬底；P型衬底上铺设有埋氧层，埋氧层上铺设有N-外延层，N-外延层上嵌设有P+集电极区，位于P+集电极区一侧的N-外延层上并排设有两个相互对称的体区结构；体区结构包括设于N-外延层上P阱、嵌设于P阱上的N+发射极区以及贯穿P阱的P+接触区。本发明通过在发射极处设置两个沟道区，使空穴电流从集电极流到发射极时，均分成两股电流，故流过寄生NPN三极管基极电流减小为总电流的一半；抑制了寄生晶闸管的开启，提高了器件的抗闩锁能力，从而提升了器件的可靠性。

公开(公告)号：CN101976683B

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201010290339.1

申请日：2010-09-25

Applicant: 浙江大学

Inventor： 张斌 ,  韩雁 ,  张世峰 ,  胡佳贤 ,  朱大中

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/66333

Abstract: 本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，该IGBT包括N型基区、P型基区、背P+发射区、N+集电区、栅氧化层、集电极、栅电极和发射极，所述的N型基区由依次层叠的N+扩散残留层、N-基区和N+缓冲层组成，所述的N+扩散残留层和N+缓冲层从与N-基区的边界起始向外掺杂浓度逐渐增加。本发明绝缘栅双极型晶体管在N-基区正面设置N+扩散残留层，提高了N型正面的离子掺杂浓度，降低了JEFT电阻的影响，从而有效降低IGBT的导通状态下的电压降。

公开(公告)号：CN101969069A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN201010246816.4

申请日：2010-08-06

Applicant: 浙江大学 ,  广东省粤晶高科股份有限公司

Inventor： 胡佳贤 ,  韩雁 ,  揭英亮 ,  陈素鹏 ,  张世峰 ,  张斌

IPC: H01L29/06 ,  H01L27/02

Abstract: 本发明公开了一种高压功率半导体器件的边缘终端结构，包括若干个将功率半导体器件环绕、与衬底具有相反导电类型的场限环，在场限环周围设有与场限环导电类型相同，掺杂浓度小于场限环的掺杂区域，该掺杂区域将场限环包裹，场限环上覆有场板，场限环与场板之间用二氧化硅层间隔。场板的材料可选自铜、铝、多晶硅或掺氧多晶硅等。由于在传统场限环的周围增加了浓度更低的掺杂区域可有效减小了边缘元胞电场线的密集程度，降低了边缘元胞承受的电场强度，使击穿电压得到提高，有效提高边缘终端结构的面积效率，节省了芯片面积，缩减了芯片成本。

公开(公告)号：CN105656481B

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201610052656.7

申请日：2016-01-27

Applicant: 浙江大学

Inventor： 李爱玲 ,  韩雁 ,  张世峰 ,  曹天霖 ,  陈雅雅 ,  周骞 ,  钱雨霁 ,  江如成

IPC: H03L7/099

Abstract: 本发明公开了一种振荡频率具有极低温度离散的尾电流型环形振荡电路。该振荡电路主要包括PTAT电流产生电路、恒定电流产生电路、尾电流型环形振荡电路、缓冲级。尾电流型环形振荡电路振荡频率与尾电流成线性关系，且当尾电流为恒定电流时振荡频率具有负温度系数。采用恒定电流和PTAT电流同时为环形振荡电路提供尾电流，恒定电流提供环形振荡电路振荡所需的大部分电流，PTAT电流补偿尾电流型环形振荡电路的负温度系数，这样可以实现振荡频率的极低温度离散。环形振荡电路反相级中PMOS的源端与衬底相接，减小振荡频率的电压离散。缓冲级整形输出信号波形。

公开(公告)号：CN105406822B

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201510867512.2

申请日：2015-12-01

Applicant: 浙江大学

Inventor： 曹天霖 ,  韩雁 ,  刘义冬 ,  张世峰 ,  陈雅雅

IPC: H03C1/52

Abstract: 本发明公开了一种带通前馈sigma‑delta调制器，包括三个级联的开关电容谐振器模块、加法器模块、量化器模块、反馈DAC模块。本sigma‑delta调制器采用了前馈型结构取代常见的反馈型结构，使谐振器的输入端只包含量化噪声分量，不包含输入信号分量，从而降低了谐振器的输入电平，提高了整体sigma‑delta调制器的环路稳定性。因此本发明提出的带通前馈sigma‑delta调制器适合于高阶单环结构的模数转换器，并且降低了调制器电路对运放等模拟子电路的要求。由仿真结果得，本发明提出的带通前馈sigma‑delta调制器在3.3V电源电压，时钟频率800KHz，中心频率200KHz，信号带宽5KHz的条件下达到96.8dB信号失真比和106dB的动态范围，满足高精度的陀螺仪、加速度传感器等微机械传感器系统的应用要求。